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BYC15-1200P
BYC15-1200P是瑞能半导体(WeEn Semiconductors)推出的一款超高速功率二极管(Hyperfast Power Diode),属于BYC15系列产品线。该器件采用瑞能EEPP(Efficiency Enhanced Pt Planar)平面钝化工艺制造,在TO-220AC两引脚塑料封装内集成了高性能单二极管,以通孔方式安装。更多 +

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BYC30-1200P
瑞能半导体(WeEn Semiconductors)BYC30-1200P超高速功率二极管(Hyperfast Power Diode)。它采用瑞能的EEPP(Efficiency Enhanced Pt Planar)平面钝化工艺,在TO-220AC标准封装内实现了1200V反向耐压、30A平均整流电流、65ns反向恢复时间的卓越性能组合。凭借软恢复特性、175℃高工作结温、300A浪涌承受能力以及低反向漏电流,BYC30-1200P为各类高可靠性、高能效的电力电子应用提供了一套高性能、高性价比的二极管解决方案。更多 +

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BT155W-1200TQ
BT155W-1200TQ是瑞能半导体(WeEn Semiconductors) 推出的一款平面钝化硅控整流器(SCR)晶闸管,采用TO-247塑 料封装,专为需要极高浪涌电流承受能力和高热循环性能的应用而设计。更多 +

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ZXLD1370EST16TC
产品介绍:ZXLD1370EST16TC是Diodes(美台半导体)推出的高性能多拓扑LED驱动控制器,采用TSSOP-16封装,工作温度-40℃~+125℃,内置1MHz的开关频率,专为大电流串联LED照明场景设计,是工业照明、汽车照明领域应用广泛的核心电源管理器件。更多 +

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AH3781-SA-7
产品介绍:AH3781-SA-7是Diodes Incorporated(美台半导体)推出的一款高耐压霍尔效应锁存开关(磁性传感器),采用SOT-23-3微型封装,最大输出电流可达60mA,工作温度-40℃~+125℃,专为工业级、车规级严苛场景设计,是运动控制、传感检测领域的经典通用型磁传感器件。更多 +

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MMSZ5242B-7-F
产品介绍:MMSZ5242B-7-F是由Diodes Incorporated(美台半导体)推出的一款表面贴装型稳压二极管,采用SOD-123表面贴装,电压为12V,额定耗散功率为500mW,专为中小功率电路的精准稳压、过压保护场景设计,是工业、消费电子、汽车电子领域应用非常广泛的通用型分立半导体器件。更多 +

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DMT69M5LFVW-7
产品介绍:DMT69M5LFVW-7是DIODES品牌的60V N沟道MOSFET,采用PowerDI3333-8封装,连续漏极电流最高可达45.4A,在10V驱动电压环境中,导通电阻低至9.5mΩ,能有效降低大电流场景下的导通损耗。广泛应用于工业电源与电机驱动、高效率DC-DC转换器和电动工具与电池管理系统更多 +

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APX809S05-29SA-7
产品介绍:APX809S05-29SA-7是Diodes Incorporated(美台半导体)推出的单通道微功率电源监控复位芯片,SOT-23-3封装,-40℃~125℃工作电压,仅7μA静态功耗,专为微处理器及数字系统提供电源异常防护,避免电压波动引发的系统故障。更多 +

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APT32F1103K8U6
APT32F1103K8U6是APTCHIP爱普特电子推出的一款基于平头哥玄铁32位RISC-V CPU内核开发的32位高性能低成本微控制器,采用QFN32小型化封装,芯片支持1.8V~5.5V超宽工作电压,工作温度范围覆盖-40℃~85℃。目前这款芯片已在智能门锁、温控器、咖啡机、智能控制面板、小型电机驱动等场景实现大规模落地。更多 +

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FGH75T65SHDT-F155
FGH75T65SHDT-F155是onsemi(安森美)出品的一款650V、150A 沟槽型场截止第3代 IGBT晶体管/模块,采用TO-247-3封装,导通损耗约3 mJ,关断损耗约750 μJ,适用于UPS 不间断电源、焊接机、电信电源、储能系统 (ESS)及功率因数校正 (PFC)电路等对低导通和开关损耗有严格要求的高功率应用 。更多 +

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WG82579V,SLHA8
产品介绍: WG82579V,SLHA8是英特尔推出的一款千兆以太网收发器IC,采用QFN-48封装,支持10/100/1000 Mbps速率,接口类型为PCIe,工作电压范围0.99V~3.46V,工作温度0℃~85℃,常被集成在台式机主板中作为千兆网卡主控芯片。更多 +

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FGH75T65SHDTL4
FGHL50T65MQD是安森美(onsemi)推出的FGHL50T65MQD第四代场截止沟槽IGBT,它采用先进的FS4(Field Stop 4)中速IGBT技术,在业界标准的TO-247-3封装内,实现了650V高耐压、50A额定电流、1.45V低饱和压降以及优化的开关损耗平衡,并以175℃高结温能力和正温度系数为高效并联运行提供了可靠保障,广泛应用于新能源发电、不间断电源和工业驱动等领域中。更多 +

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W25Q32JVSSIQ
产品介绍:W25Q32JVSSIQ是华邦电子推出的32Mbit(4MB)串行NOR Flash芯片,采用SOIC-8 208mil标准封装,供电电压覆盖2.7V~3.6V工业级范围。它支持Standard SPI、Dual SPI、Quad SPI三种通信模式,Quad模式下最高时钟频率可达133MHz,连续读取速度能达到66MB/s。芯片待机电流典型值仅1μA,主动读取电流约4mA,常规工业级型号工作温度覆盖-40℃~+85℃,广泛用于智能传感器、低功耗无线终端、智能家居设备等领域。更多 +

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SN74HC138PWR
SN74HC138PWR是德州仪器(Texas Instruments)推出的一款3线至8线解码器/多路信号分离器(3-Line to 8-Line Decoder/Demultiplexer)。它属于TI的HC系列高速CMOS逻辑器件,采用16引脚TSSOP封装(TSSOP-16),2V至6V的宽工作电压范围、低至80μA的超低功耗、15ns的典型传播延迟,以及可驱动多达10个LSTTL负载的强大输出能力,SN74HC138PWR已成为从工业控制到消费电子、从LED显示到服务器系统的通用数字逻辑解决方案。更多 +

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W25Q16RVSSJQ
产品介绍:W25Q16JVSSIQ是华邦电子(Winbond)推出的16M位(2MB)高性能串行SPI NOR Flash存储器,专门针对空间、引脚和功耗受限的嵌入式系统设计,属于华邦经典的25Q系列存储产品,兼具灵活性与高性能优势,在各类中小容量存储场景中得到广泛应用。更多 +

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W25N02KVZEIR
产品介绍:W25N02KVZEIR是华邦电子(Winbond)推出的一款高性能2G位(256MB)SLC QSPI NAND Flash存储芯片,专为空间、引脚与电源资源受限的嵌入式系统设计,完美结合了SPI接口的易用性与传统大容量NAND存储器的存储优势。更多 +
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