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: MMBT2907ALT1G

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: MMBZ5231BLT1G

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: AP7370-50SA-7

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: DMG2302UKQ-7

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: BSS127S-7

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: NX3008PBK,215

产品介绍：NX3008PBK,215 是一款由 Nexperia（安世）生产的采用TrenchMOS技术的小信号P沟道增强型场效应管，采用 SOT-23-3（TO-236AB）小型表面贴装封装，便于在高密度PCB布局中使用，广泛用于电源管理、负载开关、电池保护及电机驱动等电路中，适合对空间和效率有要求的工业与消费类电子设计。
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: BUK7M6R0-40HX

产品介绍：Nexperia（安世）是一家起源于荷兰的半导体公司。是全球领先的分立器件、逻辑器件和MOSFET器件的制造商。主要生产二极管、晶体管、ESD保护器件、逻辑ICs以及MOSFETs等分立和逻辑元件。
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: DMP6110SFDF-13

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: DMP6110SFDF-13

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: DMP10H400SK3-13

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: DMP6180SK3-13

产品介绍：DMP6180SK3-13 是 Diodes Incorporated（美台半导体）公司生产的一款 P沟道增强型功率MOSFET。高效功率开关实现电路的高效通断控制；电源管理在电源系统中进行电能分配和管理；负载驱动直接驱动各种功率负载。
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: NTHD4508NT1G

产品介绍：NTHD4508NT1G: NPN 双极晶体管该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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: SCH1433-TL-H

产品介绍：SCH1433-TL-H: N 沟道增强型场效应晶体管 20V，3.5A，SOT-563-6。此类 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供出色的开关性能。
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: 2N7002K-T1-GE3

产品介绍：Vishay 是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一. Vishay元件用于工业, 计算机, 汽车, 消费, 电信, 军事, 航空及医疗市场的各种类型的电子设备中.Vishay 的全球足迹包括在中国, 亚洲其他五个国家/地区, 欧洲及美洲设立的制造机构, 以及在全球开设的销售办事处. Vishay 在技术, 成功收购战略,注重降低成本, 以及提供“一站式”服务已使该公司成为全球业界的领先者.
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: TK100E08N1,S1X(S

产品介绍：N沟道漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：255W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.2mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@1mA
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[常见问题]使用场效应管应该注意哪些事项2022年09月20日 16:52: 使用场效应管应该注意哪些事项? 深圳市尚想信息技术有限公司小编告诉你使用氖气辉光灯泡时需要注意以下5个事项，请大家一起来看看是哪些。; 阅读（34）标签：

[公司动态]尚想淺析场效应管发热严重的原因2022年09月16日 15:45: 场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET和绝缘栅型场效应三极管IGFET之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET。; 阅读（27）标签：

[常见问题]安森美场效应管有什么特点？2022年07月24日 15:08: 与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。 (1)、场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流); (2)、场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻(107～1012Ω)很大。 (3)、它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好; (4)、它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数; (5)、场效应管的抗辐射能力强; (6)、由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。; 阅读（41）标签：常见问题

[常见问题]场效应管的特点有哪些？2022年07月23日 17:51: 场效应管具有如下特点： (1)、场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流); (2)、场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻(107～1012Ω)很大。 (3)、它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好; (4)、它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数; (5)、场效应管的抗辐射能力强; (6)、由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。; 阅读（22）标签：常见问题

[行业资讯]大功率场效应管2022年06月20日 19:55: 场效应管是20世纪60年代发展起来的一种新型半导体器件，具有输入电阻高（107～1012Ω）、噪声小、功耗低等优点，现已成为双极型晶体管的主流产品之一。; 阅读（23）标签：场效应管

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