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W9825G6KH-6
产品介绍：W9825G6KH-6是Winbond（华邦电子）推出的高速同步同步动态随机存取存储器，这颗经典的SDRAM存储芯片采用16MX16规格，具有256Mbit存储容量、3.3V工作电压以及54引脚的TSOP-II封装，延续了市场成熟的物理尺寸配套，以速度166MHz、访问时间可达5ns的精准时序，为各类基于SDRAM总线的系统提供稳定可靠的运行载体，广泛用于对稳定性与兼容性要求较高的工业及嵌入式系统中。更多 +
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EP4CE6E22C8N
产品介绍： EP4CE6E22C8N是 Intel（原Altera）Cyclone可编程逻辑器件(CPLD/FPGA)，作为Cyclone IV E系列中容量居中的型号，它基于成熟的60nm低功耗工艺，在144引脚EQFP封装内，集成了6,272个逻辑单元（LE）、91个用户I/O、276Kbit嵌入式RAM以及2个可编程PLL，广泛应用于工业控制、消费电子和教育领域。更多 +
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PC28F128J3F75A
产品介绍： PC28F128J3F75A是 Micron（美光科技）推出的一款工业级并行NOR Flash存储器，存储容量128Mb（16MB，×16位宽），工作电压2.7V–3.6V，封装：64-ball BGA工业温度级，适用于高可靠性嵌入式系统，支持高速代码执行与长期数据保存。更多 +
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W25Q64JVSSIM
产品介绍：Winbond（华邦电子）推出的W25Q64JVSSIM串行NOR Flash存储器，正是为满足这一需求而设计。它凭借64Mbit存储容量、133MHz高速四线SPI接口、灵活的4KB扇区架构以及-40°C至85°C的工业级宽温工作范围，在一个紧凑的SOIC-8封装内，广泛应用于嵌入式系统、物联网设备、消费类电子及工业控制等领域。更多 +
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W25N04KVZEIR
产品介绍：Winbond（华邦电子）推出的W25N04KVZEIR 4Gbit SLC SPI NAND Flash存储器，正是为满足这一需求而设计。它凭借4Gbit（512MB）大容量存储、SLC高可靠性架构、104MHz高速四线SPI接口以及-40°C至+85°C的工业级宽温工作范围，采用 SPI/QSPI 接口，专为工业控制、汽车电子、物联网终端和高端消费类电子产品设计。更多 +
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W25Q256JWEIQ
产品介绍：Winbond（华邦电子）推出的W25Q256JWEIQ?256Mbit 串行 NOR Flash-存储器，1.7V ~ 1.95V 的低电压供电、133MHz 高速四线 SPI 接口、256Mbit（32MB）大容量存储和工业级宽温工作范围，在一个紧凑的WSON-8 封装内，广泛用于嵌入式系统中存储固件、代码或关键数据，支持XIP（就地执行），适合对存储容量和读取速度有较高要求的应用场景。更多 +
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TM56M152A-SOP16
产品介绍：TM56M152A-SOP16是Hitenx（海速芯）公司推出的一款基于增强型8051内核的32位微控制器。它采用SOP8/SOP16这种小型封装，在极其有限的物理空间内集成了核心处理能力、存储器和多种常用外设，是一款专为空间和成本敏感型应用设计的高集成度MCU。更多 +
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TM8152-SOP16
产品介绍：TM8152-SOP16是HITENX（海速芯）公司设计的一款基于增强型内核的微控制器MCU。它集成了高性能的CPU内核、丰富的片上外设和存储器，是一款高性价比、低功耗的通用型MCU。更多 +
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TM5864-QFN24-E
产品介绍：TM5864-QFN24-E是HITENX（海速芯）公司设计的一款基于增强型内核的微控制器MCU。它集成了高性能的CPU内核、丰富的片上外设和存储器，是一款高性价比、低功耗的通用型MCU。更多 +
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W25Q128JWSIQ
产品介绍：W25Q128JWSIQ 是华邦（Winbond）推出的一款1.8V 128Mbit 高速串行 NOR Flash 存储器，采用133MHz 四线 SPI 接口和SOIC-8 封装，具备超低功耗、工业级宽温工作范围和高可靠性等特性，是物联网设备、汽车电子、工业控制等低功耗应用的理想存储解决方案。更多 +
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W25Q80DVSSIG
产品介绍：W25Q80DVSSIG是Winbond（华邦电子）推出的一款8Mbit容量（1M x 8bit）的串行SPI NOR Flash闪存芯片。采用SOIC-8封装，工作电压2.7V-3.6V，支持高速读取和块擦除功能它是一款非易失性存储器，主要用于嵌入式系统中存储固件、配置参数、用户数据等关键信息。更多 +
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W25Q32JWSSIQ
产品介绍：W25Q32JWSSIQ 是 Winbond（华邦）推出的一款支持双路、四路 SPI 接口的 1.8V 32Mbit 串行 NOR Flash 存储器，采用133MHz 高速 SPI/四线 SPI 接口，具备低功耗、高可靠性、灵活的存储架构等特性，是工业控制、物联网设备、消费电子等领域中代码存储和数据存储的设计场景。更多 +
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W25X20CLUXIG
产品介绍：Winbond（华邦电子）推出的W25X20CLUXIG 2M-bit 容量的串行NOR Flash 存储器，正是为破解这一困局而生。它采用USON-8（2mm × 3mm）超紧凑封装，在接近芯片级尺寸内实现了104MHz 高速 SPI 读取、<1μA 深度掉电电流和-40°C 至 85°C 的宽温工作范围，广泛应用于对空间、功耗和稳定性要求较高的嵌入式系统中，支持SPI接口通信与XIP（就地执行）功能，适合用于存储启动代码、配置参数或固件数据 。更多 +
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TM56M152A-SOP8
产品介绍：TM56M152A-SOP8是Hitenx（海速芯）公司推出的一款基于增强型8051内核的32位微控制器。它采用SOP8/SOP16这种小型封装，在极其有限的物理空间内集成了核心处理能力、存储器和多种常用外设，是一款专为空间和成本敏感型应用设计的高集成度MCU。更多 +
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TM52F1376-SSOP24
产品介绍：TM52F1376-SSOP24是HITENX（海速芯）公司设计的一款基于增强型8051内核的8位微控制器MCU。它集成了高性能的CPU内核、丰富的片上外设和存储器，是一款高性价比、低功耗的通用型MCU。更多 +
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GD25Q127CSIGR
产品介绍： GD25Q127CSIGR是GigaDevice（兆易创新）公司生产的一款?128M-bit 串行闪存芯片。104MHz时钟频率，四线模式读取速度高达52MB/s，大幅提升系统启动速度和运行效率。128M-bit（16MB）存储容量，满足大多数应用程序的存储需求，支持复杂功能实现。更多 +
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STM32F302K8U6TR
STM8 微控制器规格 核心与架构 核心：16 MHz 高级 STM8 核心，采用哈佛架构和三级流水线。 扩展指令集：提供增强型指令集以提高性能。 存储器 程序存储器：8 K字节闪存存储器，确保在 100 次循环后 55°C 下的数据保留期为 20 年。 RAM：1 K字节数据存储器。 数据 EEPROM：128 字节，可承受高达 100 k 次写入/擦除周期。 时钟、复位和电源管理 工作电压：从 2.95 V 至 5.5 V。 灵活的时钟控制：支持 4 个主时钟源。 电源管理：具有低功耗模式，包括等待、活动停止和停止，并且能够单独关闭外围时钟。 复位机制：包括永久激活的、低功耗的上电复位和掉电复位机制。 中断管理 嵌套中断控制器：带有 32 个中断，支持多达 27 个外部中断在 6 个向量上。 定时器更多 +
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STM32G474VCT6
STM8 微控制器规格 核心与架构 核心：16 MHz 高级 STM8 核心，采用哈佛架构和三级流水线。 扩展指令集：提供增强型指令集以提高性能。 存储器 程序存储器：8 K字节闪存存储器，确保在 100 次循环后 55°C 下的数据保留期为 20 年。 RAM：1 K字节数据存储器。 数据 EEPROM：128 字节，可承受高达 100 k 次写入/擦除周期。 时钟、复位和电源管理 工作电压：从 2.95 V 至 5.5 V。 灵活的时钟控制：支持 4 个主时钟源。 电源管理：具有低功耗模式，包括等待、活动停止和停止，并且能够单独关闭外围时钟。 复位机制：包括永久激活的、低功耗的上电复位和掉电复位机制。 中断管理 嵌套中断控制器：带有 32 个中断，支持多达 27 个外部中断在 6 个向量上。 定时器更多 +
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GD25Q127CSIG
产品介绍： 兆易创新的Serial Flash GD25Q127CSIG 具有128M-bit串行闪存,标准和双SPI快速读取30PF负载速度达到104MHz。智能家庭网关系统供电电压为3.3V，GD25Q127CSIG的工作电压范围是2.7V-3.6V，工作电压符合。系统采用电源适配器供电，在功耗上要求不高更多 +
- [行业资讯]尚想全新GD5F1GM7UEWIGR 1Gbit SPI NAND Flash GD兆易创新 嵌入式存储芯片IC2026年05月11日 10:51
- GD5F1GM7UEWIGR是GigaDevice（兆易创新）推出的 SPI NAND Flash存储器，它基于SLC（Single-Level Cell）NAND Flash核心，采用业界标准的 ?DTR/Dual/Quad SPI 串行接口，在紧凑的WSON-8（6×8mm）封装内，实现了1Gbit（128MB）的海量存储容量、高达133MHz的高速读写与内置硬件ECC纠错模块等特性，为系统设计工程师提供了大容量、高可靠性且极其易用的存储解决方案。
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