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A1153LLHLX-T
产品介绍：Allegro MicroSystems, LLC. 是开发、制造和销售高性能电源与霍尔效应传感器集成电路的行业领导者。Allegro 的创新解决方案服务于汽车市场中的各种高速增长应用。此外，还致力于提供办公自动化、工业和消费类/通信解决方案。Allegro 总部位于美国麻萨诸塞州伍斯特市，在世界各地设有设计、应用和销售支持中心。更多 +
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STM32F302K8U6TR
STM8 微控制器规格 核心与架构 核心：16 MHz 高级 STM8 核心，采用哈佛架构和三级流水线。 扩展指令集：提供增强型指令集以提高性能。 存储器 程序存储器：8 K字节闪存存储器，确保在 100 次循环后 55°C 下的数据保留期为 20 年。 RAM：1 K字节数据存储器。 数据 EEPROM：128 字节，可承受高达 100 k 次写入/擦除周期。 时钟、复位和电源管理 工作电压：从 2.95 V 至 5.5 V。 灵活的时钟控制：支持 4 个主时钟源。 电源管理：具有低功耗模式，包括等待、活动停止和停止，并且能够单独关闭外围时钟。 复位机制：包括永久激活的、低功耗的上电复位和掉电复位机制。 中断管理 嵌套中断控制器：带有 32 个中断，支持多达 27 个外部中断在 6 个向量上。 定时器更多 +
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STM32G474VCT6
STM8 微控制器规格 核心与架构 核心：16 MHz 高级 STM8 核心，采用哈佛架构和三级流水线。 扩展指令集：提供增强型指令集以提高性能。 存储器 程序存储器：8 K字节闪存存储器，确保在 100 次循环后 55°C 下的数据保留期为 20 年。 RAM：1 K字节数据存储器。 数据 EEPROM：128 字节，可承受高达 100 k 次写入/擦除周期。 时钟、复位和电源管理 工作电压：从 2.95 V 至 5.5 V。 灵活的时钟控制：支持 4 个主时钟源。 电源管理：具有低功耗模式，包括等待、活动停止和停止，并且能够单独关闭外围时钟。 复位机制：包括永久激活的、低功耗的上电复位和掉电复位机制。 中断管理 嵌套中断控制器：带有 32 个中断，支持多达 27 个外部中断在 6 个向量上。 定时器更多 +
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A1363LLUTR-1-T
产品介绍：Allegro MicroSystems磁性开关和闩锁ic为优化电机控制提供出色的抖动性能。磁性开关和闩锁ic采用垂直霍尔技术，能够经受最恶劣的汽车电压瞬变。此外，开关和闩锁是根据ISO 26262标准开发的。 Allegro MicroSystems磁性开关和锁存器ic提供广泛的连续时间开关和锁存器产品组合，包括:霍尔效应锁存器和双极开关，高性能磁性闩锁以极具竞争力的价格为用户提供出色的抖动性能、EMC/ESD鲁棒性和磁性精度。双霍尔效应闩锁，Allegro的垂直霍尔(AVHT)感测解决方案革新了电机和编码器，提供独立于磁体间距或气隙的正交信号。霍尔效应开关，原始设备制造商和一级供应商从我们广泛的霍尔效应开关产品组合中进行选择，用于安全带扣环、座椅导轨、换档选择器、车门微开等应用。 微功率霍尔效应开关，借助这些集成霍尔效应传感器IC，延长电池供电设备的使用寿命。这些开关具有低功耗特性，非常适合开关应用和检测电表篡改。更多 +
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A1203LLHLT-T
产品介绍：Allegro MicroSystems磁性开关和闩锁ic为优化电机控制提供出色的抖动性能。磁性开关和闩锁ic采用垂直霍尔技术，能够经受最恶劣的汽车电压瞬变。此外，开关和闩锁是根据ISO 26262标准开发的。 Allegro MicroSystems磁性开关和锁存器ic提供广泛的连续时间开关和锁存器产品组合，包括:霍尔效应锁存器和双极开关，高性能磁性闩锁以极具竞争力的价格为用户提供出色的抖动性能、EMC/ESD鲁棒性和磁性精度。双霍尔效应闩锁，Allegro的垂直霍尔(AVHT)感测解决方案革新了电机和编码器，提供独立于磁体间距或气隙的正交信号。霍尔效应开关，原始设备制造商和一级供应商从我们广泛的霍尔效应开关产品组合中进行选择，用于安全带扣环、座椅导轨、换档选择器、车门微开等应用。 微功率霍尔效应开关，借助这些集成霍尔效应传感器IC，延长电池供电设备的使用寿命。这些开关具有低功耗特性，非常适合开关应用和检测电表篡改。更多 +
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SC4541SKTRT
产品介绍： SC189 是一款高效率、同步降压稳压器，采用超小型 2mm x 2mm 薄型封装或低成本 SOT23-5 封装，可提供高达 1.5A 的输出电流。更多 +
- [行业资讯]全新W25Q64JVSSIM 64Mb SPI NOR Flash闪存芯片，Winbond华邦工业级存储IC2026年06月05日 14:06
- W25Q64JVSSIM是Winbond（华邦电子）推出的64Mbit串行NOR闪存芯片，它凭借133MHz四线SPI高速接口、64Mbit（8MB）存储容量、10μA超低待机功耗和-40°C至+85°C工业宽温范围，在一个紧凑的SOIC-8-208mil封装内，为您提供一个兼顾高性能、高可靠性与高性价比的理想代码存储方案。
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- K4F6E3S4HM-TFCL是Samsung（三星半导体）推出的?16Gb LPDDR4X宽温级内存芯片，它基于三星先进堆叠封装和低功耗工艺，在紧凑的200-ball FBGA（10mm × 14.5mm）封装内，集成了16Gb（2GB）存储容量、4266 Mbps的数据传输速率、x32位数据总线宽度以及-40℃至95℃的超宽工业级工作温度范围，同时以宽温区全速稳定运行和超低功耗为高可靠车载、5G通信、边缘AI等对性能、功耗和环境适应性有苛刻要求的应用，提供了兼具高带宽、超低功耗与宽温可靠性的理想内存芯动力。
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