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FGH75T65SHDT-F155
FGH75T65SHDT-F155是onsemi（安森美）出品的一款650V、150A 沟槽型场截止第3代 IGBT晶体管/模块，采用TO-247-3封装，导通损耗约3 mJ，关断损耗约750 μJ，适用于UPS 不间断电源、焊接机、电信电源、储能系统 (ESS)及功率因数校正 (PFC)电路等对低导通和开关损耗有严格要求的高功率应用 。更多 +
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FGH75T65SHDTL4
FGHL50T65MQD是安森美（onsemi）推出的FGHL50T65MQD第四代场截止沟槽IGBT，它采用先进的FS4（Field Stop 4）中速IGBT技术，在业界标准的TO-247-3封装内，实现了650V高耐压、50A额定电流、1.45V低饱和压降以及优化的开关损耗平衡，并以175℃高结温能力和正温度系数为高效并联运行提供了可靠保障，广泛应用于新能源发电、不间断电源和工业驱动等领域中。更多 +
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FGHL50T65MQD
FGHL50T65MQD是安森美（onsemi）推出的FGHL50T65MQD第四代场截止沟槽IGBT，它采用先进的FS4（Field Stop 4）中速IGBT技术，在业界标准的TO-247-3封装内，实现了650V高耐压、50A额定电流、1.45V低饱和压降以及优化的开关损耗平衡，并以175℃高结温能力和正温度系数为高效并联运行提供了可靠保障，广泛应用于新能源发电、不间断电源和工业驱动等领域中。更多 +
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FOD3120SDV
FOD3120SDV是全球半导体厂商安森美（onsemi）推出的一款高性能逻辑输出栅极驱动光耦合器，属于安森美高抗噪栅极驱动光耦系列，专为功率半导体开关驱动场景设计，目前广泛应用于工业自动化、新能源发电、电力电子等领域。更多 +
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MMBD7000LT1G
产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss） 和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +
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MMBZ5232BLT1G
产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss） 和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +
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MC74VHC1G08DTT1G
产品介绍：MC74VHC1G08DTT1G是ON Semiconductor（安森美半导体）推出的?高速 CMOS 2 输入与门，正是为满足这一需求而设计。作为业界领先的 74VHC（超高速 CMOS）系列的核心成员，它采用先进的硅栅 CMOS 技术，在紧凑的?5-TSOP（SOT-23-5）表面贴装封装内，实现了2.0V 至 5.5V 的宽工作电压范围、7.9ns 的高速传播延迟以及1μA 的超低静态功耗，为从移动消费电子到工业控制信号链的各类应用提供了高性价比、高通用性的逻辑处理方案，主要用于数字电路逻辑运算，兼具高速性能与低功耗优势。更多 +
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NCP1340B3D1R2G
产品介绍：NCP1340B3D1R2G是onsemi（安森美半导体）推出的高度集成准谐振反激控制器,在紧凑的SOIC-9封装内,集成了700V高压启动电路、有源X2电容放电、-500mA/+800mA大电流驱动能力以及可配置过功率保护（OPP）,以高频QR工作模式实现空载功耗低于30mW、满载效率超94%的优异性能,为新一代高密度USB-PD快充、LED照明驱动及工业电源提供了兼具高效率、超低待机与高可靠性的理想AC-DC控制解决方案,适用于高效率、低待机功耗的AC-DC电源应用。更多 +
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MMBT4401LT1G
产品介绍：MMBT2222AL: NPN 双极晶体管 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。更多 +
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MMBT2222ATT1G
产品介绍：MMBT2222ATT1G是安森美半导体（ON Semiconductor）推出的通用型NPN双极结型晶体管（BJT），采用SOT-23-3贴片封装，具有高电流增益、低饱和压降特性，专为小信号放大与开关控制设计。更多 +
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MMSZ5258BT1G
产品介绍：三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。 这些器件为无引线 34 封装样式提供了方便的替代方案。更多 +
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MMBT2907ALT1G
产品介绍：MMBT2907ALT1G是一款由安森美（onsemi）生产的 PNP型通用双极结型晶体管（BJT），采用行业标准的SOT-23封装，凭借60V的较高耐压、600mA的电流能力以及200MHz的较高特征频率，便于高密度PCB布局，广泛应用于开关和放大电路中，尤其适合便携式电子设备、电源管理及工业控制等低功耗表面贴装场景 。更多 +
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MMBZ5231BLT1G
产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss） 和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +
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MMSZ5231BT1G
产品介绍：MMSZ5231BT1G是一款由安森美（onsemi）生产的 5.1V 表面贴装稳压二极管（齐纳二极管），采用SOD-123封装，标称齐纳电压为5.1V。它凭借17Ω的低齐纳阻抗、Class 3（>16kV）的ESD防护等级以及-55°C至+150°C的宽工作温度范围，广泛应用于电压基准、过压保护和电源管理电路中，特别适合高密度PCB布局的消费电子、工业控制及汽车电子场景 。更多 +
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MC33072DR2G
产品介绍：MC33072DR2G 是ON安森美 一款运算放大器，4.5MHz的宽带宽、13V/μs的高压摆率和3V至44V的宽电源电压范围，在PLC、工业电源、电机驱动器中用于信号放大、滤波及传感器信号调理。其宽电源电压范围和稳健的设计，能适应嘈杂的工业环境。更多 +
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FFD08S60S-F085
产品介绍：FFD08S60S-F085是安森美(onsemi)推出的一款Stealth? II系列超快软恢复整流二极管，特别适合要求高效率、低噪声的开关电源应用。更多 +
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PCA9535ECDWR2G
产品介绍：PCA9535ECDWR2G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款16位I/O扩展器。它属于接口芯片类别，具体功能是通过I2C总线为微控制器（MCU）提供额外的通用输入/输出（GPIO）端口。更多 +
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