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DGD05473FNQ-7
产品介绍：DGD05473FNQ-7 是 Diodes（美台）的高频半桥栅极驱动器，以半桥方式同时控制高侧和低侧驱动两个 N 沟道 MOSFET ，工作电压约 4.7V 至 14V，工作温度约 -40℃至 +125℃，封装DFN-10。适合汽车和工业电源、电机驱动等场景。更多 +
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DMT47M2SFVWQ-7
产品介绍：DMT47M2SFVWQ-7 是 Diodes 一款汽车级 N 沟道 MOSFET，耐压 40V，连续电流约 15.4A（环境）至 49.1A（壳温），导通电阻约 7.5mΩ，采用 PowerDI3333-8(SWP)UX 封装，适合汽车和功率开关应用。更多 +
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DMTH43M8LFGQ-7
产品介绍：DMTH43M8LFGQ-7 是 Diodes车规级 N 沟道 MOSFET，耐压 40V，最大导通电阻 3mΩ，采用 PowerDI3333-8 封装。它属于 DMTH43M8LFGQ 系列，耐压（VDS）40V，连续漏极电流（ID）100A @ TC=25°C（壳温），85A @ TC=100°C，常用于汽车电子、电机控制和 DC-DC 转换器。更多 +
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KSC5502DTM
产品介绍：AOD409 是AOS（Alpha & Omega Semiconductors，美国万代半导体）推出的P沟道功率MOSFET。它基于AOS先进的沟槽MOSFET工艺技术，在紧凑的DPAK（TO-252）表面贴装封装内，集成了60V的漏源击穿电压和-26A的连续漏极电流能力，凭借40mΩ（@-10V）的低导通电阻和60W的高功率耗散能力，为需要高压侧负载开关和电源管理的系统设计提供了性能突出、性价比优异的解决方案。更多 +
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FOD3150ASD
产品介绍：FOD3150ASD onsemi安森美单通道高速栅极驱动光耦，专为驱动IGBT和功率MOSFET设计，具备5000Vrms的高隔离耐压。峰值输出电流?3A，连续输出电流2.5A，共模瞬态抗扰度CMTI?最高50kV/μs，封装?SOP-8，广泛用于工业电机控制逆变器、高性能开关电源、光伏逆变器、伺服驱动器、UPS不间断电源等需要强隔离、高抗扰的功率驱动场景。更多 +
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UC3843BD1R2G
产品介绍：UC3843BD1R2G onsemi安森美电流模式PWM控制器，专为反激、Boost拓扑优化，SOIC-8标准表贴封装，供电电压范围7.6V~30V，内置1A峰值图腾柱输出驱动能力，可直接驱动中功率MOSFET，工业级工作温度范围0℃~+70℃，广泛用于工业与消费场景。更多 +
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LM2574MX-ADJ/NOPB
产品介绍：LM2574MX-ADJ/NOPB 属于 TI SIMPLE SWITCHER 系列**单片降压（Buck）开关稳压器，可调输出版，SOIC-14（NPA）贴片封装，最大输出电流0.5A，工作温度-40℃ ～ +125℃，封装SOIC-14，用来替代传统三端线性 LDO，适合中小电流工业、仪表、车载辅助电源设计更多 +
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1N5819HW-7-F
产品介绍：1N5819HW-7-F是DIODES(美台)一款面向表面贴装场景设计的肖特基势垒整流二极管，它采用SOD-123紧凑型贴片封装，整体尺寸仅2.85mm×1.7mm×1.25mm，外壳为UL94V-0阻燃等级的模塑塑料，工作温度覆盖-65℃~125℃。其反向恢复时间低于100ns，属于快恢复型肖特基二极管，适配高频开关电源、电机驱动续流、低压整流等场景，在电源、电机驱动等领域得到广泛应用。更多 +
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88SA8052A1-NNC2C000
产品介绍：88SA8052A1-NNC2C000是Marvell（美满科技）推出的一款高性能专用电子元器件，该芯片采用QFN64封装，外形尺寸为4.3mm×4.5mm×1.9mm，适配紧凑化的硬件设计需求，工作温度覆盖-30℃至130℃的宽温区间，电源电压支持2.5V至7.5V的宽范围输入，芯片依托Marvell成熟的DSP与混合信号IP技术打造，完美兼容ARM指令集，在低功耗运行与集成度表现上具备行业领先优势，可适配工业级、消费级等多场景的供电环境。更多 +
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CD4081BM96
CD4081BM96是TI推出的4000B系列CMOS四2输入与门，采用SOIC-14表贴封装，供电范围3V-18V，适配多类电源场景。它传播延迟短、静态功耗低，抗干扰能力强，引脚布局符合行业标准，设计焊接门槛低。核心应用覆盖数字逻辑运算、工业控制信号处理、消费电子数据校验、仪器仪表逻辑触发等场景，是工业、民用数字电路设计中通用度极高的基础逻辑器件。更多 +
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LMR33620ADDAR
产品介绍：LMR33620ADDAR是德州仪器（TI）推出的2A同步降压DC-DC电源芯片,输出电压范围1V~24V，最大输出电流2A，开关频率，400kHz，具备超低EMI特性，封装SOIC-8-EP，工作温度区间-40℃~125℃。更多 +
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BYC15-1200P
BYC15-1200P是瑞能半导体（WeEn Semiconductors）推出的一款超高速功率二极管（Hyperfast Power Diode），属于BYC15系列产品线。该器件采用瑞能EEPP（Efficiency Enhanced Pt Planar）平面钝化工艺制造，在TO-220AC两引脚塑料封装内集成了高性能单二极管，以通孔方式安装。更多 +
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BYC30-1200P
瑞能半导体（WeEn Semiconductors）BYC30-1200P超高速功率二极管（Hyperfast Power Diode）。它采用瑞能的EEPP（Efficiency Enhanced Pt Planar）平面钝化工艺，在TO-220AC标准封装内实现了1200V反向耐压、30A平均整流电流、65ns反向恢复时间的卓越性能组合。凭借软恢复特性、175℃高工作结温、300A浪涌承受能力以及低反向漏电流，BYC30-1200P为各类高可靠性、高能效的电力电子应用提供了一套高性能、高性价比的二极管解决方案。更多 +
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BT155W-1200TQ
BT155W-1200TQ是瑞能半导体（WeEn Semiconductors） 推出的一款平面钝化硅控整流器（SCR）晶闸管，采用TO-247塑 料封装，专为需要极高浪涌电流承受能力和高热循环性能的应用而设计。更多 +
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ZXLD1370EST16TC
产品介绍：ZXLD1370EST16TC是Diodes（美台半导体）推出的高性能多拓扑LED驱动控制器，采用TSSOP-16封装，工作温度-40℃~+125℃，内置1MHz的开关频率，专为大电流串联LED照明场景设计，是工业照明、汽车照明领域应用广泛的核心电源管理器件。更多 +
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AH3781-SA-7
产品介绍：AH3781-SA-7是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款高耐压霍尔效应锁存开关（磁性传感器），采用SOT-23-3微型封装，最大输出电流可达60mA，工作温度-40℃~+125℃，专为工业级、车规级严苛场景设计，是运动控制、传感检测领域的经典通用型磁传感器件。更多 +
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DMT69M5LFVW-7
产品介绍：DMT69M5LFVW-7是DIODES品牌的60V N沟道MOSFET，采用PowerDI3333-8封装，连续漏极电流最高可达45.4A，在10V驱动电压环境中，导通电阻低至9.5mΩ，能有效降低大电流场景下的导通损耗。广泛应用于工业电源与电机驱动、高效率DC-DC转换器和电动工具与电池管理系统更多 +
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APX809S05-29SA-7
产品介绍：APX809S05-29SA-7是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的单通道微功率电源监控复位芯片，SOT-23-3封装，-40℃~125℃工作电压，仅7μA静态功耗，专为微处理器及数字系统提供电源异常防护，避免电压波动引发的系统故障。更多 +
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APT32F1103K8U6
APT32F1103K8U6是APTCHIP爱普特电子推出的一款基于平头哥玄铁32位RISC-V CPU内核开发的32位高性能低成本微控制器，采用QFN32小型化封装，芯片支持1.8V~5.5V超宽工作电压，工作温度范围覆盖-40℃~85℃。目前这款芯片已在智能门锁、温控器、咖啡机、智能控制面板、小型电机驱动等场景实现大规模落地。更多 +
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