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FOD3150ASD
产品介绍：FOD3150ASD onsemi安森美单通道高速栅极驱动光耦，专为驱动IGBT和功率MOSFET设计，具备5000Vrms的高隔离耐压。峰值输出电流?3A，连续输出电流2.5A，共模瞬态抗扰度CMTI?最高50kV/μs，封装?SOP-8，广泛用于工业电机控制逆变器、高性能开关电源、光伏逆变器、伺服驱动器、UPS不间断电源等需要强隔离、高抗扰的功率驱动场景。更多 +
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KGF40N65KDC-U/P
KGF40N65KDC-U/P 是韩国 KEC开益禧（KEC Semicon）推出的一款650V/40A 沟槽栅场截止型（Trench Field Stop）IGBT（绝缘栅双极型晶体管）工业级，采用 TO-247 封装，电压/电流等级：650V / 80A，具备低导通压降、高速开关、强短路耐受能力等特点，是工业电机驱动、逆变电源、UPS 等中大功率应用。更多 +
- [公司动态]DMT47M2SFVWQ-7：DIODES车规级N沟道MOSFET功率开关二极管，工业电机驱动芯片2026年10月16日 16:54
- 在汽车电子、工业电源、电机驱动等场景中，功率MOSFET的导通损耗、散热性能与长期可靠性，直接决定了整个动力回路的运行效率与使用寿命。DMT47M2SFVWQ-7作为DIODES（美台半导体）推出的AEC-Q101认证车规级N沟道MOSFET，凭借40V耐压、49.1A（Tc）连续漏极电流、PowerDI3333-8带侧可焊封装的核心特性，在高功率密度设计场景中。
- 阅读（1035）
- [公司动态]Sillumin数明 SiLM27212EK-DG：高压门极MOSFET 驱动器，新能源工业电机驱动芯片管理2026年10月14日 11:27
- 在半桥、全桥、双管正激等高频电源拓扑，门极驱动芯片的性能直接决定了系统的效率、稳定性。SiLM27212EK-DG 作为数明半导体推出的高性能高低边 MOSFET 驱动器，以270V耐压、内置自举二极管、纳秒级延迟匹配的核心特性，为工业电源、电机驱动、新能源等场景提供了更简洁可靠的驱动解决方案。
- 阅读（1029）
- [公司动态]A3938SLDTR-T Allegro电机预驱动器+高精度控制 汽车级电机控制引擎！2025年07月04日 16:54
- A3938SLDTR-T是Allegro MicroSystems推出的三相无刷直流（BLDC）电机预驱动器，集成MOSFET栅极驱动和电流检测功能，专为12V~60V工业电机系统设计，适用于高精度速度控制场景。
- 阅读（136）
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