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LSM6DSVDTR
产品介绍：LSM6DSVDTR是STMicroelectronics（意法半导体）推出的高端6轴惯性测量单元（IMU），它基于ST先进的iNEMO系统级封装（SiP）技术，在紧凑的LGA-14（2.5mm×3mm×0.83mm）封装内，集成了3轴数字加速度计和3轴数字陀螺仪，并采用业界领先的三通道架构（UI、OIS、EIS分离处理），以仅0.65mA的组合高性能模式功耗提供了±4000dps的超宽陀螺仪量程和低至2.6μA的待机电流，为AR/VR头显、TWS耳机、智能手机OIS防抖以及各类智能穿戴设备提供了兼顾超低功耗与高精度运动追踪的理想惯性传感解决方案。更多 +
- [公司动态]STM32WLE5JCI6TR ST意法半导体单片机MCU+外置LoRa射频芯片，低功耗广域网高性能SoC方案2026年10月14日 09:48
- STM32WLE5JCI6TR 是 ST 意法半导体集成 LoRa 射频与 Cortex-M4 内核的单芯片无线 SoC，核心亮点为150MHz~960MHz 超宽频段、-148dBm 超高灵敏度、+22dBm 发射功率、单芯片集成省去外置射频、低功耗长续航、ST 成熟 LoRaWAN 生态；广泛应用于智能表计、工业物联网、资产追踪、智慧农业、智慧城市等领域，是低功耗广域网终端单芯片解决方案的高性能 SoC。
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- [公司动态]ST意法半导体STM32G474VCT6微控制器IC,硬件加速引擎170MHz 256KB闪存LQFP-1002026年09月20日 10:50
- STM32G474VCT6基于Arm Cortex-M4内核，主频拉到170MHz，带单精度FPU和完整DSP指令集，CoreMark跑分550，在主流MCU里属于第一梯队的水平。但如果只是堆主频，那和上一代产品就没有本质区别。G474真正的突破，在于它内置了三个协同工作的硬件加速引擎。
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- [行业资讯]全新LSM6DSVDTR姿态传感器/陀螺仪高端IMU ST意法半导体 集成电路IC芯片2026年06月08日 17:09
- LSM6DSVDTR是STMicroelectronics（意法半导体）推出的高端6轴惯性测量单元（IMU），它基于ST先进的iNEMO系统级封装（SiP）技术，在紧凑的LGA-14（2.5mm×3mm×0.83mm）封装内，集成了3轴数字加速度计和3轴数字陀螺仪，并采用业界领先的三通道架构（UI、OIS、EIS分离处理），以仅0.65mA的组合高性能模式功耗提供了±4000dps的超宽陀螺仪量程和低至2.6μA的待机电流，为AR/VR头显、TWS耳机、智能手机OIS防抖以及各类智能穿戴设备提供了兼顾超低功耗与高精度运动追踪的理想惯性传感解决方案。
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- [行业资讯]全新RHRG75120 75A 1200V 软恢复二极管 onsemi（安森美）开关电源芯片IC2026年06月03日 17:59
- STTH212U是意法半导体（STMicroelectronics）推出的1200V 2A 超快恢复二极管，它采用ST独有的超快高压平面技术，在紧凑的SMB（DO-214AA）表面贴装封装内，实现了1200V高反向耐压、2A连续正向电流、仅75ns的超快反向恢复时间以及40A的高浪涌电流承受能力，并以低正向压降、软开关特性降低EMI干扰等综合优势，为高开关频率下的电源转换系统提供了兼具高效率、高可靠性与小尺寸的理想整流解决方案。
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- [行业资讯]全新STTH212U 1200V 2A 超快恢复二极管ST意法半导体 电源芯片IC2026年06月03日 17:36
- STTH212U是意法半导体（STMicroelectronics）推出的1200V 2A 超快恢复二极管，它采用ST独有的超快高压平面技术，在紧凑的SMB（DO-214AA）表面贴装封装内，实现了1200V高反向耐压、2A连续正向电流、仅75ns的超快反向恢复时间以及40A的高浪涌电流承受能力，并以低正向压降、软开关特性降低EMI干扰等综合优势，为高开关频率下的电源转换系统提供了兼具高效率、高可靠性与小尺寸的理想整流解决方案。
- 阅读（963）
- [行业资讯]意法半导体公布2020年第四季度初步营收2021年01月23日 13:36
- 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体于日前宣布，截至2020年12月31日第四季度未经审计的净营收初步数据高于公司2020年10月新闻稿中的业务前景预期。 2020年第四季度初步净营收32.4亿美元，环比增长21.3%，超预期最高值580个基点。此前预测2020年第四季度净营收29.9亿美元，环比增长12.0%，上下浮动350个基点。 意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示：“我们以超预期的净营收告别了第四季度，因为整个季
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