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FGHL50T65MQD
FGHL50T65MQD是安森美（onsemi）推出的FGHL50T65MQD第四代场截止沟槽IGBT，它采用先进的FS4（Field Stop 4）中速IGBT技术，在业界标准的TO-247-3封装内，实现了650V高耐压、50A额定电流、1.45V低饱和压降以及优化的开关损耗平衡，并以175℃高结温能力和正温度系数为高效并联运行提供了可靠保障，广泛应用于新能源发电、不间断电源和工业驱动等领域中。更多 +
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M28W320FCT70N6E
产品介绍：M28W320FCT70N6E是美光Micron推出的 32Mbit 3V并行NOR闪存，它基于成熟的NOR Flash技术，在业界标准的48-TSOP封装内，实现了32Mbit（4MB）存储容量、2M×16位组织架构、70ns快速访问时间以及-40°C至+85°C的工业级宽温工作范围，并以10μs页编程时间、100,000次擦写寿命和20年数据保存期为工业控制、汽车电子和通信设备等应用提供了兼具高性能、高可靠性与长期稳定供货的理想代码存储解决方案。更多 +
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W25X10CLSNIG
产品介绍：W25X20CLSNIG 是华邦电子生产的一款 2Mbit 串行闪存芯片，采用 SOIC-8 封装，支持 SPI 接口，广泛用于存储代码、语音和数据更多 +
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MMBD7000LT1G
产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss） 和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +
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MMBZ5232BLT1G
产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss） 和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +
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NCP1340B3D1R2G
产品介绍：NCP1340B3D1R2G是onsemi（安森美半导体）推出的高度集成准谐振反激控制器,在紧凑的SOIC-9封装内,集成了700V高压启动电路、有源X2电容放电、-500mA/+800mA大电流驱动能力以及可配置过功率保护（OPP）,以高频QR工作模式实现空载功耗低于30mW、满载效率超94%的优异性能,为新一代高密度USB-PD快充、LED照明驱动及工业电源提供了兼具高效率、超低待机与高可靠性的理想AC-DC控制解决方案,适用于高效率、低待机功耗的AC-DC电源应用。更多 +
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CLA80E1200HF
CLA80E1200HF是Littelfuse旗下IXYS Corporation推出的High Efficiency SCR（Silicon Controlled Rectifier，可控硅整流器），正是为满足这一严苛需求而设计。作为IXYS高效率晶闸管系列的明星型号，它采用PLUS247-3通孔封装，在紧凑的尺寸内实现了1200V高阻断电压、80A平均通态电流以及970A浪涌承受能力，广泛应用于工业电源、电机控制和功率调节系统中。更多 +
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EP4CE6E22C8N
产品介绍： EP4CE6E22C8N是 Intel（原Altera）Cyclone可编程逻辑器件(CPLD/FPGA)，作为Cyclone IV E系列中容量居中的型号，它基于成熟的60nm低功耗工艺，在144引脚EQFP封装内，集成了6,272个逻辑单元（LE）、91个用户I/O、276Kbit嵌入式RAM以及2个可编程PLL，广泛应用于工业控制、消费电子和教育领域。更多 +
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PC28F128J3F75A
产品介绍： PC28F128J3F75A是 Micron（美光科技）推出的一款工业级并行NOR Flash存储器，存储容量128Mb（16MB，×16位宽），工作电压2.7V–3.6V，封装：64-ball BGA工业温度级，适用于高可靠性嵌入式系统，支持高速代码执行与长期数据保存。更多 +
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KGF40N65KDC-U/P
KGF40N65KDC-U/P 是韩国 KEC开益禧（KEC Semicon）推出的一款650V/40A 沟槽栅场截止型（Trench Field Stop）IGBT（绝缘栅双极型晶体管）工业级，采用 TO-247 封装，电压/电流等级：650V / 80A，具备低导通压降、高速开关、强短路耐受能力等特点，是工业电机驱动、逆变电源、UPS 等中大功率应用。更多 +
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MMBZ5231BLT1G
产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss） 和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +
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AP7370-50SA-7
产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss） 和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +
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DMG2302UKQ-7
产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss） 和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +
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W25X20CLSNIG
产品介绍：W25X20CLSNIG 是华邦电子生产的一款 2Mbit 串行闪存芯片，采用 SOIC-8 封装，支持 SPI 接口，广泛用于存储代码、语音和数据更多 +
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W25X20CLUXIG
产品介绍：Winbond（华邦电子）推出的W25X20CLUXIG 2M-bit 容量的串行NOR Flash 存储器，正是为破解这一困局而生。它采用USON-8（2mm × 3mm）超紧凑封装，在接近芯片级尺寸内实现了104MHz 高速 SPI 读取、<1μA 深度掉电电流和-40°C 至 85°C 的宽温工作范围，广泛应用于对空间、功耗和稳定性要求较高的嵌入式系统中，支持SPI接口通信与XIP（就地执行）功能，适合用于存储启动代码、配置参数或固件数据 。更多 +
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W25X40CLSNIG
产品介绍： Winbond（华邦）的 W25X40CLSNIG，它是一款串行闪存（Flash）存储芯片，其核心功能是数据存储，而不是电容。电容的核心功能通常是滤波、耦合或储能。更多 +
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LTSA-E351CEGBW
产品介绍：LTSA-E351CEGBW发光二极管TVS/LED指示灯 LITEON光宝 电子元器件芯片，模块内部集成了稳压电路，只需4V直流输入。通过TTL接口，用户可以直接用数字信号控制光源的开关（EN）和进行0-100%的无级亮度调节（ADJ），极易与单片机、PLC集成。更多 +
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TAU804M-F2B0
产品介绍：TAU804M-F2B0是华大北斗（HDSC）推出的?工业级双频北斗定位模块,支持北斗三号B1I+B2a双频点?定位,通过双频信号消除电离层误差,实现亚米级（0.5-1米）高精度定位,是自动驾驶、精准农业等专业领域的核心定位解决方案。更多 +
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ADM7150ARDZ-5.0-R7
产品介绍：ADM7150ARDZ-5.0-R7是 (ADI亚德诺)公司生产的一款超低噪声、高电源抑制比(PSRR)、大电流输出、低压差线性稳压器。射频(RF)与微波通信：为5G基站、蜂窝收发器、Wi-Fi/蓝牙模块中的压控振荡器(VCO)、锁相环(PLL)、低噪声放大器(LNA)和混频器供电。更多 +
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- 9全新BSS127S-7 600V高压SOT-23小信号MOSFET场效应管 DIODES美台，开关电源芯片IC
- 10全新LSM6DSVDTR姿态传感器/陀螺仪高端IMU ST意法半导体 集成电路IC芯片
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