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: MC33072DR2G

产品介绍：MC33072DR2G 是ON安森美一款运算放大器，4.5MHz的宽带宽、13V/μs的高压摆率和3V至44V的宽电源电压范围，在PLC、工业电源、电机驱动器中用于信号放大、滤波及传感器信号调理。其宽电源电压范围和稳健的设计，能适应嘈杂的工业环境。
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: HIP4082IBZ

产品介绍：HIP4082IBZT是Renesas（瑞萨电子）推出的高频半桥/全桥MOSFET驱动器，采用SOIC-16封装，专为大功率H桥电机驱动和DC-DC转换设计，支持100V高压和2A峰值驱动电流。
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: IRFBG30PBF

IRFBG30PBF是Vishay威世推出的600V/30A N沟道功率MOSFET，采用第五代TrenchFET技术，专为开关电源、电机驱动、新能源逆变器等高功率场景设计。以85mΩ超低导通电阻和超快反向恢复，成为高效能电源系统的“能效引擎”！
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: VS-E5PH6006L-N3

产品介绍：VS-E5PH6006L-N3是Vishay（威世）推出的一款600V/5A 超快恢复整流二极管（Ultra-Fast Recovery Diode），属于?高效能功率电子元件，主要用于高频开关电源、逆变器、电机驱动等需要快速开关和低损耗整流的应用。
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: SLM343CK-DG

SLM343CK-DG是一颗光兼容、单通道、隔离栅极驱动器，可用于驱动MOS和IGBT，驱动电流强，源极电流可达4A，漏极输出可达6A，隔离电压高达5KV，结温范围为-40-150℃，相对同系列其他芯片，该物料的优势在于高共模瞬态抗扰度、低传播延迟和小脉宽失真。UPS电源中市电接入后会有一个整流模块，其中会用到隔离驱动，UPS产品中对用料有一定的要求，而数明的SLM343CK-DG性能高，各项参数指标都符合工业级产品对芯片的要求。SLM34x系列输入级是模拟二极管，与传统LED相比，这意味着长期可靠性和优异的老化特性。它以SOP6W包提供≥8.0mm爬电和间隙。来自材料组II的模具化合物，其比较跟踪指数（CTI）>400V.SLM34x的高性能和可靠性使其非常适用于所有类型的电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器。
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: A4987SESTR-T

A4987是一款双DMOS全桥步进电机驱动器具有并行输入通信和过电流保护。每个全桥输出的额定电压最高为35 V，1ATheA4987包括固定的关断时间脉宽调制(PWM)电流调节器和2位非线性DAC(数模转换器转换器)，其允许步进电机被完全控制，半音和四分之一音。PWM电流调节器使用Allegro专利混合衰减模式，用于降低声音马达噪声、更高的步进精度和更低的功耗。
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[公司动态]Allegro埃戈罗A1395SEHLT-T高精度霍尔效应电流传感器2025年07月31日 14:36: A1395SEHLT-T 是Allegro MicroSystems推出的高精度霍尔效应电流传感器，采用集成式磁芯+信号调理设计，专为电机驱动、新能源逆变器、工业自动化等高电流应用打造。以±1%全量程精度和120kHz带宽!; 阅读（55）标签：

[公司动态]ISL8121IRZ-T 瑞萨电子Renesas高效双路同步降压控制器【5G基站、AI服务器】专用2025年07月17日 17:08: ISL8121IRZ-T是Renesas（瑞萨电子）最新推出的双路同步降压控制器，采用QFN-24封装，专为5G基站、AI服务器、高端GPU供电等严苛应用打造。这款芯片凭借业界领先的转换效率（高达97%）和智能数字控制技术，正在重新定义大电流电源解决方案的标准！; 阅读（46）标签：

[公司动态]HIP4082IBZT 全桥MOSFET驱动器【高效能动力控制核心】2025年07月17日 16:11: HIP4082IBZT是Renesas（瑞萨电子）推出的一款全桥N沟道MOSFET驱动器，采用SOIC-16封装，专为H桥电机驱动、DC-AC逆变器等应用设计。该芯片具备高驱动能力、低传播延迟和智能死区控制，可显著提升功率转换效率，适用于工业自动化、新能源及消费电子等领域。; 阅读（44）标签：

[公司动态]WG50N65DHWQ 威世绝缘栅双极晶体管(IGBT) 高能效电源核心器件！2025年07月04日 17:26: WG50N65DHWQ 是 WeEn（威世半导体）推出的 650V/50A 超结MOSFET（Super Junction MOSFET），采用 TO-247封装，专为高效率电源转换和电机驱动设计，适用于工业、新能源、电动汽车等高功率应用场景。; 阅读（54）标签：

[公司动态]FF600R12ME4-B72 —— 重新定义工业动力核心，高能效时代的终极选择2025年05月21日 16:52: 在智能制造、新能源革命和工业4.0的浪潮中，高效、稳定、耐用的功率半导体器件已成为工业系统的核心命脉。而英飞凌（Infineon Technologies）推出的FF600R12ME4-B72 IGBT模块，凭借其1200V/1200A超高功率密度与20mW超低损耗，正以颠覆性性能重新定义行业标准！无论是电动汽车电机驱动、智能电网，还是重型工业设备，它都能以“零妥协”的姿态，成为工程师心中“高能效、高可靠”的代名词。; 阅读（84）标签：

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