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: RHRG75120

FDA70N20是ONSEMI（安森美）推出的 N沟道功率场效应管MOSFET晶体管，它基于成熟的 UniFET平面条形 DMOS 技术，采用TO-3PN通孔大功率封装，集成了200V高耐压、70A大电流承载能力、35mΩ低导通电阻以及417W高功率耗散能力，为各类要求高压、大电流功率转换的应用提供了兼具高性能、高可靠性与高性价比的开关解决方案，广泛应用于高效率、高可靠性的功率转换系统中。
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: NCP1340B3D1R2G

产品介绍：NCP1340B3D1R2G是onsemi（安森美半导体）推出的高度集成准谐振反激控制器,在紧凑的SOIC-9封装内,集成了700V高压启动电路、有源X2电容放电、-500mA/+800mA大电流驱动能力以及可配置过功率保护（OPP）,以高频QR工作模式实现空载功耗低于30mW、满载效率超94%的优异性能,为新一代高密度USB-PD快充、LED照明驱动及工业电源提供了兼具高效率、超低待机与高可靠性的理想AC-DC控制解决方案,适用于高效率、低待机功耗的AC-DC电源应用。
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: FDA70N20

FDA70N20是ONSEMI（安森美）推出的 N沟道功率场效应管MOSFET晶体管，它基于成熟的 UniFET平面条形 DMOS 技术，采用TO-3PN通孔大功率封装，集成了200V高耐压、70A大电流承载能力、35mΩ低导通电阻以及417W高功率耗散能力，为各类要求高压、大电流功率转换的应用提供了兼具高性能、高可靠性与高性价比的开关解决方案，广泛应用于高效率、高可靠性的功率转换系统中。
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: MMBT2222ATT1G

产品介绍：MMBT2222ATT1G是安森美半导体（ON Semiconductor）推出的通用型NPN双极结型晶体管（BJT），采用SOT-23-3贴片封装，具有高电流增益、低饱和压降特性，专为小信号放大与开关控制设计。
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: MMSZ5258BT1G

产品介绍：三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。这些器件为无引线 34 封装样式提供了方便的替代方案。
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: MMBT2907ALT1G

产品介绍：MMBT2907ALT1G是一款由安森美（onsemi）生产的 PNP型通用双极结型晶体管（BJT），采用行业标准的SOT-23封装，凭借60V的较高耐压、600mA的电流能力以及200MHz的较高特征频率，便于高密度PCB布局，广泛应用于开关和放大电路中，尤其适合便携式电子设备、电源管理及工业控制等低功耗表面贴装场景。
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: MMSZ5231BT1G

产品介绍：MMSZ5231BT1G是一款由安森美（onsemi）生产的 5.1V 表面贴装稳压二极管（齐纳二极管），采用SOD-123封装，标称齐纳电压为5.1V。它凭借17Ω的低齐纳阻抗、Class 3（>16kV）的ESD防护等级以及-55°C至+150°C的宽工作温度范围，广泛应用于电压基准、过压保护和电源管理电路中，特别适合高密度PCB布局的消费电子、工业控制及汽车电子场景。
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: MC33072DR2G

产品介绍：MC33072DR2G 是ON安森美一款运算放大器，4.5MHz的宽带宽、13V/μs的高压摆率和3V至44V的宽电源电压范围，在PLC、工业电源、电机驱动器中用于信号放大、滤波及传感器信号调理。其宽电源电压范围和稳健的设计，能适应嘈杂的工业环境。
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: FFD08S60S-F085

产品介绍：FFD08S60S-F085是安森美(onsemi)推出的一款Stealth? II系列超快软恢复整流二极管，特别适合要求高效率、低噪声的开关电源应用。
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: FGH60N60SMD

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
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: RURG3060CC

产品介绍：RURG3060CC是一款超快双通道二极管，具有低正向特性电压降。该装置旨在用作飞轮，并且各种开关电源和其他电源中的箝位二极管电源开关应用。它特别适用于开关电源和工业应用。
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: FGHL50T65SQDT

安森美ON Semiconductor FGHL50T65SQDT IGBT是第四代现场停止IGBT提供最优性能。IGBT可以很容易的并行工作，低导通和开关损耗。ON半导体FGHL50T65SQDT IGBT是理想的应用，低导通和开关损耗是必不可少的。这些包括太阳能逆变器，UPS，焊机，电信，ESS和PFC应用。
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: MMSZ24T1G

产品介绍：三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。这些器件为无引线 34 封装样式提供了方便的替代方案。
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: FQP4N90C

产品介绍：此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
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[行业资讯]全新RHRG75120 75A 1200V 软恢复二极管 onsemi（安森美）开关电源芯片IC2026年06月03日 17:59: STTH212U是意法半导体（STMicroelectronics）推出的1200V 2A 超快恢复二极管，它采用ST独有的超快高压平面技术，在紧凑的SMB（DO-214AA）表面贴装封装内，实现了1200V高反向耐压、2A连续正向电流、仅75ns的超快反向恢复时间以及40A的高浪涌电流承受能力，并以低正向压降、软开关特性降低EMI干扰等综合优势，为高开关频率下的电源转换系统提供了兼具高效率、高可靠性与小尺寸的理想整流解决方案。; 阅读（922）标签：二极管

[行业资讯]全新NCP1340B3D1R2G高集成度准谐振反激控制器onsemi电子元器件IC芯片2026年05月21日 14:27: NCP1340B3D1R2G是onsemi（安森美半导体）推出的高度集成准谐振反激控制器，在紧凑的SOIC-9封装内，集成了700V高压启动电路、有源X2电容放电、-500mA/+800mA大电流驱动能力以及可配置过功率保护（OPP），以高频QR工作模式实现空载功耗低于30mW、满载效率超94%的优异性能，为新一代高密度USB-PD快充、LED照明驱动及工业电源提供了兼具高效率、超低待机与高可靠性的理想AC-DC控制解决方案，适用于高效率、低待机功耗的AC-DC电源应用。; 阅读（887）标签：控制器

[公司动态]全新NCS2250SN2T1G 模拟比较器onsemi（安森美）电源管理模块IC 全面解析2026年04月24日 15:09: onsemi（安森美）推出的NCS2250SN2T1G低电压高速比较器，正是为破解这一困局而设计。它采用50 ns（100 mV过驱动）的快速传播延迟、1.8V至5.5V的宽工作电压范围、轨到轨输入/输出能力以及推挽输出架构，在一个紧凑的TSOP-5（SOT23-5）封装内，为各类便携和电池供电系统提供了兼具高性能与低功耗的理想信号检测与转换方案。; 阅读（834）标签：比较器

[行业资讯]安森美定制MOSFET方案，拯救客户12V电动助力转向系统生产危机2025年07月22日 17:45: 汽车行业竞争激烈，节奏飞快，只有快速适应和持续创新才能让企业立于不败之地。在本成功案例中，安森美 (onsemi)深入理解并解决客户痛点，及时快速向客户交付了适用于其 12 V 电动助力转向系统 (EPS) 的创新解决方案。; 阅读（182）标签：

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