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: MMBZ5231BLT1G

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: MMSZ5231BT1G

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: DMMT3906WQ-7-F

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: MMSZ5236B-7-F

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: MMSZ5254BQ-7-F

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: DMG2302UKQ-7

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: BSS127S-7

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: S1J-13-F

产品介绍：DIODES(美台)的S1J-13-F是一款采用SMA(DO-214AC)封装的表面贴装标准恢复整流二极管,具有 600V 反向重复峰值电压（VRRM）和 1A 平均整流电流（IO）,正向压降仅为 1.1V@1A,其采用 SMA（DO-214AC）封装,广泛应用于电源整流、开关电源、逆变器及各类工业控制电路中,适合在FPGA系统设计中对高可靠性分立器件的需求。
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: B340A-13-F

产品介绍：B340A-13-F 是DIODES(美台)的一款额定电压40V、额定电流3A的表面贴装肖特基二极管，采用紧凑的SMA封装，500mV 的超低正向压降、80A 的强大浪涌承受能力?和?AEC-Q101 车规级可靠性，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器和反向保护电路中。
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: BSS138-7-F

产品介绍：BSS138-7-F 是一款由 Diodes Incorporated（美台半导体）生产的 N 沟道增强型小信号 MOSFET，N-MOSFET逻辑电平MOSFET，50V/220mA，和2N7002齐名，尤其适合3.3V系统，广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域的信号开关与电平转换场景
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: NX3008PBK,215

产品介绍：NX3008PBK,215 是一款由 Nexperia（安世）生产的采用TrenchMOS技术的小信号P沟道增强型场效应管，采用 SOT-23-3（TO-236AB）小型表面贴装封装，便于在高密度PCB布局中使用，广泛用于电源管理、负载开关、电池保护及电机驱动等电路中，适合对空间和效率有要求的工业与消费类电子设计。
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: RCLAMP0524PATCT

RCLAMP0502BATCT是Semtech公司生产的一款单向、双通道的瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，属于专用的“RailClamp”系列 ESD保护器件。它的核心功能是为高速数据接口提供极致的静电放电（ESD）和瞬态电压保护。
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: RCLAMP0502BATCT

RCLAMP0502BATCT 是Semtech公司生产的一款单向、双通道的瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，属于专用的 “RailClamp”系列 ESD保护器件。它的核心功能是为高速数据接口提供极致的静电放电（ESD）和瞬态电压保护
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: LTST-C195TGKRKT

产品介绍：LITEON光宝的LTST-C155GEKT是一款高性能的发光二极管/LED贴片IC，LTST-C155GEKT在标准1210封装内，精巧集成绿、红两颗独立LED芯片。一颗器件即可清晰指示运行/正常（绿）与停止/告警（红）两种核心状态，极大节省PCB布局空间，助力产品实现更高密度的设计。
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: LTST-E183CEGBW

产品介绍：LTST-E183CEGBW是光宝科技（LITEON）生产的一款0603封装贴片LED，采用表面贴装型（SMD）设计，封装尺寸为1.60mm×0.80mm×0.40mm。其核心参数包括：发光颜色为翠绿色（峰值波长518nm），测试电流5mA，视角120°，工作温度范围-40℃~+85℃，符合RoHS环保标准。该型号支持自动贴装，兼容红外和汽相回流焊接工艺，湿气敏感性等级（MSL）为2（1年），适用于大规模自动化生产。
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: LTV-M601

产品介绍：LTV-M601是LITEON（光宝半导体）生产的一款单通道、高速逻辑输出型光电耦合器，采用SOP-5封装。它由红外LED与硅光电晶体管组成，实现输入输出电路间的电气隔离，具有高共模瞬变抗扰度（CMH, CML = ±15 kV/μs Min.）和高速（10 Mbps）特性。主要用于在电路之间实现高速数字信号的电气隔离与传输。
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: PESD2IVN24-TR

产品介绍：PESD2IVN24-TR是NXP（安世半导体）推出的一款专为CAN总线设计的静电保护器件（ESD），属于双向、双通道的瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，采用SOT-23-3封装。该器件旨在为CAN总线接口提供可靠的静电放电保护，专门为严苛环境下的高速通信线路提供顶级的静电放电（ESD）和瞬态过压保护。
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: LTST-C19HEGBW-HP1

产品介绍：LTST-C19HEGBW-HP1是光宝科技（LITEON）生产的一款贴片式RGB三色发光二极管（LED）， 1.6mm x 1.6mm?的超微型封装，几乎不占电路板空间。宽达?-40°C 至 +85°C?的工作温度范围，使其能稳定应用于严苛环境。
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: LTSA-E351CEGBW

产品介绍：LTSA-E351CEGBW发光二极管TVS/LED指示灯 LITEON光宝电子元器件芯片，模块内部集成了稳压电路，只需4V直流输入。通过TTL接口，用户可以直接用数字信号控制光源的开关（EN）和进行0-100%的无级亮度调节（ADJ），极易与单片机、PLC集成。
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: 334-15/T2C3-FQSB/R6

产品介绍：334-15/T2C3-FQSB/R6(LP)是亿光电子（Everlight）生产的一款插件式（通孔）LED灯泡指示灯发光二极管，产品采用经典的5mm圆形（T-1 3/4）通孔封装，需要通过引脚插入电路板焊接固定，属于高亮度的指示灯类电子元器件。
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