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: US1NWF-7

产品介绍：US1NWF-7是DIODES（美台）推出的表面贴装超快恢复整流二极管，采用 SOD-123F 小型表面贴装封装，具有低正向导通压降（1.7V @ 500mA）、快速恢复时间（80ns）和低反向漏电流（5μA @ 1200V），实现了1200V高耐压、1A正向电流、30A高浪涌承受能力以及典型80ns反向恢复时间，为高压高频AC-DC转换、LED照明和工业电源等领域提供了兼具高性能与高可靠性的理想整流解决方案，适合工业与车载应用环境。
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: BAT54S-7-F

产品介绍：BAT54S-7-F是DIODES（美台）的小信号肖特基二极管，这款产品采用SOT-23封装，内部集成了两个串联的肖特基二极管，以200mA电流能力、超快开关速度和低正向压降，广泛应用于通信与工业设备。
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: ACX114YUQ-7R

产品介绍：LTV-M601是LITEON（光宝半导体）生产的一款单通道、高速逻辑输出型光电耦合器，采用SOP-5封装。它由红外LED与硅光电晶体管组成，实现输入输出电路间的电气隔离，具有高共模瞬变抗扰度（CMH, CML = ±15 kV/μs Min.）和高速（10 Mbps）特性。主要用于在电路之间实现高速数字信号的电气隔离与传输。
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: BZV49-C22,115

产品介绍：BZV49-C22,115是一款来自Nexperia（安世半导体）的22V表面贴装稳压（齐纳）二极管，在紧凑的SOT-89封装内实现了1W的功率耗散，其核心价值是在节省电路板空间的同时，为系统提供精准的电压基准和可靠的过压保护，适用于高密度 PCB 设计。
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: AZ5425-04F.R7G

产品介绍：AZ5425-04F.R7G是一款由 AMAZING（晶焱科技）生产的一款四通道、5V、超低0.4pF电容 ESD 保护阵列芯片，专为HDMI、USB 3.0等高速数据接口而设计提供静电放电（ESD）防护，适用于对信号完整性要求严苛的高速数据传输场景。
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: 204-10SUBC/C470/S400-A4-L

产品介绍：204-10SUBC/C470/S400-A4-L是由 EVERLIGHT（亿光）生产的一款 3.0mm 圆形插件式蓝色发光二极管（LED），主波长470nm（典型值），峰值波长为 468nm，正向电压（VF）3.4V，适用于需要高亮度蓝光输出的电子设备指示与照明应用。
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: RCLAMP3324T.TCT

产品介绍：Semtech推出的RCLAMP3324T.TCT是由Semtech公司生产的一款高性能、低电容的四线ESD（静电放电）保护器件，它采用RailClamp专利架构，在超紧凑的SLP1710P4T封装内，实现了0.4pF超低电容与±25kV接触/±30kV空气放电顶级防护的完美平衡，专为高速数据接口提供浪涌和静电防护设计。
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: MMSZ5258BT1G

产品介绍：三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。这些器件为无引线 34 封装样式提供了方便的替代方案。
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: LTST-C171TGKT

产品介绍：LTST-C171TGKT是一款由 LITE-ON（光宝）生产的翠绿色表面贴装LED发光二极管，该型号采用0805（2012公制）封装，主波长为525nm，视角达130°，以其高亮度、宽视角和低功耗特性，广泛应用于电子设备指示灯、显示屏背光等场景。适用于高密度PCB布局设计。
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: MMBZ5231BLT1G

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: MMSZ5231BT1G

产品介绍：MMSZ5231BT1G是一款由安森美（onsemi）生产的 5.1V 表面贴装稳压二极管（齐纳二极管），采用SOD-123封装，标称齐纳电压为5.1V。它凭借17Ω的低齐纳阻抗、Class 3（>16kV）的ESD防护等级以及-55°C至+150°C的宽工作温度范围，广泛应用于电压基准、过压保护和电源管理电路中，特别适合高密度PCB布局的消费电子、工业控制及汽车电子场景。
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: DMMT3906WQ-7-F

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: MMSZ5236B-7-F

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: MMSZ5254BQ-7-F

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: DMG2302UKQ-7

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: BSS127S-7

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: S1J-13-F

产品介绍：DIODES(美台)的S1J-13-F是一款采用SMA(DO-214AC)封装的表面贴装标准恢复整流二极管,具有 600V 反向重复峰值电压（VRRM）和 1A 平均整流电流（IO）,正向压降仅为 1.1V@1A,其采用 SMA（DO-214AC）封装,广泛应用于电源整流、开关电源、逆变器及各类工业控制电路中,适合在FPGA系统设计中对高可靠性分立器件的需求。
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: B340A-13-F

产品介绍：B340A-13-F 是DIODES(美台)的一款额定电压40V、额定电流3A的表面贴装肖特基二极管，采用紧凑的SMA封装，500mV 的超低正向压降、80A 的强大浪涌承受能力?和?AEC-Q101 车规级可靠性，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器和反向保护电路中。
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: BSS138-7-F

产品介绍：BSS138-7-F 是一款由 Diodes Incorporated（美台半导体）生产的 N 沟道增强型小信号 MOSFET，N-MOSFET逻辑电平MOSFET，50V/220mA，和2N7002齐名，尤其适合3.3V系统，广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域的信号开关与电平转换场景
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: NX3008PBK,215

产品介绍：NX3008PBK,215 是一款由 Nexperia（安世）生产的采用TrenchMOS技术的小信号P沟道增强型场效应管，采用 SOT-23-3（TO-236AB）小型表面贴装封装，便于在高密度PCB布局中使用，广泛用于电源管理、负载开关、电池保护及电机驱动等电路中，适合对空间和效率有要求的工业与消费类电子设计。
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