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: RCLAMP0531T.TCT

Semtech 提供 TVS（瞬态电压抑制）二极管，可保护低压电路免受静电放电 (ESD)、闪电和其他破坏性电压瞬变造成的损坏或闩锁效应。我们的电路保护设备具有低钳位电压、低电容和低泄漏电流的特点。同时，设备还符合业内最严格的瞬变免疫标准，包括 IEC、ETSI、Telcordia1089和FCC第68部分的瞬变免疫标准。
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[行业资讯]RHRP860 onsemi安森美600V/8A超高速软恢复二极管，开关电源与功率变换专业芯片2026年07月23日 10:33: 安森美（onsemi）RHRP860超高速恢复二极管（Hyperfast Diode）。它采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构，在TO-220AC封装内实现了600V反向耐压、8A平均整流电流、35ns反向恢复时间的卓越性能组合。其恢复时间仅为传统超快恢复二极管的一半，同时具备软恢复特性，可显著降低开关电路中的振铃和电气噪声。凭借100A浪涌承受能力、-65℃至175℃宽工作结温范围以及100μA超低反向漏电流，RHRP860为各类高可靠性、高能效的功率变换应用提供了一套高性能、高性价比的二极管解决方案。; 阅读（977）标签：二极管

[行业资讯]全新ADL5310ACPZ-REEL7 120dB双通道对数放大器 ADI亚德诺2026年06月10日 16:48: ADL5310ACPZ-REEL7是Analog Devices（亚德诺半导体）推出的双通道对数放大器，它采用优化的跨导线性结构，将双极性晶体管基极-发射极电压与集电极电流之间精确的对数关系应用于电路设计，在紧凑的24引脚LFCSP（4mm×4mm）封装内，集成了2个独立信号通道，实现了3nA至3mA（120dB）的超宽输入动态范围、0.3dB的优异对数一致性以及5.5mA的低静态电流，并以外部电阻可编程的斜率和截距为工程师提供了灵活的传递函数配置，为光纤通信、工业传感及精密功率测量等应用提供了兼具高精度、低功耗与小尺寸的理想宽动态范围电流-电压转换解决方案。; 阅读（951）标签：放大器

[行业资讯]全新RCLAMP2402B.TCT 2通道 24V 0.6pF TVS二极管 Semtech工业通信接口提供超低ESD电容保护二极管2026年06月10日 16:43: RCLAMP2402B.TCT是Semtech（升特半导体）推出的RailClamp低电容 TVS 二极管阵列，它采用 Semtech 专利的 RailClamp 技术，在SC-75（SOT-523）超紧凑封装内，集成了2 条独立的 ESD 防护通道，实现了0.6pF 的超低结电容（Pin 1 至 Pin 2，典型 0.7pF，2007 年文献记载的数据及多种评估结论）、24V 工作电压、200W 峰值脉冲功率以及?IEC 61000?4?2 4 级 ESD 防护，以极低的插入损耗支持高达 3GHz 以上信号的无衰减传输，是 HDMI 1.4/2.0、USB 2.0、FireWire、ADSL 及工业以太网等高速数据接口板级 ESD 与 CDE（电缆放电事件）防护的理想选择。; 阅读（954）标签：二极管

[行业资讯]全新RHRG75120 75A 1200V 软恢复二极管 onsemi（安森美）开关电源芯片IC2026年06月03日 17:59: STTH212U是意法半导体（STMicroelectronics）推出的1200V 2A 超快恢复二极管，它采用ST独有的超快高压平面技术，在紧凑的SMB（DO-214AA）表面贴装封装内，实现了1200V高反向耐压、2A连续正向电流、仅75ns的超快反向恢复时间以及40A的高浪涌电流承受能力，并以低正向压降、软开关特性降低EMI干扰等综合优势，为高开关频率下的电源转换系统提供了兼具高效率、高可靠性与小尺寸的理想整流解决方案。; 阅读（947）标签：二极管

[行业资讯]全新STTH212U 1200V 2A 超快恢复二极管ST意法半导体电源芯片IC2026年06月03日 17:36: STTH212U是意法半导体（STMicroelectronics）推出的1200V 2A 超快恢复二极管，它采用ST独有的超快高压平面技术，在紧凑的SMB（DO-214AA）表面贴装封装内，实现了1200V高反向耐压、2A连续正向电流、仅75ns的超快反向恢复时间以及40A的高浪涌电流承受能力，并以低正向压降、软开关特性降低EMI干扰等综合优势，为高开关频率下的电源转换系统提供了兼具高效率、高可靠性与小尺寸的理想整流解决方案。; 阅读（950）标签：二极管

[行业资讯]全新MMBZ5232BLT1G 5.6V SOT-23 稳压二极管ON安森美电子元器件IC芯片2026年05月26日 15:32: MMBZ5232BLT1G是ON Semiconductor（安森美半导体）推出的表面贴装稳压二极管，采用SOT-23-3微型封装，提供了5.6V标称稳压值、±5%的稳压容差、225mW功率耗散以及低至11Ω的动态阻抗，是手机、手持便携设备和高密度PC板等空间受限应用中电压调节与电路保护，主要用于小空间场景的电压调节。; 阅读（890）标签：调湿片

[行业资讯]原装SC4541SKTRT 2MHz 升/降压单线LED驱动器Semtech电子元器件IC芯片2026年05月18日 16:34: SC4541SKTRT是Semtech（升特）推出的高频LED驱动器芯片，该器件集升压与降压拓扑于一体，支持2.9V至22V超宽输入电压并具备25V输出电压能力，利用内置肖特基二极管和功率开关，将外部电路减至最少，实现了40mA至200mA输出电流，为平板背光、车内氛围灯以及各类锂电驱动的LED应用提供了兼具效率、灵活性的理想电源管理方案。专为汽车级和背光应用设计，具备高效率、高集成度和宽输入电压范围等优势。; 阅读（884）标签：驱动器

[行业资讯]全新SLM343CK-DG 隔离栅极驱动器Sillumin数明半导体抗干扰+耐高温电子元器件IC 芯片2026年05月18日 15:29: SLM343CK-DG是Sillumin（数明半导体）推出的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，它在保持与传统光耦隔离驱动器引脚完全兼容的基础上，采用创新的模拟二极管输入级技术，在紧凑的SO-6-6.8mm宽体封装内，实现了4.0A峰值源电流与6.0A峰值灌电流的大电流驱动能力、5kV RMS增强隔离等级以及150kV/μs的超高共模瞬态抗扰度（CMTI），广泛应用于LED照明、工业控制、汽车电子等领域。; 阅读（908）标签：FPGA

[行业资讯]全新GD5F1GM7UEYIGR 1Gbit SPI NAND Flash兆易GD存储芯片IC2026年05月11日 10:26: 在消费电子端，肖特基整流器（如BAT54LT1G）被集成至移动设备充电管理IC，实现毫秒级响应且无开关噪声。此外，汽车电子与新能源系统中，肖特基整流器（如MBR0540T1G）承担着电池管理系统（BMS）的防反接保护与高频谐振回路整流任务。; 阅读（839）标签：TVS二极管|二极管

[行业资讯]2026年服务不错的TVS二极管UCLAMP0541Z.TFT厂家/值得推荐的TVS二极管UCLAMP2804L.TCT供应商/靠谱的TVS二极管RCLAMP0502BATCT销售公司2026年05月08日 15:32: TVS二极管，全称为瞬态电压抑制二极管，是电路保护中不可或缺的核心器件。其本质是一种高效能的雪崩击穿二极管，当电路遭遇雷电浪涌、静电放电（ESD）或电源开关瞬间产生的过电压时，TVS二极管能凭借其极快的响应速度（通常小于1皮秒）迅速进入雪崩击穿状态，将过电压钳位在一个安全的水平，从而保护后级敏感元器件免受损坏。; 阅读（863）标签：TVS二极管|二极管

[行业资讯]1N4148W-13-F电子元器件Diodes美台开关二极管芯片2025年08月26日 16:42: 1N4148W-13-F是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）公司生产的高速开关二极管; 阅读（218）标签：

[行业资讯]LC03-3.3.TBT 升特Semtech超低电容TVS二极管2025年08月06日 14:52: LC03-3.3.TBT 是Semtech推出的3.3V超低电容TVS二极管阵列，采用第五代硅雪崩技术，专为USB4、Thunderbolt?4、DDR5内存等超高速接口设计。以0.3pF行业最低电容和±15kV防护等级，成为电子设备防雷击/防静电的终极解决方案！; 阅读（223）标签：

[公司动态]升特SRV05-4.TCT 四通道超低电容TVS二极管2025年07月31日 15:00: SRV05-4.TCT 是Semtech推出的4通道超低电容TVS二极管阵列，采用第五代硅雪崩技术，专为USB 3.2、HDMI 2.1、千兆以太网等高速接口设计。以0.5pF超低电容和±30kV超强防护能力，成为电子设备防雷击/防静电的终极解决方案！; 阅读（225）标签：

[公司动态]UCLAMP0501P.TCT SEMTECH：超低电容TVS二极管2025年07月29日 16:21: UCLAMP0501P.TCT 是SEMTECH最新推出的超低电容单通道TVS二极管，采用第五代硅雪崩技术，专为5G手机天线、IoT设备、超极本USB4接口设计。以0.25pF行业最低电容和20kV防护等级，成为高速信号保护的终极解决方案！; 阅读（97）标签：

[公司动态]IXFH320N10T2 IXYS 超快二极管MOS 工业级超高电流开关应用2025年07月04日 17:43: IXFH320N10T2是IXYS（现属Littelfuse）推出的100V/320A N沟道功率MOSFET，采用TO-247 Plus封装，专为超高电流开关应用设计，适用于电动车辆、工业电源和大功率逆变器等场景。; 阅读（121）标签：

[公司动态]ADL5310ACPZ-REEL7 ADI 高精度光电二极管电流放大器超低噪声+高带宽2025年07月04日 15:27: ADL5310ACPZ-REEL7 是 Analog Devices Inc. (ADI) 推出的一款高精度光电二极管电流放大器，专为光检测、光学传感和精密电流测量应用设计。该器件具有超低噪声、宽动态范围和高线性度，适用于光纤通信、医疗设备、工业传感等高要求场景。; 阅读（114）标签：

[公司动态]肖特基二极管的优势2022年11月07日 09:18: 由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。; 阅读（60）标签：

[行业资讯]肖特基二极管原理及结构2022年11月06日 09:16: SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。; 阅读（102）标签：

[常见问题]如何分析正向偏置和反向偏置二极管2022年10月28日 09:14: 正向和反向偏置二极管的区别就是正向偏置时，二极管处于导通状态;反向偏置时，二极管处于截止状态。下面就和尚想小编一起了了解电荷载流子分析正向偏置和反向偏置二极管。; 阅读（339）标签：

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