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W25X20CLUXIG
产品介绍：Winbond（华邦电子）推出的W25X20CLUXIG 2M-bit 容量的串行NOR Flash 存储器，正是为破解这一困局而生。它采用USON-8（2mm × 3mm）超紧凑封装，在接近芯片级尺寸内实现了104MHz 高速 SPI 读取、<1μA 深度掉电电流和-40°C 至 85°C 的宽温工作范围，广泛应用于对空间、功耗和稳定性要求较高的嵌入式系统中，支持SPI接口通信与XIP（就地执行）功能，适合用于存储启动代码、配置参数或固件数据 。更多 +
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TM56M152A-SOP8
产品介绍：TM56M152A-SOP8是Hitenx（海速芯）公司推出的一款基于增强型8051内核的32位微控制器。它采用SOP8/SOP16这种小型封装，在极其有限的物理空间内集成了核心处理能力、存储器和多种常用外设，是一款专为空间和成本敏感型应用设计的高集成度MCU。更多 +
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TM52F1376-SSOP24
产品介绍：TM52F1376-SSOP24是HITENX（海速芯）公司设计的一款基于增强型8051内核的8位微控制器MCU。它集成了高性能的CPU内核、丰富的片上外设和存储器，是一款高性价比、低功耗的通用型MCU。更多 +
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GD25Q127CSIGR
产品介绍： GD25Q127CSIGR是GigaDevice（兆易创新）公司生产的一款?128M-bit 串行闪存芯片。104MHz时钟频率，四线模式读取速度高达52MB/s，大幅提升系统启动速度和运行效率。128M-bit（16MB）存储容量，满足大多数应用程序的存储需求，支持复杂功能实现。更多 +
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STM32F302K8U6TR
STM8 微控制器规格 核心与架构 核心：16 MHz 高级 STM8 核心，采用哈佛架构和三级流水线。 扩展指令集：提供增强型指令集以提高性能。 存储器 程序存储器：8 K字节闪存存储器，确保在 100 次循环后 55°C 下的数据保留期为 20 年。 RAM：1 K字节数据存储器。 数据 EEPROM：128 字节，可承受高达 100 k 次写入/擦除周期。 时钟、复位和电源管理 工作电压：从 2.95 V 至 5.5 V。 灵活的时钟控制：支持 4 个主时钟源。 电源管理：具有低功耗模式，包括等待、活动停止和停止，并且能够单独关闭外围时钟。 复位机制：包括永久激活的、低功耗的上电复位和掉电复位机制。 中断管理 嵌套中断控制器：带有 32 个中断，支持多达 27 个外部中断在 6 个向量上。 定时器更多 +
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STM32G474VCT6
STM8 微控制器规格 核心与架构 核心：16 MHz 高级 STM8 核心，采用哈佛架构和三级流水线。 扩展指令集：提供增强型指令集以提高性能。 存储器 程序存储器：8 K字节闪存存储器，确保在 100 次循环后 55°C 下的数据保留期为 20 年。 RAM：1 K字节数据存储器。 数据 EEPROM：128 字节，可承受高达 100 k 次写入/擦除周期。 时钟、复位和电源管理 工作电压：从 2.95 V 至 5.5 V。 灵活的时钟控制：支持 4 个主时钟源。 电源管理：具有低功耗模式，包括等待、活动停止和停止，并且能够单独关闭外围时钟。 复位机制：包括永久激活的、低功耗的上电复位和掉电复位机制。 中断管理 嵌套中断控制器：带有 32 个中断，支持多达 27 个外部中断在 6 个向量上。 定时器更多 +
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GD25Q127CSIG
产品介绍： 兆易创新的Serial Flash GD25Q127CSIG 具有128M-bit串行闪存,标准和双SPI快速读取30PF负载速度达到104MHz。智能家庭网关系统供电电压为3.3V，GD25Q127CSIG的工作电压范围是2.7V-3.6V，工作电压符合。系统采用电源适配器供电，在功耗上要求不高更多 +
- [公司动态]W25Q16JVSSIQ Winbond 华邦 16Mbit 工业级 串行SPI NOR Flash 存储芯片IC2026年09月29日 17:50
- 嵌入式系统里，固件启动、参数存储、日志记录的可靠性，很大程度由串行 Flash 决定。很多项目选型时，容易只看容量，忽略启动速度、扇区灵活性、宽温稳定性与代码直读 XIP 能力。W25Q16JVSSIQ 是华邦 W25Q-JV 系列16Mbit（2MB）工业级多 I/O 串行 NOR Flash，SOIC-8 208mil 经典封装，支持标准 SPI、Dual SPI、Quad SPI/QPI，zui高 133MHz 时钟，兼具高速读取、4KB 小扇区灵活擦写、工业宽温、低功耗特性，是物联网、工控主板、通信模块、智能硬件固件存储的主流优选存储方案。
- 阅读（1016）
- [公司动态]爆款芯片推荐｜TM56M1522-SOP16：RISC内核+13路ADC+7位DAC模数转换器，MCU2026年09月14日 17:12
- TM5864-QFN24-E是HITENX（海速芯）公司设计的一款基于增强型内核的8位微控制器MCU。它集成了高性能的CPU内核、丰富的片上外设和存储器，是一款定位“高性价比、低功耗”的通用型MCU，工作温度覆盖-40℃至+105℃的工业级宽温范围。
- 阅读（997）
- [公司动态]爆款芯片推荐｜TM5864-QFN24-E HITENX海速芯单片机+Flash存储MCU，支持烧录IC2026年09月14日 16:30
- TM5864-QFN24-E是HITENX（海速芯）公司设计的一款基于增强型内核的8位微控制器MCU。它集成了高性能的CPU内核、丰富的片上外设和存储器，是一款定位“高性价比、低功耗”的通用型MCU，工作温度覆盖-40℃至+105℃的工业级宽温范围。
- 阅读（1003）
- [行业资讯]深尚想W25X20CLUXIG华邦（Winbond）2M-bit串行NOR FLASH闪存芯片解决方案2026年06月26日 15:48
- W25X20CLUXIG是华邦电子（Winbond Electronics）推出的一款2M-bit（256K-byte）串行NOR Flash存储器芯片。它属于华邦25X系列产品线，该器件采用USON-8（2×3mm）超小型封装，芯片支持4KB扇区擦除、32KB块擦除和64KB块擦除等多种擦除粒度，为开发者提供了灵活的存储管理方案。
- 阅读（968）
- [行业资讯]深尚想W25Q32JVSSIQ Winbond华邦32M-bit高性能串行NOR Flash存储器芯片IC2026年06月26日 15:02
- W25Q32JVSSIQ是华邦电子（Winbond Electronics）推出的一款32M-bit（4M-byte）串行NOR Flash存储器芯片。它属于华邦W25Q SpiFlash多I/O存储器家族，采用流行的串行外设接口（SPI），W25Q32JVSSIQ芯片支持4KB扇区擦除、32KB块擦除、64KB块擦除和全片擦除等多种擦除粒度。1,024个可擦除扇区和64个可擦除块的架构，为开发者提供了精细化的存储管理能力。
- 阅读（969）
- [行业资讯]现货W25X40CLSNIG串行闪存芯片4Mb NOR FLASH Winbond华邦存储器2026年06月22日 15:45
- W25X40CLSNIG是华邦电子（Winbond Electronics）推出的一款4M-bit串行NOR Flash存储器芯片。它属于华邦25X系列产品线，以紧凑的SOIC-8封装，标准SPI接口、双I/O模式，超低功耗和卓越的可靠性，广泛用于工业控制、通信设备、消费电子、物联网等场景，适合代码存储、语音和数据记录等需求。
- 阅读（953）
- [行业资讯]1Mb NOR FLASH W25X10CLSNIG串行闪存芯片Winbond华邦存储器IC芯片2026年06月17日 16:49
- W25X10CLSNIG是华邦电子（Winbond Electronics）推出的一款1M-bit（128K×8bit）串行NOR Flash存储器芯片，以紧凑的SOIC-8封装、标准SPI接口，它属于华邦25X系列产品线，超低功耗和卓越的可靠性，为空间、引脚和电源受限的系统提供了一套“小而美”的存储解决方案。
- 阅读（958）
- [行业资讯]全新DDR3L SDRAM 2Gb W632GU6RB-09闪存芯片Winbond华邦存储芯片IC2026年06月02日 16:47
- W632GU6RB-09是Winbond（华邦）推出的2Gbit DDR3L SDRAM存储器芯片，它采用先进的DDR3L低电压架构，在96-ball VFBGA紧凑封装内，实现了4Gbit存储容量、256M x 16组织架构、1.066GHz工作频率以及0℃~95℃工业级宽温工作范围，为严苛环境下的嵌入式系统和高速数据处理提供了兼具高性能与低功耗的理想内存解决方案。
- 阅读（957）
- [行业资讯]全新W25N02KVZEIR 2Gbit SPI NAND Flash华邦Winbond工业级存储芯片2026年05月29日 16:22
- W25N02KVZEIR是华邦（Winbond）推出的2Gbit（256MB）QspiNAND Flash存储器，它基于高可靠性的SLC（Single-Level Cell）NAND架构，在紧凑的WSON-8（8×6mm）封装内，将2Gbit大容量、104MHz四线SPI高速接口、片上8位ECC纠错以及-40°C至85°C工业级宽温工作融为一体，为空间、引脚和功耗受限的嵌入式系统，提供了兼具大容量、高可靠性与易用性的理想存储解决方案。
- 阅读（969）
- [行业资讯]尚想全新GD5F1GM7UEYIGR 1Gbit SPI NAND Flash兆易GD存储芯片IC2026年05月11日 10:51
- GD5F1GM7UEYIGR是GigaDevice（兆易创新）推出的 1Gbit SLC SPI NAND Flash存储器，它基于成熟的NAND Flash内存核心，采用标准SPI四线接口，在紧凑的WSON-8（6mm×8mm）封装内，实现了1Gbit（128MB）的大容量存储、133MHz的高速读写以及内置ECC纠错模块，为各类嵌入式系统提供了兼具大容量、高可靠性与易用性的理想存储解决方案，广泛应用于物联网、工业控制、消费电子等领域。
- 阅读（839）
- [行业资讯]尚想全新GD5F1GM7UEWIGR 1Gbit SPI NAND Flash GD兆易创新 嵌入式存储芯片IC2026年05月11日 10:51
- GD5F1GM7UEWIGR是GigaDevice（兆易创新）推出的 SPI NAND Flash存储器，它基于SLC（Single-Level Cell）NAND Flash核心，采用业界标准的 ?DTR/Dual/Quad SPI 串行接口，在紧凑的WSON-8（6×8mm）封装内，实现了1Gbit（128MB）的海量存储容量、高达133MHz的高速读写与内置硬件ECC纠错模块等特性，为系统设计工程师提供了大容量、高可靠性且极其易用的存储解决方案。
- 阅读（917）
- [行业资讯]尚想全新GD5F1GM7UEYIGR 1Gbit SPI NAND Flash兆易GD存储芯片IC2026年05月11日 10:26
- GD5F1GM7UEYIGR是GigaDevice（兆易创新）推出的 1Gbit SLC SPI NAND Flash存储器，它基于成熟的NAND Flash内存核心，采用标准SPI四线接口，在紧凑的WSON-8（6mm×8mm）封装内，实现了1Gbit（128MB）的大容量存储、133MHz的高速读写以及内置ECC纠错模块，为各类嵌入式系统提供了兼具大容量、高可靠性与易用性的理想存储解决方案，广泛应用于物联网、工业控制、消费电子等领域。
- 阅读（966）
- [公司动态]现货W66DP2RQQAHJ 8Gb容量LPDDR4低功耗动态随机存取存储器Winbond芯片IC2026年05月07日 17:37
- W66DP2RQQAHJ是由 Winbond（华邦）生产的一款 8Gb（1GB）容量的 LPDDR4/4X 低功耗双倍数据速率动态随机存取存储器（DRAM），采用 DDP（双晶粒封装）技术，适用于高性能、低功耗的移动与嵌入式设备。
- 阅读（909）
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