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: MMBT2907ALT1G

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: MMBZ5231BLT1G

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: MMSZ5231BT1G

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: MC33072DR2G

产品介绍：MC33072DR2G 是ON安森美一款运算放大器，4.5MHz的宽带宽、13V/μs的高压摆率和3V至44V的宽电源电压范围，在PLC、工业电源、电机驱动器中用于信号放大、滤波及传感器信号调理。其宽电源电压范围和稳健的设计，能适应嘈杂的工业环境。
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: FFD08S60S-F085

产品介绍：FFD08S60S-F085是安森美(onsemi)推出的一款Stealth? II系列超快软恢复整流二极管，特别适合要求高效率、低噪声的开关电源应用。
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: PZTA42T1G

PZTA42T1G是ON Semiconductor（安森美）推出的一款高性能、高电压NPN双极结型晶体管（BJT），采用紧凑的SOT-223-3表面贴装封装（也称为TO-261-4）。它属于安森美小信号高压晶体管产品系列，专为需要高电压处理能力和通用放大功能的应用而设计。
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: PCA9535ECDWR2G

产品介绍：PCA9535ECDWR2G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款16位I/O扩展器。它属于接口芯片类别，具体功能是通过I2C总线为微控制器（MCU）提供额外的通用输入/输出（GPIO）端口。
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: MC74HCT4851ADR2G

产品介绍： MC74HCT4851ADR2G是安森美（ON Semiconductor）推出的一款8通道模拟多路复用器/解复用器（Multiplexer/Demultiplexer）。它采用SOIC-16封装，属于数字控制的模拟开关芯片，专用于信号路由与选择。
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: IRFP4468PBF

IRFP4468PBF是英飞凌科技推出的一款单颗N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用标准的TO-247通孔封装，是一款专为处理极高功率而设计的重型开关器件。
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: BAT54LT1G

产品介绍：BAT54LT1G是安森美半导体(ON Semiconductor)推出的低VF双串联肖特基二极管，采用SOT-23-3超微型封装，以其0.25V超低正向压降和高速开关特性成为便携式设备的选择。
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: BAT54T1G

产品介绍：BAT54T1G是安森美(ON Semiconductor)推出的双串联肖特基势垒二极管，采用SOT-23-3超微型封装，以其超低正向压降和高速开关特性成为小信号整流的理想选择。
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: BAV99WT1G

产品介绍：BAV99WT1G是(安森美ON Semiconductor)研发的双串联高速开关二极管，采用业界标准的SOT-323微型封装。该器件集成了两个独立二极管单元，专为精密信号处理和高频应用优化设计。
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: BAW56LT1G

产品介绍：BAW56LT1G是安森美(ON Semiconductor)推出的双串联开关二极管，采用超小型SOT-23-3封装。这款器件集成了两个高性能二极管，专为高速开关和信号处理应用优化设计。
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: MBR0540T1G

产品介绍：三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。这些器件为无引线 34 封装样式提供了方便的替代方案。
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: FGY75T120SQDN

产品介绍：FGY75T120SQDN这款绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有坚固且成本效益高的超场停止沟槽结构，并在苛刻的开关应用中提供卓越的性能，同时提供低导通电压和最小的开关损耗。IGBT非常适合于UPS和太阳能应用。器件中集成了一个具有低正向电压的软快速共封装自举二极管。
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: NXH350N100H4Q2F2S1G

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
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: FGH40T120SMD

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
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: BD442G

产品介绍：BD442G 是一款双极晶体管，-4.00 A，4A，低VCE(sat)，(PNP)NPN单PCP，适用于DC-DC转换器应用。
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: NTHD4508NT1G

产品介绍：NTHD4508NT1G: NPN 双极晶体管该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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: MMUN2116LT1G

产品介绍：MMUN2116LT1G: NPN 双极晶体管该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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