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: RHRG75120

FDA70N20是ONSEMI（安森美）推出的 N沟道功率场效应管MOSFET晶体管，它基于成熟的 UniFET平面条形 DMOS 技术，采用TO-3PN通孔大功率封装，集成了200V高耐压、70A大电流承载能力、35mΩ低导通电阻以及417W高功率耗散能力，为各类要求高压、大电流功率转换的应用提供了兼具高性能、高可靠性与高性价比的开关解决方案，广泛应用于高效率、高可靠性的功率转换系统中。
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: MMBD7000LT1G

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: MMBZ5232BLT1G

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: MC74VHC1G08DTT1G

产品介绍：MC74VHC1G08DTT1G是ON Semiconductor（安森美半导体）推出的?高速 CMOS 2 输入与门，正是为满足这一需求而设计。作为业界领先的 74VHC（超高速 CMOS）系列的核心成员，它采用先进的硅栅 CMOS 技术，在紧凑的?5-TSOP（SOT-23-5）表面贴装封装内，实现了2.0V 至 5.5V 的宽工作电压范围、7.9ns 的高速传播延迟以及1μA 的超低静态功耗，为从移动消费电子到工业控制信号链的各类应用提供了高性价比、高通用性的逻辑处理方案，主要用于数字电路逻辑运算，兼具高速性能与低功耗优势。
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: NCP1340B3D1R2G

产品介绍：NCP1340B3D1R2G是onsemi（安森美半导体）推出的高度集成准谐振反激控制器,在紧凑的SOIC-9封装内,集成了700V高压启动电路、有源X2电容放电、-500mA/+800mA大电流驱动能力以及可配置过功率保护（OPP）,以高频QR工作模式实现空载功耗低于30mW、满载效率超94%的优异性能,为新一代高密度USB-PD快充、LED照明驱动及工业电源提供了兼具高效率、超低待机与高可靠性的理想AC-DC控制解决方案,适用于高效率、低待机功耗的AC-DC电源应用。
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: FDA70N20

FDA70N20是ONSEMI（安森美）推出的 N沟道功率场效应管MOSFET晶体管，它基于成熟的 UniFET平面条形 DMOS 技术，采用TO-3PN通孔大功率封装，集成了200V高耐压、70A大电流承载能力、35mΩ低导通电阻以及417W高功率耗散能力，为各类要求高压、大电流功率转换的应用提供了兼具高性能、高可靠性与高性价比的开关解决方案，广泛应用于高效率、高可靠性的功率转换系统中。
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: MMBT4401LT1G

产品介绍：MMBT2222AL: NPN 双极晶体管该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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: MMBT2222ATT1G

产品介绍：MMBT2222ATT1G是安森美半导体（ON Semiconductor）推出的通用型NPN双极结型晶体管（BJT），采用SOT-23-3贴片封装，具有高电流增益、低饱和压降特性，专为小信号放大与开关控制设计。
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: MMSZ5258BT1G

产品介绍：三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。这些器件为无引线 34 封装样式提供了方便的替代方案。
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: MMBT2907ALT1G

产品介绍：MMBT2907ALT1G是一款由安森美（onsemi）生产的 PNP型通用双极结型晶体管（BJT），采用行业标准的SOT-23封装，凭借60V的较高耐压、600mA的电流能力以及200MHz的较高特征频率，便于高密度PCB布局，广泛应用于开关和放大电路中，尤其适合便携式电子设备、电源管理及工业控制等低功耗表面贴装场景。
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: MMBZ5231BLT1G

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: MMSZ5231BT1G

产品介绍：MMSZ5231BT1G是一款由安森美（onsemi）生产的 5.1V 表面贴装稳压二极管（齐纳二极管），采用SOD-123封装，标称齐纳电压为5.1V。它凭借17Ω的低齐纳阻抗、Class 3（>16kV）的ESD防护等级以及-55°C至+150°C的宽工作温度范围，广泛应用于电压基准、过压保护和电源管理电路中，特别适合高密度PCB布局的消费电子、工业控制及汽车电子场景。
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: MC33072DR2G

产品介绍：MC33072DR2G 是ON安森美一款运算放大器，4.5MHz的宽带宽、13V/μs的高压摆率和3V至44V的宽电源电压范围，在PLC、工业电源、电机驱动器中用于信号放大、滤波及传感器信号调理。其宽电源电压范围和稳健的设计，能适应嘈杂的工业环境。
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: FFD08S60S-F085

产品介绍：FFD08S60S-F085是安森美(onsemi)推出的一款Stealth? II系列超快软恢复整流二极管，特别适合要求高效率、低噪声的开关电源应用。
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: PZTA42T1G

PZTA42T1G是ON Semiconductor（安森美）推出的一款高性能、高电压NPN双极结型晶体管（BJT），采用紧凑的SOT-223-3表面贴装封装（也称为TO-261-4）。它属于安森美小信号高压晶体管产品系列，专为需要高电压处理能力和通用放大功能的应用而设计。
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: PCA9535ECDWR2G

产品介绍：PCA9535ECDWR2G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款16位I/O扩展器。它属于接口芯片类别，具体功能是通过I2C总线为微控制器（MCU）提供额外的通用输入/输出（GPIO）端口。
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: MC74HCT4851ADR2G

产品介绍： MC74HCT4851ADR2G是安森美（ON Semiconductor）推出的一款8通道模拟多路复用器/解复用器（Multiplexer/Demultiplexer）。它采用SOIC-16封装，属于数字控制的模拟开关芯片，专用于信号路由与选择。
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: IRFP4468PBF

IRFP4468PBF是英飞凌科技推出的一款单颗N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用标准的TO-247通孔封装，是一款专为处理极高功率而设计的重型开关器件。
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: BAT54LT1G

产品介绍：BAT54LT1G是安森美半导体(ON Semiconductor)推出的低VF双串联肖特基二极管，采用SOT-23-3超微型封装，以其0.25V超低正向压降和高速开关特性成为便携式设备的选择。
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: BAT54T1G

产品介绍：BAT54T1G是安森美(ON Semiconductor)推出的双串联肖特基势垒二极管，采用SOT-23-3超微型封装，以其超低正向压降和高速开关特性成为小信号整流的理想选择。
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