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MC74HCT4851ADR2G
产品介绍: MC74HCT4851ADR2G是安森美(ON Semiconductor)推出的一款8通道模拟多路复用器/解复用器(Multiplexer/Demultiplexer)。它采用SOIC-16封装,属于数字控制的模拟开关芯片,专用于信号路由与选择。更多 +

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IRFP4468PBF
IRFP4468PBF是英飞凌科技推出的一款单颗N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用标准的TO-247通孔封装,是一款专为处理极高功率而设计的重型开关器件。更多 +

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MBR0540T1G
产品介绍:三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。 这些器件为无引线 34 封装样式提供了方便的替代方案。更多 +

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FGY75T120SQDN
产品介绍:FGY75T120SQDN这款绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有坚固且成本效益高的超场停止沟槽结构,并在苛刻的开关应用中提供卓越的性能,同时提供低导通电压和最小的开关损耗。IGBT非常适合于UPS和太阳能应用。器件中集成了一个具有低正向电压的软快速共封装自举二极管。更多 +

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NXH350N100H4Q2F2S1G
安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。更多 +

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FGH40T120SMD
安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。更多 +

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NTHD4508NT1G
产品介绍:NTHD4508NT1G: NPN 双极晶体管 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。更多 +

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MMUN2116LT1G
产品介绍:MMUN2116LT1G: NPN 双极晶体管 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。更多 +

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SCH1433-TL-H
产品介绍:SCH1433-TL-H: N 沟道增强型场效应晶体管 20V,3.5A,SOT-563-6。 此类 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻,可提供出色的开关性能。更多 +

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MC74ACT08DR2G
产品介绍: Intel以太网网络控制器是独立的紧凑型控制器,具有集成式千兆以太网媒体访问控制(MAC)和物理层(PHY),或者旨在通过集成式媒体访问控制(MAC)连接适当英特尔芯片组的物理层(PHY)。这些设备均设计用于空间狭小的桌面、工作站和个人手提电脑网络设计。通过每台设备均可在所占空间与当前一代10/100Mbps快速以太网设计兼容的狭小空间内实现千兆位以太网。更多 +

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FGH60N60SMD
安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。更多 +

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RURG3060CC
产品介绍:RURG3060CC是一款超快双通道二极管,具有低正向特性电压降。该装置旨在用作飞轮,并且各种开关电源和其他电源中的箝位二极管电源开关应用。它特别适用于开关电源和工业应用。更多 +

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IKW40N120H3
安森美ON Semiconductor 40A1200V IGBT可以很容易的并行工作,低导通和开关损耗。ON半导体IKW40N120H3 IGBT是理想的应用,低导通和开关损耗是必不可少的。英飞凌IGBT,广泛应用于电磁炉,电机,电焊机行业。更多 +

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FGHL50T65SQDT
安森美ON Semiconductor FGHL50T65SQDT IGBT是第四代现场停止IGBT提供最优性能。IGBT可以很容易的并行工作,低导通和开关损耗。ON半导体FGHL50T65SQDT IGBT是理想的应用,低导通和开关损耗是必不可少的。这些包括太阳能逆变器,UPS,焊机,电信,ESS和PFC应用。更多 +
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