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: RURG3060CC

产品介绍：RURG3060CC是一款超快双通道二极管，具有低正向特性电压降。该装置旨在用作飞轮，并且各种开关电源和其他电源中的箝位二极管电源开关应用。它特别适用于开关电源和工业应用。
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: IKW40N120H3

安森美ON Semiconductor 40A1200V IGBT可以很容易的并行工作，低导通和开关损耗。ON半导体IKW40N120H3 IGBT是理想的应用，低导通和开关损耗是必不可少的。英飞凌IGBT，广泛应用于电磁炉，电机，电焊机行业。
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: FGHL50T65SQDT

安森美ON Semiconductor FGHL50T65SQDT IGBT是第四代现场停止IGBT提供最优性能。IGBT可以很容易的并行工作，低导通和开关损耗。ON半导体FGHL50T65SQDT IGBT是理想的应用，低导通和开关损耗是必不可少的。这些包括太阳能逆变器，UPS，焊机，电信，ESS和PFC应用。
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: MMSZ24T1G

产品介绍：三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。这些器件为无引线 34 封装样式提供了方便的替代方案。
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: FGH60N60UFDTU

产品介绍：FGH60N60UFD: IGBT，650V，20A，1.8V，TO-247，低 VCE(ON)，场截止。安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
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: BAS16XV2T1G

产品介绍：小信号开关二极管安森美半导体小信号开关二极管是由各种符合AEC-Q101标准的器件组成的广泛产品组合。有单二极管、双二极管和三根二极管配置可供选择。
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: NCP1380DDR2G

产品介绍：NCP1380DDR2G 是安森美（ON Semiconductor）生产的一款高性能?准谐振电流模式 PWM 控制器,专为高效、低噪声的适配器、电视辅助电源、充电器等需高效隔离转换的中小功率设计,尤其适合对低待机功耗有严格要求的产品。
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: FGA60N65SMD

产品介绍：FGA60N65SMD: IGBT，650V，60A，场截止。安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
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: NDT3055

产品介绍：NDT3055: N 沟道增强型场效应晶体管 60V，4A，100mΩ。此类 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供出色的开关性能。
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: FDP075N15A-F102

产品介绍：安森美半导体云电源管理解决方案能在提高效率的同时，简化系统设计、减少电路板占用空间、提高可靠性并加速产品上市。到2030年预计世界能源需求将增加35％至40％，安森美半导体以其高能效特色为主要工业产品供电，节省人们日常使用的能源。
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: FQP4N90C

产品介绍：此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
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: FOD3120SD

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar? 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。
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: FGL40N120ANDTU

产品介绍：安森美半导体的AN系列IGBT采用NPT技术，提供了低导通和开关损耗。AN系列为感应加热(IH)、电机控制、通用型逆变器和不中断电源 (UPS) 等应用提供方案。
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: FGH60T65SHD-F155

产品介绍：安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
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[行业资讯]赋能绿色能源与智造升级：安森美“芯”力量驱动工业光伏储能与伺服系统高效进化2025年07月25日 16:25: 在工业级光伏储能系统中，客户时常面临高功率密度、高效率、长寿命以及系统成本优化的多重挑战。碳化硅方案在储能端可大幅降低电池成本，已成为客户提升能效的关键选择。; 阅读（49）标签：

[行业资讯]安森美助力NVIDIA AI系统检测实验室，自动驾驶安全生态再升级2025年07月24日 17:34: 物理AI正在为自动驾驶和机器人开发技术的交叉领域释放新的可能性，尤其是加速了自动驾驶汽车的开发。正确的技术与框架对确保自动驾驶汽车驾驶员、乘客和行人的安全至关重要。近日，NVIDIA推出了NVIDIA Halos综合安全系统，将NVIDIA的汽车硬件、软件安全解决方案与其自动驾驶汽车安全领域前沿的AI研究相结合。; 阅读（45）标签：

[行业资讯]安森美定制MOSFET方案，拯救客户12V电动助力转向系统生产危机2025年07月22日 17:45: 汽车行业竞争激烈，节奏飞快，只有快速适应和持续创新才能让企业立于不败之地。在本成功案例中，安森美 (onsemi)深入理解并解决客户痛点，及时快速向客户交付了适用于其 12 V 电动助力转向系统 (EPS) 的创新解决方案。; 阅读（51）标签：

[公司动态]NCP1380DDR2G芯片参数及应用解析-深尚想2025年06月03日 11:16: 深尚想 NCP1380DDR2G 是安森美（ON Semiconductor）生产的一款高性能准谐振电流模式 PWM 控制器，专为高效、低噪声的离线式开关电源设计。; 阅读（50）标签：

[公司动态]FCH072N60F芯片参数及应用解析(已停产)及替代型号-深尚想2025年06月03日 10:04: 深尚想 FCH072N60F 是一款高性能的 N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现属安森美ON Semiconductor）设计生产。它属于 SuperFET? II FRFET? 系列，采用先进的超级结（Super-Junction）技术和电荷平衡设计，专为高效功率转换应用优化。; 阅读（43）标签：

[常见问题]安森美场效应管有什么特点？2022年07月24日 15:08: 与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。 (1)、场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流); (2)、场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻(107～1012Ω)很大。 (3)、它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好; (4)、它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数; (5)、场效应管的抗辐射能力强; (6)、由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。; 阅读（37）标签：常见问题

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