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MMBT2222ALT1G
产品介绍：MMBT2222AL: NPN 双极晶体管 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。更多 +
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MP2359DJ-LF-Z
MP2359 是一款内置功率 MOSFET 的单片降压开关转换器。在宽输入范围内，可提供 1.2A 的峰值输出电流，具有极好的负载和线性调节性能。电流控制模式提供了快速瞬态响应，并使环路更易稳定。故障保护包括逐周期限流保护和过温保护。MP2359 采用 TSOT23-6 和 SOT23-6封装，最大限度地减少了现有外部元器件的使用。更多 +
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MP4026GJ-Z
MP4026是一款原边控制离线LED控制器，可为FCTSOT封装中的隔离式单级功率照明应用提供高功率因数和精确的LED电流。它是广泛应用的MP4021A下一代产品。其专有的实时电流控制方法可通过原边信息精确控制LED电流，具有良好的线性和负载调整率。原边控制减少了副边反馈组件和光耦合器，从而大大简化了LED照明系统的设计。MP402集成了功率因数校正功能，采用临界导通模式，减少了MOSFET开关损耗。更多 +
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MP1494DJ-LF-Z
MP1494 是一款内置功率 MOSFET 的高频同步整流降压开关变换器。它提供了非常紧凑的解决方案，在宽输入范围内可实现 2A 的连续输出电流，具有出色的负载和线性调整率。MP1494 在输出电流负载范围内采用同步工作模式以达到高效率。其电流控制模式提供了快速瞬态响应，并使环路更易稳定。全方位保护包括过流保护和过温关断保护。MP1494 最大限度地减少了现有标准外部元器件的使用，采用节省空间的 8引脚TSOT23 封装。更多 +
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MP150GJ-Z
MP150 是一款原边调节器，可以在无光耦合器的条件下提供精确的恒压（CV）调节。MP150 支持降压、升降压、升压和反激拓扑。它内部集成了 500V MOSFET，可简化结构，节约成本，是离线低功率应用的理想之选，如家用电器和备 用电源。MP150 是一款绿色节能型调节器。当负载减轻，它的峰值电流和开关频率均会随之降低，这种特性使其在轻载时能达到极高的效率，有效地提升了芯片的整体平均效率。MP150 具备多种保护功能， 包括热保护（TSD）、VCC 欠压锁定保护（UVLO）、过载保护（OLP）、短路保护（SCP）和开环保护。MP150 有TSOT23-5 和SOIC8 两种封装可选。更多 +
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MP2303ADN-LF-Z
MP2303 是一款单片同步降压调节器。该器件集成了内部功率MOSFET，可在4.75V至28V的宽工作输入电压范围内提供3A连续负载电流。其电流控制模式提供了快速瞬态响应，并使环路更易稳定。可调软启动功能可避免启动时的浪涌电流。在关断模式下，电源电流低至1μA。该器件采用8引脚SOIC和3mmx3mm 10引脚QFN封装，可提供非常紧凑的系统解决方案，最大限度降低了对外部组件的依赖。更多 +
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ADG811YRUZ
产品介绍：Analog Devices提供种类繁多的模拟开关和多路复用器，包括覆盖了各种信号范围的单通道或多通道开关元件， 并提供多种封装形式，能够更好地满足客户的应用需求。这些模拟开关和多路复用器广泛应用于工业、仪器仪表、医疗、消费电子、通信和汽车系统等领域，而且应用范围还在不断扩大。更多 +
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CSD19505KCS
Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩，采用SON5mmx6mm塑料封装。更多 +
- [常见问题]芯片是方形的，晶圆为什么是圆形的？2025年04月14日 17:44
- 晶圆的圆形设计源于制造工艺的限制和生产效率的优化，而芯片的方形设计则是因为切割、封装和晶圆利用率的考虑。尽管圆形晶圆在边缘区域存在一定的浪费，但从整体工艺和良品率的角度来看，这种形状组合是当前芯片制造的最佳选择。
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- [公司动态]速来围观，新品单片无线发射电路2022年11月18日 16:54
- PL1165S8为单片无线发射电路，采用ESOP8封装，可与MCU配套完成单向发射功能，该单芯片无线收发器集成包括：频率综合器、功率放大器、晶体振荡器、GFSK 调制器等模块。输出功率、信道选择与协议等可以通过 SPI 或 I2C 接口进行灵活配置。内置地址及 FEC、CRC 校验功能。芯片发射功率最大可以达到 5.5dBm。
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- [行业资讯]高频整流二极管和普通整流二极管有什么不同2022年09月14日 10:00
- 整流二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。整流二极管漏电流较大，多数采用面接触性料封装的二极管。整流二极管的外形如图1所示，另外，整流二极管的参数除前面介绍的几个外，还有最大整流电流，是指整流二极管长时间的工作所允许通过的最大电流值。它是整流二极管的主要参数，是选项用整流二极管的主要依据。
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- [常见问题]光耦常见的几种连接方式2022年07月25日 17:44
- 光耦合器(optICalcoupler，英文缩写为OC)亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电——光——电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于它具有体积小、寿命长、无触点，抗干
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- [常见问题]ESD二极管和普通二极管有什么区别？2022年07月07日 17:58
- TVS二极管和ESD静电保护二极管，这两者工作原理是一样，只是在功率、参数、封装形式、应用场合等方面会有差异，具体表现在这几方面： ESD静电二极管，主要功能是防静电，防静电防护就要求电容值要低，一般在1--3.5PF之间是好的;然而，TVS二极管的电容值却比较高，不适合应用在信号接口的电路保护中; ESD保护二极管，主要应用于板级保护;TVS二极管用于初级和次级保护; 选用ESD静电二极管时，更多看的是ESD二极管的的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000
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- [行业资讯]IGBT打通汽车能量流 缺货加速国产替代2022年06月17日 22:01
- IGBT 是汽车电能转换的关键连接器。IGBT 器件在新能源汽车主逆变器、车载充电器(OBC)、升压换流器及辅助系统中被广泛应用。其中，主逆变器IGBT以模块形式为主，纯电动车需要1-2 个，混动汽车需要2-3 个，单价从650元到2000 元不等；同时，成本较低的IGBT 单管方案正在逐步渗透：以120KW电机为例，单管方案比模块方案成本降低约40%。此外，由于汽车零部件时常暴露高温、高湿、高压环境中下，要求车规级半导体可承受温度区间达-40-150(工业级：-40-105)且产品寿命需达15 年及以上，因此车用IGBT 技术难度大且封装要求高。
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- [常见问题]IC封装需要考虑的关键因素有哪些？2021年03月24日 16:05
- 为了提供更多的功能，芯片变得越来越大，但是相反，封装却被要求以更小的尺寸来容纳这些更大尺寸的裸片。这就不可避免地要求，新的候选封装技术既能提高系统效率又能降低制造成本。 封装创新涉及的领域包括更广泛的额定电流和额定电压、散热及故障保护机制等。本文列出了工程师在为半导体器件评估封装技术特性时需要考虑的关键因素。 我们从最通常的疑惑开始：小型的封装尺寸。 1.更小的封装尺寸 现在，我们希望IC封装能够节省电路板空间，帮助实现更坚固的设计，并通过省去一些外部元器件来降低PCB的组装
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- [常见问题]IC封装需要考虑的关键因素有哪些？2021年02月04日 15:20
- 为了提供更多的功能，芯片变得越来越大，但是相反，封装却被要求以更小的尺寸来容纳这些更大尺寸的裸片。这就不可避免地要求，新的候选封装技术既能提高系统效率又能降低制造成本。 封装创新涉及的领域包括更广泛的额定电流和额定电压、散热及故障保护机制等。本文列出了工程师在为半导体器件评估封装技术特性时需要考虑的关键因素。 我们从最通常的疑惑开始：小型的封装尺寸。 1.更小的封装尺寸 现在，我们希望IC封装能够节省电路板空间，帮助实现更坚固的设计，并通过省去一些外部元器件来降低PCB的组装
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- [公司动态]上游LED芯片与原物料供应短缺，光电耦合组件产品价格2021年喊涨2021年01月23日 18:03
- TrendForce集邦咨询旗下光电研究处表示，受惠于快速充电，电动车充电桩需求增长，以及消费家电与工业控制等产业景气回温，导致上游芯片与原物料短缺，连带使得应用于上述终端产品的光电耦合组件(Photocoupler)将在2021年陆续调涨价格。 TrendForce集邦咨询进一步指出，在半导体缺货效应影响下，主要供货商如台湾地区LED业者、日本、欧美大厂目前皆计划调涨光电耦合组件价格，以因应原材料如红外线LED芯片，贵金属与封装胶材的上涨，光宝(Lite-On)率先公告将于
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