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: MP2359DJ-LF-Z

MP2359 是一款内置功率 MOSFET 的单片降压开关转换器。在宽输入范围内，可提供 1.2A 的峰值输出电流，具有极好的负载和线性调节性能。电流控制模式提供了快速瞬态响应，并使环路更易稳定。故障保护包括逐周期限流保护和过温保护。MP2359 采用 TSOT23-6 和 SOT23-6封装，最大限度地减少了现有外部元器件的使用。
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: MP4026GJ-Z

MP4026是一款原边控制离线LED控制器，可为FCTSOT封装中的隔离式单级功率照明应用提供高功率因数和精确的LED电流。它是广泛应用的MP4021A下一代产品。其专有的实时电流控制方法可通过原边信息精确控制LED电流，具有良好的线性和负载调整率。原边控制减少了副边反馈组件和光耦合器，从而大大简化了LED照明系统的设计。MP402集成了功率因数校正功能，采用临界导通模式，减少了MOSFET开关损耗。
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: MP1494DJ-LF-Z

MP1494 是一款内置功率 MOSFET 的高频同步整流降压开关变换器。它提供了非常紧凑的解决方案，在宽输入范围内可实现 2A 的连续输出电流，具有出色的负载和线性调整率。MP1494 在输出电流负载范围内采用同步工作模式以达到高效率。其电流控制模式提供了快速瞬态响应，并使环路更易稳定。全方位保护包括过流保护和过温关断保护。MP1494 最大限度地减少了现有标准外部元器件的使用，采用节省空间的 8引脚TSOT23 封装。
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: MP150GJ-Z

MP150 是一款原边调节器，可以在无光耦合器的条件下提供精确的恒压（CV）调节。MP150 支持降压、升降压、升压和反激拓扑。它内部集成了 500V MOSFET，可简化结构，节约成本，是离线低功率应用的理想之选，如家用电器和备用电源。MP150 是一款绿色节能型调节器。当负载减轻，它的峰值电流和开关频率均会随之降低，这种特性使其在轻载时能达到极高的效率，有效地提升了芯片的整体平均效率。MP150 具备多种保护功能，包括热保护（TSD）、VCC 欠压锁定保护（UVLO）、过载保护（OLP）、短路保护（SCP）和开环保护。MP150 有TSOT23-5 和SOIC8 两种封装可选。
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: MP2303ADN-LF-Z

MP2303 是一款单片同步降压调节器。该器件集成了内部功率MOSFET，可在4.75V至28V的宽工作输入电压范围内提供3A连续负载电流。其电流控制模式提供了快速瞬态响应，并使环路更易稳定。可调软启动功能可避免启动时的浪涌电流。在关断模式下，电源电流低至1μA。该器件采用8引脚SOIC和3mmx3mm 10引脚QFN封装，可提供非常紧凑的系统解决方案，最大限度降低了对外部组件的依赖。
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: JL82599ES

产品介绍：英特尔82599 10千兆位以太网控制器，它是单芯片，双端口10GbE实施，采用25x25毫米封装。它通过集成串行10GbE PHY降低了BOM成本和设计复杂性，并提供了SFI和KR接口。该设备旨在实现高性能和较低的内存延迟。
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: FOD3120SD

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar? 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。
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: FOD3182SD

产品介绍： FOD3182是一款3A输出电流，高速MOSFET门极驱动器光耦合器。它包含一个与CMOS检测器进行光耦合的镓铝砷(AlGaAs)发光二极管(LED)，该检测器带有集成了PMOS和NMOS输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板(PDP)、电机控制逆变器应用和高性能DC-DC转换器中使用的功率MOSFET的高频驱动。该器件封装在8引脚双线内外壳中，可兼容260°C回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。
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: ADG811YRUZ

产品介绍：Analog Devices提供种类繁多的模拟开关和多路复用器，包括覆盖了各种信号范围的单通道或多通道开关元件，并提供多种封装形式，能够更好地满足客户的应用需求。这些模拟开关和多路复用器广泛应用于工业、仪器仪表、医疗、消费电子、通信和汽车系统等领域，而且应用范围还在不断扩大。
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: CSD19505KCS

Texas Instruments NexFET N通道功率MOSFET设计用于在功率转换应用中最大限度地降低损耗。这些N通道器件具有超低Qg和Qd以及低热阻。这些器件可以耐受雪崩，采用SON5mmx6mm塑料封装。
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[公司动态]SN74LVC1G08DBVR 德州仪器（TI）逻辑芯片IC 电源芯片 ESD保护2025年08月01日 14:02: SN74LVC1G08DBVR 是德州仪器（TI）推出的单路2输入AND门芯片，采用纳米级CMOS工艺，专为便携设备、IoT模块、工业控制等空间受限场景设计。以SOT-23-5超小封装和1.65V~5.5V宽电压特性，成为数字逻辑电路IC ！; 阅读（44）标签：

[公司动态]ISL95870BIRZ-T 瑞萨电子多相PWM控制器【CPU/GPU供电/AI服务器/超算中心】2025年07月17日 17:46: ISL95870BIRZ-T是Renesas（瑞萨电子）最新推出的6+2相数字PWM控制器，采用QFN-48封装，专为下一代CPU/GPU供电、AI服务器、超算中心等极限应用而生！这款芯片凭借业界首个自适应多相控制技术和98%的峰值效率，正在掀起一场电源管理革命！; 阅读（42）标签：

[公司动态]ISL8121IRZ-T 瑞萨电子Renesas高效双路同步降压控制器【5G基站、AI服务器】专用2025年07月17日 17:08: ISL8121IRZ-T是Renesas（瑞萨电子）最新推出的双路同步降压控制器，采用QFN-24封装，专为5G基站、AI服务器、高端GPU供电等严苛应用打造。这款芯片凭借业界领先的转换效率（高达97%）和智能数字控制技术，正在重新定义大电流电源解决方案的标准！; 阅读（46）标签：

[公司动态]HIP4082IBZT 全桥MOSFET驱动器【高效能动力控制核心】2025年07月17日 16:11: HIP4082IBZT是Renesas（瑞萨电子）推出的一款全桥N沟道MOSFET驱动器，采用SOIC-16封装，专为H桥电机驱动、DC-AC逆变器等应用设计。该芯片具备高驱动能力、低传播延迟和智能死区控制，可显著提升功率转换效率，适用于工业自动化、新能源及消费电子等领域。; 阅读（44）标签：

[公司动态]ACS758LCB-050B Allegro隔离电流传感器2.4kV+120kHz高精度能源监控专家！2025年07月08日 15:26: ACS758LCB-050B-PFF-T是Allegro MicroSystems推出的基于霍尔效应的隔离式电流传感器，采用CB-5封装，可精准测量±50A直流/交流电流，具有低噪声、高线性度特性，适用于工业控制、新能源及汽车电子等高可靠性场景。; 阅读（56）标签：

[公司动态]A1126LLHLX-T Allegro霍尔效应锁存器，5kHz+推挽输出，汽车级转速检测专家！2025年07月07日 15:03: A1126LLHLX-T是Allegro MicroSystems推出的全极性霍尔效应锁存器，采用超薄SOT-23W封装（1mm厚度），专为高可靠性位置检测与转速测量设计，具有低功耗、高抗干扰特性，适用于汽车、工业和消费电子领域。; 阅读（34）标签：

[公司动态]A1102LLHLX-T Allegro全极性级霍尔开关，3μA+全极触发，位置检测新标杆！2025年07月07日 11:44: A1102LLHLX-T是Allegro MicroSystems推出的全极性霍尔效应开关，采用超薄SOT-23W封装（厚度仅1mm），专为位置检测和接近传感设计，具有低功耗、高灵敏度特性，适用于消费电子、工业设备和汽车电子等场景。; 阅读（35）标签：

[公司动态]IXFH320N10T2 IXYS 超快二极管MOS 工业级超高电流开关应用2025年07月04日 17:43: IXFH320N10T2是IXYS（现属Littelfuse）推出的100V/320A N沟道功率MOSFET，采用TO-247 Plus封装，专为超高电流开关应用设计，适用于电动车辆、工业电源和大功率逆变器等场景。; 阅读（43）标签：

[公司动态]WG50N65DHWQ 威世绝缘栅双极晶体管(IGBT) 高能效电源核心器件！2025年07月04日 17:26: WG50N65DHWQ 是 WeEn（威世半导体）推出的 650V/50A 超结MOSFET（Super Junction MOSFET），采用 TO-247封装，专为高效率电源转换和电机驱动设计，适用于工业、新能源、电动汽车等高功率应用场景。; 阅读（54）标签：

[常见问题]芯片是方形的，晶圆为什么是圆形的？2025年04月14日 17:44: 晶圆的圆形设计源于制造工艺的限制和生产效率的优化，而芯片的方形设计则是因为切割、封装和晶圆利用率的考虑。尽管圆形晶圆在边缘区域存在一定的浪费，但从整体工艺和良品率的角度来看，这种形状组合是当前芯片制造的最佳选择。; 阅读（44）标签：

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