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: ES2D-E3/52T

ES2D-E3/52T是Vishay（威世半导体）生产的一款高效超快恢复整流二极管,采用DO-214AC（SMA）封装,凭借快速开关、低损耗、高可靠性?等优势,广泛应用于电源管理、工业控制、消费电子等领域！
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: PMBT2907A,215

PMBT2907A,215是Nexperia（安世半导体）生产的一款PNP型通用双极结型晶体管（BJT），采用SOT-23表面贴装封装，适用于低功耗开关和放大电路。
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: AD622ARZ-R7

产品介绍：AD622ARZ-R7是ADI（Analog Devices Inc.）推出的一款高精度仪表放大器（Instrumentation Amplifier），采用SOIC-8封装，具有低噪声、高共模抑制比（CMRR）和出色的线性度，适用于高精度信号放大和测量应用。
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: MBR0540T1G

产品介绍：三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。这些器件为无引线 34 封装样式提供了方便的替代方案。
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: TAU951M-P200

产品介绍：TAU951M-P2 系列是一款全系统双频高精度 RTK 导航定位模块,基于华大北斗自研的新一代 CYNOSURE IV 双核 SoC 芯片设计,支持 BDS、GPS、GLONASS、Galileo、QZSS、IRNSS、SBAS 所有载频卫星信号,同时支持北斗三号系统。 CYNOSURE IV 架构采用 22nm 先进工艺，内置双核 MCU 和 8Mbit MRAM，集成多频全系统 GNSS 射频基带。该模块具有更高的灵敏度、更优秀的抗干扰和抗多径效应能力，可在复杂环境中提供具有高度稳定性的服务。 TAU951M-P2 系列模块机械尺寸仅 16.0mm×12.2mm×2.4mm，采用了 LCC 封装设计，其高性能、小尺寸、低功耗可满足客户不同场景下的使用需求，广泛应用于割草机、智能驾驶、无人机、高精度手持设备、智慧农业、车辆测绘等高精度导航定位领域。
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: TAU1308-1216A00

产品介绍：TAU1308-1216A00是华大北斗（HDSC）推出的高性能单北斗定位模块，采用12×16×2.4mm LCC封装，支持北斗三号B1I频点，定位精度较二代提升40%，是车载导航、物流追踪等中端定位应用?的理想选择。
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: LTW-C191DS5

产品介绍：BAV99L: 100 V 开关二极管，双，串联此开关二极管适用于高速开关应用。此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。
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: LTR-F216A

产品介绍：BAV99L: 100 V 开关二极管，双，串联此开关二极管适用于高速开关应用。此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。
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: BAV99LT1G

产品介绍：BAV99L: 100 V 开关二极管，双，串联此开关二极管适用于高速开关应用。此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。
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: LTST-C190KSKT

产品介绍：BAV99L: 100 V 开关二极管，双，串联此开关二极管适用于高速开关应用。此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。
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: LTST-G563EGBW

产品介绍：BAV99L: 100 V 开关二极管，双，串联此开关二极管适用于高速开关应用。此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。
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: SUP70101EL-GE3

产品介绍：SUP70101EL-GE3是Vishay Siliconix推出的30V N沟道MOSFET，采用PowerPAKSO-8封装，专为高效率电源管理和负载开关应用优化设计。
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: FGY75T120SQDN

产品介绍：FGY75T120SQDN这款绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有坚固且成本效益高的超场停止沟槽结构，并在苛刻的开关应用中提供卓越的性能，同时提供低导通电压和最小的开关损耗。IGBT非常适合于UPS和太阳能应用。器件中集成了一个具有低正向电压的软快速共封装自举二极管。
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: SC4541SKTRT

产品介绍： SC189 是一款高效率、同步降压稳压器，采用超小型 2mm x 2mm 薄型封装或低成本 SOT23-5 封装，可提供高达 1.5A 的输出电流。
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: ECLAMP2465T.TCT

电子钳?2465T是一种结合EMI滤波器和线路终端设备的组合，内置TVS二极管，用于手机和其他便携式电子设备的SIM卡接口。这种先进的设备利用固态硅雪崩技术，具有优越的钳位性能和直流电气特性。该设备由三个电路组成，包括用于正确终止SIM卡接口的串联阻抗匹配电阻。在复位和数据线上包含100欧姆的终止电阻，在CLK线上包含47欧姆。每条线上还包含TVS二极管，以提供超过士15kV(空气放电)和士8kV(接触放电)的ESD保护，符合IEC61000-4-2，第4级。还包含额外的TVS二极管连接，以保护电压(Vcc)总线。 EClamp2465T封装在8引脚、符合RoHS/WEEE标准的SLP1713P8T封装中。它的尺寸为1.7x1.3毫米，标称高度仅为0.4毫米。引脚间距为0.4毫米，并采用无铅NiPdAu完成。这个小封装使其非常适合用于便携式电子设备，如手机和数码相机。
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: BT158W-1200TQ

产品介绍：BT158W-1200TQ是瑞能半导体（WeEn Semiconductors）推出的一款采用SOT429N（TO-247）塑料封装的平面钝化可控硅整流器（SCR）晶闸管。该器件属于瑞能标准恢复型SCR产品组合,采用先进的平面钝化工艺制造,专为需要极高浪涌电流承受能力和高热循环性能的应用而设计。
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: FF600R12ME4

产品介绍：IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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: NTHD4508NT1G

产品介绍：NTHD4508NT1G: NPN 双极晶体管该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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: MMUN2116LT1G

产品介绍：MMUN2116LT1G: NPN 双极晶体管该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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: SX1268/SX1262

LoRa透传模组系列,内置MCU和LoRa芯片，降低用户开发和使用的难度和时间，提供TTL串口进行通信。终端模组的出厂默认波特率都为 9600 bps，可指令修改。其中，HL9/HL10/HL20/HL16 都支持低功耗串口通信(在9600及以下波特率)。可在深度休眠模式下自动唤醒，无需控电设计，通信操作简单。HL9/HL9P/HL10 模组支持二次开发。为方便用户自行选择MCU进行LoRa应用程序开发，我们重新设计几款不含MCU的LoRa射频模组，提供SPI接口供用户进行编程。XL6和XL8 大小封装一致。提供TTL串口通信，支持透传和AT指令切换。不支持低功耗串口，需要通过唤醒IO(WK1/WK2)唤醒后进行串口操作。出厂默认波特率115200，指令兼容LoRa透传模组指令，但是有些参数不支持配置。
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