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: BSS127S-7

产品介绍：BSS127S-7是DIODES（美台）推出的小信号N沟道增强型MOSFET，它采用先进的平面工艺技术，在标准的SOT-23微型封装内，集成了600V高漏源击穿电压、70mA连续漏极电流、160Ω导通电阻以及1.08nC低栅极电荷，并以低输入电容、低输入/输出漏电、高BVDSS额定值等特性，为对PCB空间和高压耐受均有严格要求的紧凑型高压电路提供了兼具高性能、高可靠性与小尺寸的理想开关方案。
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: US1M_HF

产品介绍：US1M_HF是DIODES（美台）推出的 1A/1000V超快恢复整流二极管，它采用成熟的玻璃钝化芯片（Glass Passivated Chip）工艺，在紧凑的SMA（DO-214AC）表面贴装封装内，实现了1000V高反向耐压、1A连续正向电流、75ns超快反向恢复时间以及高达30A的正向浪涌承受能力，并以低至1.65V的典型正向压降有效降低导通损耗，为高频开关电源、AC-DC适配器、LED照明驱动和各类高压小功率电源系统提供了兼具高性能、高可靠性与紧凑尺寸的理想整流解决方案。
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: ES2D_HF

产品介绍：ES2D_HF是DIODES（美台）推出的超快恢复整流二极管，它采用成熟的玻璃钝化芯片工艺，在紧凑的SMB（DO-214AA）表面贴装封装内，集成了200V高反向耐压、2A连续正向电流、25ns超快反向恢复时间以及高达50A的正向浪涌承受能力，并以低至920mV的典型正向压降显著降低导通损耗，为高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器和各类电机驱动电路提供了兼具高性能、高可靠性与紧凑尺寸的理想整流解决方案。
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: RHRG75120

FDA70N20是ONSEMI（安森美）推出的 N沟道功率场效应管MOSFET晶体管，它基于成熟的 UniFET平面条形 DMOS 技术，采用TO-3PN通孔大功率封装，集成了200V高耐压、70A大电流承载能力、35mΩ低导通电阻以及417W高功率耗散能力，为各类要求高压、大电流功率转换的应用提供了兼具高性能、高可靠性与高性价比的开关解决方案，广泛应用于高效率、高可靠性的功率转换系统中。
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: STTH212U

产品介绍：STTH212U意法半导体（STMicroelectronics）推出的1200V 2A 超快恢复二极管，它采用ST独有的超快高压平面技术，在紧凑的SMB（DO-214AA）表面贴装封装内，实现了1200V高反向耐压、2A连续正向电流、仅75ns的超快反向恢复时间以及40A的高浪涌电流承受能力，并以低正向压降、软开关特性降低EMI干扰等综合优势，为高开关频率下的电源转换系统提供了兼具高效率、高可靠性与小尺寸的理想整流解决方案。
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: MMBD7000LT1G

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: BAS516

产品介绍：BAS516是NXP（恩智浦）推出的超小型高速硅信号开关二极管，反向漏电流极低（最高30nA），可提升电路工作效率；反向耐压100V，最大连续正向电流250mA，导通压降约1.2V，工作温度范围宽（最高可达150℃）主打高频、高速开关场景，是目前电子设计中高频信号处理的常用器件。
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: IRLML2402TRPBF

产品介绍：IRLML2402TRPBF 是英飞凌科技推出的一款单颗N沟道小信号MOSFET功率开关二极管。它采用超小型的 SOT-23 表面贴装封装，是一款专为低电压、小功率、高密度的电路控制而设计的通用型器件。
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: IRF7351TRPBF

产品介绍：IRF7351TRPBF 是英飞凌科技推出的一款双N沟道MOSFET功率开关二极管。它采用先进的PQFN 3.3x3.3 mm封装，将两个高性能的MOSFET集成在一个芯片内。在开关电源（SMPS）中，如服务器/数据中心电源、通信设备电源、工业电源的次级整流侧，用于替代传统的肖特基二极管，大幅提升效率
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: 1N4148W-13-F

产品介绍：1N4148W-13-F?是?Diodes Incorporated（美台半导体）公司生产的一款?高速开关二极管，采用SOD-123表面贴装封装。高速开关：ns级开关速度，适用于高频电路；信号整流：小信号整流和检波功能；电压钳位：保护电路免受电压尖峰损害；信号调制：在通信电路中实现信号调制解调
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: BAV99WT1G

产品介绍：BAV99WT1G是(安森美ON Semiconductor)研发的双串联高速开关二极管，采用业界标准的SOT-323微型封装。该器件集成了两个独立二极管单元，专为精密信号处理和高频应用优化设计。
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: BAW56LT1G

产品介绍：BAW56LT1G是安森美(ON Semiconductor)推出的双串联开关二极管，采用超小型SOT-23-3封装。这款器件集成了两个高性能二极管，专为高速开关和信号处理应用优化设计。
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: LTW-C191DS5

产品介绍：BAV99L: 100 V 开关二极管，双，串联此开关二极管适用于高速开关应用。此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。
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: LTR-F216A

产品介绍：BAV99L: 100 V 开关二极管，双，串联此开关二极管适用于高速开关应用。此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。
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: BAV99LT1G

产品介绍：BAV99L: 100 V 开关二极管，双，串联此开关二极管适用于高速开关应用。此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。
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: LTST-C190KSKT

产品介绍：BAV99L: 100 V 开关二极管，双，串联此开关二极管适用于高速开关应用。此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。
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: LTST-G563EGBW

产品介绍：BAV99L: 100 V 开关二极管，双，串联此开关二极管适用于高速开关应用。此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。
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: BYC75W-600PT2Q

产品介绍：BYC75W-600PT2Q 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。
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: BYC8-600P,127

产品介绍：BYC8-600P,127 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。
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: BAS16WS-G3-08

产品介绍：Vishay 是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一. Vishay元件用于工业, 计算机, 汽车, 消费, 电信, 军事, 航空及医疗市场的各种类型的电子设备中.Vishay 的全球足迹包括在中国, 亚洲其他五个国家/地区, 欧洲及美洲设立的制造机构, 以及在全球开设的销售办事处. Vishay 在技术, 成功收购战略,注重降低成本, 以及提供“一站式”服务已使该公司成为全球业界的领先者.
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