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1N5819HW-7-F
产品介绍:1N5819HW-7-F是DIODES(美台)一款面向表面贴装场景设计的肖特基势垒整流二极管,它采用SOD-123紧凑型贴片封装,整体尺寸仅2.85mm×1.7mm×1.25mm,外壳为UL94V-0阻燃等级的模塑塑料,工作温度覆盖-65℃~125℃。其反向恢复时间低于100ns,属于快恢复型肖特基二极管,适配高频开关电源、电机驱动续流、低压整流等场景,在电源、电机驱动等领域得到广泛应用。更多 +

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UCC27524DR
产品介绍:UCC27524DR 是德州仪器(Texas Instruments)推出的一款双通道、5A 高速低侧栅极驱动器,采用紧凑的SOIC-8 封装,专为驱动功率 MOSFET 和 IGBT 等开关器件而设计。它凭借5A 峰值拉灌电流、17ns 超低传播延迟、1ns 通道间延迟匹配以及4.5V 至 18V 宽电源电压范围,在开关电源、电机控制、太阳能逆变器和电动汽车充电等领域中广泛应用。更多 +

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FFD08S60S-F085
产品介绍:FFD08S60S-F085是安森美(onsemi)推出的一款Stealth? II系列超快软恢复整流二极管,特别适合要求高效率、低噪声的开关电源应用。更多 +

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CBB21B-MPB
产品介绍:CBB21B-MPB RC容钏电子是一款高性能金属化聚丙烯薄膜直流电容器,核心功能集中在直流电路中的高性能应用,凭借其优异的频率特性和稳定性广泛应用于:开关电源、LED驱动、家用电器、工业控制、新能源和消费电子。更多 +

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IRF7351TRPBF
产品介绍:IRF7351TRPBF 是英飞凌科技推出的一款双N沟道MOSFET功率开关二极管。它采用先进的PQFN 3.3x3.3 mm封装,将两个高性能的MOSFET集成在一个芯片内。在开关电源(SMPS)中,如服务器/数据中心电源、通信设备电源、工业电源的次级整流侧,用于替代传统的肖特基二极管,大幅提升效率更多 +

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IRFBG30PBF
IRFBG30PBF是Vishay威世推出的600V/30A N沟道功率MOSFET,采用第五代TrenchFET技术,专为开关电源、电机驱动、新能源逆变器等高功率场景设计。以85mΩ超低导通电阻和超快反向恢复,成为高效能电源系统的“能效引擎”!更多 +

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VS-E5PH6006L-N3
产品介绍:VS-E5PH6006L-N3是Vishay(威世)推出的一款600V/5A 超快恢复整流二极管(Ultra-Fast Recovery Diode),属于?高效能功率电子元件,主要用于高频开关电源、逆变器、电机驱动等需要快速开关和低损耗整流的应用。更多 +

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BYC75W-600PT2Q
产品介绍:BYC75W-600PT2Q 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构,其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声,由此降低开关晶体管中的功耗。更多 +

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BYC8-1200PQ
产品介绍:BYC8-1200PQ 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构,其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声,由此降低开关晶体管中的功耗。更多 +

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BYC8-600P,127
产品介绍:BYC8-600P,127 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构,其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声,由此降低开关晶体管中的功耗。更多 +

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BYC15-600PQ
产品介绍:BYC15-600PQ 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构,其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声,由此降低开关晶体管中的功耗。更多 +

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KGF75N65KDF-U/H
产品介绍:KGF75N65KDF-U/H是一款超快双通道二极管,具有低正向特性电压降。该装置旨在用作飞轮,并且各种开关电源和其他电源中的箝位二极管电源开关应用。它特别适用于开关电源和工业应用。更多 +
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