全站搜索 - 晶体管 - 晶体管-电源芯片-模数转换器-电解除湿器-IC电子元器件芯片分销商-深尚想信息

尚想信息：货源充足，快速发货

当前位置：首页 » 全站搜索 » 搜索：晶体管

: MMBT2907ALT1G

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
更多 +

: MMBZ5231BLT1G

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
更多 +

: AP7370-50SA-7

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
更多 +

: DMG2302UKQ-7

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
更多 +

: BSS127S-7

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
更多 +

: LTV-816S-TA1-B

产品介绍：LTV-816S-TA1-B是一款由 LITEON（光宝）生产的晶体管输出型光电耦合器,采用 SMD-4封装,支持表面贴装,适用于高密度PCB设计,以高隔离电压、宽电流传输比范围和卓越的温度适应性,成为在工业控制、电源管理等众多领域中实现安全电气隔离。
更多 +

: LTV-M601

产品介绍：LTV-M601是LITEON（光宝半导体）生产的一款单通道、高速逻辑输出型光电耦合器，采用SOP-5封装。它由红外LED与硅光电晶体管组成，实现输入输出电路间的电气隔离，具有高共模瞬变抗扰度（CMH, CML = ±15 kV/μs Min.）和高速（10 Mbps）特性。主要用于在电路之间实现高速数字信号的电气隔离与传输。
更多 +

: EL817S1(B)(TU)-FG

产品介绍：EL817S1(B)(TU)-FG是亿光电子（EVERLIGHT）生产的SOP4封装单通道、晶体管输出型的光电耦合器，隔离电压5000 Vrms，工作温度-40°C ~ +100°C，是由红外LED与硅光电晶体管组成，属于信号隔离与传输领域的基础核心硅光电晶体管。
更多 +

: BUK7M6R0-40HX

产品介绍：Nexperia（安世）是一家起源于荷兰的半导体公司。是全球领先的分立器件、逻辑器件和MOSFET器件的制造商。主要生产二极管、晶体管、ESD保护器件、逻辑ICs以及MOSFETs等分立和逻辑元件。
更多 +

: PZTA42T1G

PZTA42T1G是ON Semiconductor（安森美）推出的一款高性能、高电压NPN双极结型晶体管（BJT），采用紧凑的SOT-223-3表面贴装封装（也称为TO-261-4）。它属于安森美小信号高压晶体管产品系列，专为需要高电压处理能力和通用放大功能的应用而设计。
更多 +

: DMP6110SFDF-13

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
更多 +

: DMP6110SFDF-13

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
更多 +

: DMP10H400SK3-13

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
更多 +

: BSS316NH6327XTSA1

产品介绍：BSS316NH6327XTSA1是Infineon（英飞凌）公司推出的一款N沟道小信号MOSFET。它采用超小型的SOT-23表面贴装封装，是一款专为负载开关、电平转换和信号切换等低功率应用而设计的高效开关器件。
更多 +

: IRFP140NPBF

IRFP140NPBF是Infineon（英飞凌）公司推出的一款N沟道功率MOSFET。它采用经典的TO-247AC通孔封装，是一款专为高功率开关和线性放大应用而设计的重型晶体管。
更多 +

: IRLML2402TRPBF

产品介绍：IRLML2402TRPBF 是英飞凌科技推出的一款单颗N沟道小信号MOSFET功率开关二极管。它采用超小型的 SOT-23 表面贴装封装，是一款专为低电压、小功率、高密度的电路控制而设计的通用型器件。
更多 +

: IRLR3110ZTRPBF

产品介绍：IRLR3110ZTRPBF是英飞凌科技推出的一款单颗N沟道功率MOSFET晶体管/二极管。它采用先进的?DirectFET? MN 表面贴装封装，是一款专为高频率、高能效、高功率密度应用而设计的革命性产品。
更多 +

: IRFP4468PBF

IRFP4468PBF是英飞凌科技推出的一款单颗N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用标准的TO-247通孔封装，是一款专为处理极高功率而设计的重型开关器件。
更多 +

: IRF7351TRPBF

产品介绍：IRF7351TRPBF 是英飞凌科技推出的一款双N沟道MOSFET功率开关二极管。它采用先进的PQFN 3.3x3.3 mm封装，将两个高性能的MOSFET集成在一个芯片内。在开关电源（SMPS）中，如服务器/数据中心电源、通信设备电源、工业电源的次级整流侧，用于替代传统的肖特基二极管，大幅提升效率
更多 +

: DMP6180SK3-13

产品介绍：DMP6180SK3-13 是 Diodes Incorporated（美台半导体）公司生产的一款 P沟道增强型功率MOSFET。高效功率开关实现电路的高效通断控制；电源管理在电源系统中进行电能分配和管理；负载驱动直接驱动各种功率负载。
更多 +

记录总数：91 | 页数：5 首页上一页 1 2 3 4 5 下一页尾页

相关搜索

热点聚焦

通讯物联行业解决方案: 产品名称：以太网控制器...

1N4148W-13-F电子元器件Diodes美台开...: 1N4148W-13-F是一款由Di...

NHI350AM4,SLJ3Z Intel英特尔以太网...: NHI350AM4,SLJ3Z是英特尔...

尚想首页场效应管光耦合器以太网芯片产品中心荣誉资质资讯中心关于尚想联系尚想

深圳市尚想信息技术有限公司

手机： 138-2657-3800 （微信同号）
Tel: +86-755-8394 8880
Fax: +86-755-8394 8881
E-mail: sales@sunshineic.com
地址: 深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋6楼

版权所有 备案号【粤ICP备14034700号】

微信二维码 手机二维码

0755-83948880 在线咨询