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: 2N7002

产品介绍：2N7002: N 沟道增强型场效应晶体管 60V，0.115A，7.5Ω。此 N 沟道增强模式 MOSFET 是使用高单元密度的沟槽 MOSFET 技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。此产品可用于最高要求 400 mA DC 的大多数应用，可以提供高达 2 A 的脉冲电流。这些产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。
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: 2SC5569-TD-E

产品介绍：2SC5569是一款双极晶体管，50V，7A，低VCE(sat)，(PNP)NPN单PCP，适用于DC-DC转换器应用。
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: 2SA2016-TD-E

产品介绍：2SA2016是一款双极晶体管，-50V，-7A，低VCE(sat)，(PNP)NPN单PCP，用于DC-DC转换器应用。
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: NDT3055

产品介绍：NDT3055: N 沟道增强型场效应晶体管 60V，4A，100mΩ。此类 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供出色的开关性能。
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: MMBT2222ALT1G

产品介绍：MMBT2222AL: NPN 双极晶体管该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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: LTV-356T

产品介绍：光宝集团成立于1975年，最早是由生产发光二极体（LED）起家，1983年率先推动股票上市，拥有台湾第一家挂牌上市的电子公司。30多年来，除了致力于光电零组件，更持续拓展电脑与数位家庭、消费性电子、通讯产品、关键零组件与次系统、并逐步跨足车用电子等4C领域，在市场上具有举足轻重的地位。
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: FOD3182SD

产品介绍： FOD3182是一款3A输出电流，高速MOSFET门极驱动器光耦合器。它包含一个与CMOS检测器进行光耦合的镓铝砷(AlGaAs)发光二极管(LED)，该检测器带有集成了PMOS和NMOS输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板(PDP)、电机控制逆变器应用和高性能DC-DC转换器中使用的功率MOSFET的高频驱动。该器件封装在8引脚双线内外壳中，可兼容260°C回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。
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: RHRP8120

产品介绍：RHRP8120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。
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: RHRG5060

产品介绍： RHRG5060 是一种具有软恢复特性的极快二极管。它的恢复时间是超快速二极管的一半，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作各种开关电源和其他电源开关应用中的续流/箝位二极管。它们的低存储电荷和极快速软恢复特性最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管的功耗。
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[公司动态]WG50N65DHWQ 威世绝缘栅双极晶体管(IGBT) 高能效电源核心器件！2025年07月04日 17:26: WG50N65DHWQ 是 WeEn（威世半导体）推出的 650V/50A 超结MOSFET（Super Junction MOSFET），采用 TO-247封装，专为高效率电源转换和电机驱动设计，适用于工业、新能源、电动汽车等高功率应用场景。; 阅读（54）标签：

[公司动态]FCH072N60F芯片参数及应用解析(已停产)及替代型号-深尚想2025年06月03日 10:04: 深尚想 FCH072N60F 是一款高性能的 N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现属安森美ON Semiconductor）设计生产。它属于 SuperFET? II FRFET? 系列，采用先进的超级结（Super-Junction）技术和电荷平衡设计，专为高效功率转换应用优化。; 阅读（43）标签：

[公司动态]电子元器件是是元件和器件的总称2022年11月20日 15:47: 电子元器件是电子元件和小型的机器、仪器的组成部分，其本身常由若干零件构成，可以在同类产品中通用;常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件，是电容、晶体管、游丝、发条等电子器件的总称。常见的有二极管等。; 阅读（27）标签：

[行业资讯]肖特基二极管在开关电源中的应用2022年11月09日 09:04: 开关电源有高频变压器、高频电容、高反压大功率晶体管、功率整流二极管、控制IC等主要部件组成。次级整流二极管作为耗能部件，损耗大，(约占电源功耗的30%)，发热高，它的选用对电源的整机效率和可靠性指标是非常关键的因素，这就要求整流二极管在高速大电流工作状态下应具有正向压降VF小、反向反向漏电IR小、恢复时间Trr短的特性。; 阅读（81）标签：

[公司动态]尚想带你了解IC集成电路2022年07月30日 16:58: 大家知道什么是IC集成电路吗?今日尚想小编就带你来了解一下，所谓的IC集成电路(integrated circuit，港台称之为积体电路)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起。; 阅读（13）标签：

[常见问题]安森美场效应管有什么特点？2022年07月24日 15:08: 与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。 (1)、场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流); (2)、场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻(107～1012Ω)很大。 (3)、它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好; (4)、它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数; (5)、场效应管的抗辐射能力强; (6)、由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。; 阅读（37）标签：常见问题

[公司动态]常用电子元器件的分类，电工看了直呼内行！2022年07月21日 22:56: 电子元器件是什么？电子元器件是电子元件和小型的机器、仪器的组成部分。其本身常由若干零件构成，可以在同类产品中通用。如电阻、电容、电感、晶体管、二极管、三极管等等。; 阅读（66）标签：

[常见问题]可控硅的特性2022年07月02日 09:33: 常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。额定通态平均电流IT 在必定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。; 阅读（93）标签：常见问题

[行业资讯]大功率场效应管2022年06月20日 19:55: 场效应管是20世纪60年代发展起来的一种新型半导体器件，具有输入电阻高（107～1012Ω）、噪声小、功耗低等优点，现已成为双极型晶体管的主流产品之一。; 阅读（17）标签：场效应管

[常见问题]Bizen晶体管的投入使用有望撼动CMOS的地位2022年05月31日 09:38: 英国第一家公司(SFN )开发的Bizen晶体管设计被媒体曝光了。根据SFN，Bizen与以往的CMOS晶体管相比，可以通过双极齐纳二极管方式大幅减少工艺层，交货时间从15周缩短到3周，有望动摇CMOS的地位。; 阅读（69）标签：常见问题

[常见问题]场效应管工作原理是什么？2021年07月23日 17:49: 场效应结晶体管(FieldEffect Transistor缩写(FET))职称场效应管。由少数载流子参加导热，也称为多极型结晶体管。它归于电压掌握型半超导体机件。存正在输出电阻高(10^8~10^9Ω)、噪音小、功耗低、静态范畴大、易于集成、没有二次击穿景象、保险任务海域宽等长处，现已变化双极型结晶体管和功率结晶体管的壮大合作者。场效应管特性一：场效应管是电压掌握机件，它经过VGS(栅源电压)来掌握ID(漏极直流电); 二：场效应管的输出端直流电极小，因而它的输出电阻很; 阅读（20）标签：常见问题

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