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: MMBT2907ALT1G

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: MMBZ5231BLT1G

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: MMSZ5231BT1G

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: AP4313KTR-G1

产品介绍：光宝集团成立于1975年，最早是由生产发光二极体（LED）起家，1983年率先推动股票上市，拥有台湾第一家挂牌上市的电子公司。30多年来，除了致力于光电零组件，更持续拓展电脑与数位家庭、消费性电子、通讯产品、关键零组件与次系统、并逐步跨足车用电子等4C领域，在市场上具有举足轻重的地位。
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: AP7370-50SA-7

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: DMMT3906WQ-7-F

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: MMSZ5236B-7-F

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: MMSZ5254BQ-7-F

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: DMG2302UKQ-7

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: BSS127S-7

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: S1J-13-F

产品介绍：DIODES(美台)的S1J-13-F是一款采用SMA(DO-214AC)封装的表面贴装标准恢复整流二极管,具有 600V 反向重复峰值电压（VRRM）和 1A 平均整流电流（IO）,正向压降仅为 1.1V@1A,其采用 SMA（DO-214AC）封装,广泛应用于电源整流、开关电源、逆变器及各类工业控制电路中,适合在FPGA系统设计中对高可靠性分立器件的需求。
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: B340A-13-F

产品介绍：B340A-13-F 是DIODES(美台)的一款额定电压40V、额定电流3A的表面贴装肖特基二极管，采用紧凑的SMA封装，500mV 的超低正向压降、80A 的强大浪涌承受能力?和?AEC-Q101 车规级可靠性，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器和反向保护电路中。
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: BSS138-7-F

产品介绍：BSS138-7-F 是一款由 Diodes Incorporated（美台半导体）生产的 N 沟道增强型小信号 MOSFET，N-MOSFET逻辑电平MOSFET，50V/220mA，和2N7002齐名，尤其适合3.3V系统，广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域的信号开关与电平转换场景
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: NX3008PBK,215

产品介绍：NX3008PBK,215 是一款由 Nexperia（安世）生产的采用TrenchMOS技术的小信号P沟道增强型场效应管，采用 SOT-23-3（TO-236AB）小型表面贴装封装，便于在高密度PCB布局中使用，广泛用于电源管理、负载开关、电池保护及电机驱动等电路中，适合对空间和效率有要求的工业与消费类电子设计。
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: LTV-816S-TA1-B

产品介绍：LTV-816S-TA1-B是一款由 LITEON（光宝）生产的晶体管输出型光电耦合器,采用 SMD-4封装,支持表面贴装,适用于高密度PCB设计,以高隔离电压、宽电流传输比范围和卓越的温度适应性,成为在工业控制、电源管理等众多领域中实现安全电气隔离。
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: W25X20CLSNIG

产品介绍： AD8030ARJZ-REEL7 是 ADI（亚德诺）推出的一款双通道、低功耗、高速轨对轨输入/输出运算放大器，专为单电源 2.7V 至 12V 或双电源±1.35V 至±6V 系统设计，特别适合便携式仪器、视频驱动及高速信号调理应用。
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: W25X20CLUXIG

产品介绍： AD8030ARJZ-REEL7 是 ADI（亚德诺）推出的一款双通道、低功耗、高速轨对轨输入/输出运算放大器，专为单电源 2.7V 至 12V 或双电源±1.35V 至±6V 系统设计，特别适合便携式仪器、视频驱动及高速信号调理应用。
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: W25X40CLSNIG

产品介绍： AD8030ARJZ-REEL7 是 ADI（亚德诺）推出的一款双通道、低功耗、高速轨对轨输入/输出运算放大器，专为单电源 2.7V 至 12V 或双电源±1.35V 至±6V 系统设计，特别适合便携式仪器、视频驱动及高速信号调理应用。
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: AD8030ARJZ-REEL7

产品介绍： AD8030ARJZ-REEL7 是 ADI（亚德诺）推出的一款双通道、低功耗、高速轨对轨输入/输出运算放大器，专为单电源 2.7V 至 12V 或双电源±1.35V 至±6V 系统设计，特别适合便携式仪器、视频驱动及高速信号调理应用。
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: AD8421ARZ-R7

产品介绍： AD8421ARZ-R7 是 ADI（亚德诺）生产的一款高性能仪表放大器，输入电压噪声密度仅为 3 nV/√Hz(@1kHz)，电流噪声低至 200 fA/√Hz，凭借极低的噪声、高共模抑制比和宽增益范围，成为精密信号调理与数据采集系统的首选前端芯片。
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