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UCC27524DR
产品介绍:UCC27524DR 是德州仪器(Texas Instruments)推出的一款双通道、5A 高速低侧栅极驱动器,采用紧凑的SOIC-8 封装,专为驱动功率 MOSFET 和 IGBT 等开关器件而设计。它凭借5A 峰值拉灌电流、17ns 超低传播延迟、1ns 通道间延迟匹配以及4.5V 至 18V 宽电源电压范围,在开关电源、电机控制、太阳能逆变器和电动汽车充电等领域中广泛应用。更多 +

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TM56M152A-SOP16
产品介绍:TM56M152A-SOP16是Hitenx(海速芯)公司推出的一款基于增强型8051内核的32位微控制器。它采用SOP8/SOP16这种小型封装,在极其有限的物理空间内集成了核心处理能力、存储器和多种常用外设,是一款专为空间和成本敏感型应用设计的高集成度MCU。更多 +

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W25Q128JWSIQ
产品介绍:W25Q128JWSIQ 是华邦(Winbond)推出的一款1.8V 128Mbit 高速串行 NOR Flash 存储器,采用133MHz 四线 SPI 接口和SOIC-8 封装,具备超低功耗、工业级宽温工作范围和高可靠性等特性,是物联网设备、汽车电子、工业控制等低功耗应用的理想存储解决方案。更多 +

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W25Q80DVSSIG
产品介绍:W25Q80DVSSIG是Winbond(华邦电子)推出的一款8Mbit容量(1M x 8bit)的串行SPI NOR Flash闪存芯片。采用SOIC-8封装,工作电压2.7V-3.6V,支持高速读取和块擦除功能它是一款非易失性存储器,主要用于嵌入式系统中存储固件、配置参数、用户数据等关键信息。更多 +

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MX30LF4G18AC-XKI
产品介绍:W25Q128JVSIQ是华邦电子(Winbond)推出的一款高性能、128M-bit(16MB)容量的串行NOR Flash存储芯片,采用2.7V-3.6V 供电和133MHz 四线 SPI 接口,8引脚SOIC封装,具备高存储密度、快速读写、低功耗和工业级可靠性等特性,广泛应用于工业控制、物联网设备、消费电子等领域代码存储与数据存储中 。更多 +

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W25Q128JVSIM
产品介绍:W25Q128JVSIQ是华邦电子(Winbond)推出的一款高性能、128M-bit(16MB)容量的串行NOR Flash存储芯片,采用2.7V-3.6V 供电和133MHz 四线 SPI 接口,8引脚SOIC封装,具备高存储密度、快速读写、低功耗和工业级可靠性等特性,广泛应用于工业控制、物联网设备、消费电子等领域代码存储与数据存储中 。更多 +

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W25Q128JVSIQ
产品介绍:W25Q128JVSIQ是华邦电子(Winbond)推出的一款高性能、128M-bit(16MB)容量的串行NOR Flash存储芯片,采用2.7V-3.6V 供电和133MHz 四线 SPI 接口,8引脚SOIC封装,具备高存储密度、快速读写、低功耗和工业级可靠性等特性,广泛应用于工业控制、物联网设备、消费电子等领域代码存储与数据存储中 。更多 +

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W25Q32JWSSIQ
产品介绍:W25Q32JWSSIQ 是 Winbond(华邦)推出的一款支持双路、四路 SPI 接口的 1.8V 32Mbit 串行 NOR Flash 存储器,采用133MHz 高速 SPI/四线 SPI 接口,具备低功耗、高可靠性、灵活的存储架构等特性,是工业控制、物联网设备、消费电子等领域中代码存储和数据存储的设计场景。更多 +

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PI3USB302-AZBEX
产品介绍:PI3USB302-AZBEX是由 DIODES(美台)生产的一款 USB 3.0 2:1 多路复用/解复用开关芯片,2:1 多路复用/解复用电路,单电源供电范围为 3V ~ 3.6V,封装形式:TQFN-20符合表面贴装工艺要求,支持双通道差分信号切换,广泛应用于高速信号切换场景,支持双向传输,适用于便携式设备与接口扩展设计 。更多 +

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KGF40N65KDC-U/P
KGF40N65KDC-U/P 是韩国 KEC开益禧(KEC Semicon)推出的一款650V/40A 沟槽栅场截止型(Trench Field Stop)IGBT(绝缘栅双极型晶体管)工业级,采用 TO-247 封装,电压/电流等级:650V / 80A,具备低导通压降、高速开关、强短路耐受能力等特点,是工业电机驱动、逆变电源、UPS 等中大功率应用。更多 +

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MAX3097EEEE+T
产品介绍:MAX3097EEEE+T 是 Maxim Integrated(现为 Analog Devices)推出的一款三通道、高速、带故障检测功能的 RS-485/RS-422 接收器,数据速率最高 32Mbps,供电电压:3V ~ 5.5V,支持宽温运行,封装形式16-QSOP,广泛应用于工业通信、电机编码器、PLC 和嵌入式系统中,具备故障检测功能,适用于高可靠性通信场景 。更多 +

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MMBT4401LT1G
产品介绍:MMBT2222AL: NPN 双极晶体管 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。更多 +

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MMBT2222ATT1G
产品介绍:MMBT2222ATT1G是安森美半导体(ON Semiconductor)推出的通用型NPN双极结型晶体管(BJT),采用SOT-23-3贴片封装,具有高电流增益、低饱和压降特性,专为小信号放大与开关控制设计。更多 +

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MMSZ5258BT1G
产品介绍:三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。 这些器件为无引线 34 封装样式提供了方便的替代方案。更多 +

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LTST-C171TGKT
产品介绍:LTST-C171TGKT是一款由 LITE-ON(光宝)生产的翠绿色表面贴装LED发光二极管,该型号采用0805(2012公制)封装,主波长为525nm,视角达130°,以其高亮度、宽视角和低功耗特性,广泛应用于电子设备指示灯、显示屏背光等场景 。适用于高密度PCB布局设计 。更多 +

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MMBT2907ALT1G
产品介绍:MMBT2907ALT1G是一款由安森美(onsemi)生产的 PNP型通用双极结型晶体管(BJT),采用行业标准的SOT-23封装,凭借60V的较高耐压、600mA的电流能力以及200MHz的较高特征频率,便于高密度PCB布局,广泛应用于开关和放大电路中,尤其适合便携式电子设备、电源管理及工业控制等低功耗表面贴装场景 。更多 +

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MMBZ5231BLT1G
产品介绍:BSS127S-7 是由 DIODES(美台)生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压(Vdss) 和 70mA 连续漏极电流(Id),在工业级温度范围(-55°C 至 +150°C)内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +

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MMSZ5231BT1G
产品介绍:MMSZ5231BT1G是一款由安森美(onsemi)生产的 5.1V 表面贴装稳压二极管(齐纳二极管),采用SOD-123封装,标称齐纳电压为5.1V。它凭借17Ω的低齐纳阻抗、Class 3(>16kV)的ESD防护等级以及-55°C至+150°C的宽工作温度范围,广泛应用于电压基准、过压保护和电源管理电路中,特别适合高密度PCB布局的消费电子、工业控制及汽车电子场景 。更多 +

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AP4313KTR-G1
产品介绍:光宝集团成立于1975年,最早是由生产发光二极体(LED)起家,1983年率先推动股票上市,拥有台湾第一家挂牌上市的电子公司。30多年来,除了致力于光电零组件,更持续拓展电脑与数位家庭、消费性电子、通讯产品、关键零组件与次系统、并逐步跨足车用电子等4C领域,在市场上具有举足轻重的地位。更多 +

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AP7370-50SA-7
产品介绍:BSS127S-7 是由 DIODES(美台)生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压(Vdss) 和 70mA 连续漏极电流(Id),在工业级温度范围(-55°C 至 +150°C)内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +
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