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RCLAMP3374N.TCT
Semtech提供TVS(瞬态电压抑制)二极管,可保护低压电路免受静电放电 (ESD)、闪电和其他破坏性电压瞬变造成的损坏或闩锁效应。我们的电路保护设备具有低钳位电压、低电容和低泄漏电流的特点。同时,设备还符合业内最严格的瞬变免疫标准,包括 IEC、ETSI、Telcordia 1089 和 FCC 第 68 部分的瞬变免疫标准。更多 +

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LTR-381RGB-01
产品介绍:光宝集团成立于1975年,最早是由生产发光二极体(LED)起家,1983年率先推动股票上市,拥有台湾第一家挂牌上市的电子公司。30多年来,除了致力于光电零组件,更持续拓展电脑与数位家庭、消费性电子、通讯产品、关键零组件与次系统、并逐步跨足车用电子等4C领域,在市场上具有举足轻重的地位。更多 +

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SX1276IMLTRT
产品介绍: SX1276 是一款高度集成的射频收发器,能够在很宽的频率范围内运行,包括 433、868 和 915 MHz 的免许可 ISM(工业科学和医疗)频段。 其高度集成的架构允许使用最少的外部组件,同时保持最大的设计灵活性。更多 +
- [行业资讯]全新BSS127S-7 600V高压SOT-23小信号MOSFET场效应管 DIODES美台,开关电源芯片IC2026年06月08日 17:47
- BSS127S-7是DIODES(美台)推出的BSS127S-7小信号N沟道增强型MOSFET,它采用先进的平面工艺技术,在标准的SOT-23微型封装内,集成了600V高漏源击穿电压、70mA连续漏极电流、160Ω导通电阻以及1.08nC低栅极电荷,并以低输入电容、低输入/输出漏电、高BVDSS额定值等特性,为对PCB空间和高压耐受均有严格要求的紧凑型高压电路提供了兼具高性能、高可靠性与小尺寸的理想开关方案。
- 阅读(930)
- [行业资讯]全新RCLAMP0522P.TCT 0.3pF超低电容双通道ESD保护阵列,Semtech升特电源芯片IC2026年06月08日 15:47
- RCLAMP0522P.TCT是Semtech(升特半导体)推出的RailClamp双通道超低电容ESD保护阵列,它采用Semtech专利的RailClamp技术,在SLP1610P4(1.6mm×1.0mm×0.58mm)超微型封装内,集成了0.3pF(典型值)的极致低电容、5A峰值脉冲电流承受能力、150W峰值脉冲功率以及±15kV(空气)/±12kV(接触)的顶级ESD防护等级,以流线型(Flow-Through)PCB布局设计,为HDMI、DisplayPort、USB 3.0、eSATA等高速差分接口提供了兼具超强ESD防护与极致信号完整性的理想电路保护方案。
- 阅读(928)
- [行业资讯]全新RHRG75120 75A 1200V 软恢复二极管 onsemi(安森美)开关电源芯片IC2026年06月03日 17:59
- STTH212U是意法半导体(STMicroelectronics)推出的1200V 2A 超快恢复二极管,它采用ST独有的超快高压平面技术,在紧凑的SMB(DO-214AA)表面贴装封装内,实现了1200V高反向耐压、2A连续正向电流、仅75ns的超快反向恢复时间以及40A的高浪涌电流承受能力,并以低正向压降、软开关特性降低EMI干扰等综合优势,为高开关频率下的电源转换系统提供了兼具高效率、高可靠性与小尺寸的理想整流解决方案。
- 阅读(922)
- [行业资讯]全新STTH212U 1200V 2A 超快恢复二极管ST意法半导体 电源芯片IC2026年06月03日 17:36
- STTH212U是意法半导体(STMicroelectronics)推出的1200V 2A 超快恢复二极管,它采用ST独有的超快高压平面技术,在紧凑的SMB(DO-214AA)表面贴装封装内,实现了1200V高反向耐压、2A连续正向电流、仅75ns的超快反向恢复时间以及40A的高浪涌电流承受能力,并以低正向压降、软开关特性降低EMI干扰等综合优势,为高开关频率下的电源转换系统提供了兼具高效率、高可靠性与小尺寸的理想整流解决方案。
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- [行业资讯]全新MX30LF2G28AD-TI 2Gbit SLC 并行NAND FLASH闪存芯片 旺宏电子 存储芯片IC2026年06月03日 17:19
- MX30LF2G28AD-TI是旺宏电子(Macronix International Co., Ltd.)推出的NAND闪存,它基于高可靠性的SLC(Single-Level Cell)单级单元架构,在业界标准的48-TSOP封装内,实现了2Gbit(256MB)的大容量存储、16ns/20ns的高速读写性能以及-40°C至85°C的工业级宽温工作范围,凭借SLC架构的高耐用性、完备的坏块管理功能和旺宏原厂逾30年的闪存技术积累,成为对数据持久性和环境适应性有严苛要求的嵌入式系统存储升级的首选方案。
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- [行业资讯]全新74HC2G04GW,125双路高速CMOS反相器NXP安世逻辑控制器芯片IC2026年06月03日 11:33
- 74HC2G04GW,125是Nexperia(安世半导体)推出的双路高速CMOS反相器,它基于先进的硅栅CMOS技术,在紧凑的SOT-363-6(TSSOP-6,尺寸仅2mm×1.25mm)微型封装内,集成了2个独立反相器,具备2.0V至6.0V的宽电源电压范围、仅1μA的超低静态电流、5.2mA的对称输出驱动能力,以及符合JEDEC标准no.7A的高抗噪性,并提供高达2kV HBM的ESD保护,为消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域的通用逻辑信号处理提供了高集成度、高可靠性与高性价比的理想解决方案。
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- [行业资讯]全新ZXTC2045E6TA 30V 1.5A 中功率双极结晶体管(BJT)DIODES美台电机驱动芯片IC2026年06月03日 11:05
- ZXTC2045E6TA是DIODES(美台)推出的互补中功率双晶体管,它在SOT-26(SOT-23-6)微型封装内,集成了1个NPN和1个PNP中功率晶体管,以30V集电极-发射极电压、1.5A连续集电极电流、5A峰值脉冲电流以及265MHz/195MHz的高特征频率,配合AEC-Q101车规级认证和PPAP能力,为汽车电子、车窗控制、座椅调节、LED大灯驱动等门极驱动、电机驱动以及各种推挽/半桥拓扑应用提供了兼具高集成度、高性能与高可靠性的理想有源功率开关解决方案。
- 阅读(921)
- [行业资讯]全新IPT007N06N 60V 300A 0.75mΩ MOSFET场效应管Infineon英飞凌芯片IC2026年06月03日 10:25
- IPT007N06N是英飞凌(Infineon)推出的OptiMOS5 N沟道功率MOSFET,它采用创新的TOLL(TO-Leadless)封装(PG-HSOF-8),在紧凑的10.58mm×10.10mm占板面积内,实现了60V的漏源击穿电压、300A的连续漏极电流、375W的功率耗散能力,以及业界领先的0.75mΩ超低导通电阻,配合216nC的低栅极电荷和-55°C至175°C的宽结温工作范围,为工业电源、电机驱动和电池保护系统提供了兼具超高电流能力、极低导通损耗与高功率密度的理想功率开关解决方案。
- 阅读(919)
- [行业资讯]全新DDR3L SDRAM 2Gb W632GU6RB-09闪存芯片Winbond华邦存储芯片IC2026年06月02日 16:47
- W632GU6RB-09是Winbond(华邦)推出的2Gbit DDR3L SDRAM存储器芯片,它采用先进的DDR3L低电压架构,在96-ball VFBGA紧凑封装内,实现了4Gbit存储容量、256M x 16组织架构、1.066GHz工作频率以及0℃~95℃工业级宽温工作范围,为严苛环境下的嵌入式系统和高速数据处理提供了兼具高性能与低功耗的理想内存解决方案。
- 阅读(918)
- [行业资讯]全新LTR-381RGB-01环境光传感器/颜色传感器 LITEON光宝 电源芯片IC2026年06月02日 15:57
- LTR-381RGB-01是LITEON(光宝科技)推出的集成式低压I2C环境光传感器(ALS)和颜色传感器(CS),它将环境光传感器(ALS)和RGB颜色传感器(CS)集成于一颗2×2mm的超微型无铅表面贴装封装中,具备五通道独立检测能力(ALS、R、G、B、IR)、18-bit高分辨率ADC、低至1.2μA的超低静态功耗以及-40°C至+85°C的宽温工作范围,为智能手机自动色温调节、可穿戴设备健康监测、智能家居照明以及工业色彩分拣等应用,提供了兼具高精度、低功耗与高集成度的理想光学传感解决方案。
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- [行业资讯]全新ADXL345BCCZ-RL7 3轴13-bit数字加速度传感器 ADI 电源芯片IC2026年06月02日 14:37
- ADXL345BCCZ-RL7是Analog Devices Inc.(ADI亚德诺半导体)推出的小尺寸、薄型、低功耗3轴数字加速度计,它采用先进的MEMS技术,在紧凑的14-LGA(3mm × 5mm × 1mm)微型封装内,集成了高达±16g的可选测量范围、13-bit高分辨率、极低功耗运行以及活动/非活动检测、敲击检测和自由落体检测等智能片上功能,配合I2C/SPI数字接口,为消费电子、医疗保健、工业监控和物联网终端等对功耗、尺寸和性能有严苛要求的应用,提供了兼具高精度、低功耗与高集成度的理想运动感知解决方案。
- 阅读(918)
- [行业资讯]全新10CL006YU256C8G现场可编程门阵列(FPGA)芯片 Intel 256-BGA 逻辑芯片IC2026年05月29日 15:45
- 10CL006YU256C8G是Intel(原Altera)Cyclone 10 LP系列中的低成本低功耗现场可编程门阵列(FPGA)逻辑芯片IC基于成熟的60nm低功耗工艺(LP,即Low Power),在256-BGA(14mm×14mm)紧凑封装内,集成了6,272个逻辑单元(LE)、176个用户I/O、276,480位嵌入式内存以及多达65个LVDS差分对,以20mW(典型值)静态功耗、0°C至85°C商业级宽温工作以及可选的-40°C至100°C工业级型号(如YU256I7G),专为低成本、低静态功耗场景设计。
- 阅读(897)
- [行业资讯]全新TMS320F28062PZT 90MHz实时控制DSP微控制器/单片机 TI德州仪器芯片IC 深尚想科技2026年05月22日 17:20
- TMS320F28062PZT德州仪器(TI)推出的Piccolo 32位微控制器(DSC),正是为破解这一困局而生。它基于C28x DSP内核,在100引脚LQFP封装内,集成了90MHz高实时运算性能、单精度浮点单元(FPU,Floating-Point Unit)、128KB闪存(Flash,6倍速等效)、52KB SRAM以及16通道高精度PWM与16通道12位ADC,更搭载了业内独特的可编程控制律加速器(CLA,Control Law Accelerator)和VCU(Viterbi、复杂数学、CRC单元)硬件加速引擎,为电机控制、数字电源及可再生能源系统提供了兼具DSP高速浮点算力与MCU高集成外设的理想实时控制平台。
- 阅读(885)
- [行业资讯]尚想全新GD5F1GM7UEWIGR 1Gbit SPI NAND Flash GD兆易创新 嵌入式存储芯片IC2026年05月11日 10:51
- GD5F1GM7UEWIGR是GigaDevice(兆易创新)推出的 SPI NAND Flash存储器,它基于SLC(Single-Level Cell)NAND Flash核心,采用业界标准的 ?DTR/Dual/Quad SPI 串行接口,在紧凑的WSON-8(6×8mm)封装内,实现了1Gbit(128MB)的海量存储容量、高达133MHz的高速读写与内置硬件ECC纠错模块等特性,为系统设计工程师提供了大容量、高可靠性且极其易用的存储解决方案。
- 阅读(863)
- [行业资讯]尚想全新GD5F1GM7UEYIGR 1Gbit SPI NAND Flash兆易GD存储芯片IC2026年05月11日 10:51
- GD5F1GM7UEYIGR是GigaDevice(兆易创新)推出的 1Gbit SLC SPI NAND Flash存储器,它基于成熟的NAND Flash内存核心,采用标准SPI四线接口,在紧凑的WSON-8(6mm×8mm)封装内,实现了1Gbit(128MB)的大容量存储、133MHz的高速读写以及内置ECC纠错模块,为各类嵌入式系统提供了兼具大容量、高可靠性与易用性的理想存储解决方案,广泛应用于物联网、工业控制、消费电子等领域。
- 阅读(839)
- [行业资讯]尚想全新GD5F1GM7UEYIGR 1Gbit SPI NAND Flash兆易GD存储芯片IC2026年05月11日 10:26
- GD5F1GM7UEYIGR是GigaDevice(兆易创新)推出的 1Gbit SLC SPI NAND Flash存储器,它基于成熟的NAND Flash内存核心,采用标准SPI四线接口,在紧凑的WSON-8(6mm×8mm)封装内,实现了1Gbit(128MB)的大容量存储、133MHz的高速读写以及内置ECC纠错模块,为各类嵌入式系统提供了兼具大容量、高可靠性与易用性的理想存储解决方案,广泛应用于物联网、工业控制、消费电子等领域。
- 阅读(871)
- [行业资讯]全新GD5F1GM7UEYIGR 1Gbit SPI NAND Flash兆易GD存储芯片IC2026年05月11日 10:26
- 在消费电子端,肖特基整流器(如BAT54LT1G)被集成至移动设备充电管理IC,实现毫秒级响应且无开关噪声。此外,汽车电子与新能源系统中,肖特基整流器(如MBR0540T1G)承担着电池管理系统(BMS)的防反接保护与高频谐振回路整流任务。
- 阅读(839)
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