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ESD7381MUT5G
产品介绍:ESD7381MUT5G onsemi安森美单向超低电容ESD保护TVS二极管,反向工作电压3.3V,钳位电压10V,峰值脉冲电流3A(8/20μs),工作温度-40℃ ~ +125℃,专为高频敏感电路设计,提供可靠的静电防护。更多 +

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RCLAMP2402B.TCT
产品介绍:BSS127S-7是DIODES(美台)推出的小信号N沟道增强型MOSFET,它采用先进的平面工艺技术,在标准的SOT-23微型封装内,集成了600V高漏源击穿电压、70mA连续漏极电流、160Ω导通电阻以及1.08nC低栅极电荷,并以低输入电容、低输入/输出漏电、高BVDSS额定值等特性,为对PCB空间和高压耐受均有严格要求的紧凑型高压电路提供了兼具高性能、高可靠性与小尺寸的理想开关方案。更多 +

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AZ5425-04F.R7G
产品介绍:AZ5425-04F.R7G是一款由 AMAZING(晶焱科技)生产的一款四通道、5V、超低0.4pF电容 ESD 保护阵列芯片,专为HDMI、USB 3.0等高速数据接口而设计提供静电放电(ESD)防护,适用于对信号完整性要求严苛的高速数据传输场景。更多 +

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RCLAMP3324T.TCT
产品介绍:Semtech推出的RCLAMP3324T.TCT是由Semtech公司生产的一款高性能、低电容的四线ESD(静电放电)保护器件,它采用RailClamp专利架构,在超紧凑的SLP1710P4T封装内,实现了0.4pF超低电容与±25kV接触/±30kV空气放电顶级防护的完美平衡,专为高速数据接口提供浪涌和静电防护设计。更多 +

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DMG2302UKQ-7
产品介绍:BSS127S-7 是由 DIODES(美台)生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压(Vdss) 和 70mA 连续漏极电流(Id),在工业级温度范围(-55°C 至 +150°C)内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +

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BSS138-7-F
产品介绍:BSS138-7-F 是一款由 Diodes Incorporated(美台半导体)生产的 N 沟道增强型小信号 MOSFET,N-MOSFET逻辑电平MOSFET,50V/220mA,和2N7002齐名,尤其适合3.3V系统,广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域的信号开关与电平转换场景更多 +

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NX3008PBK,215
产品介绍:NX3008PBK,215 是一款由 Nexperia(安世)生产的采用TrenchMOS技术的小信号P沟道增强型场效应管,采用 SOT-23-3(TO-236AB)小型表面贴装封装,便于在高密度PCB布局中使用,广泛用于电源管理、负载开关、电池保护及电机驱动等电路中,适合对空间和效率有要求的工业与消费类电子设计。更多 +

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RCLAMP0524PATCT
RCLAMP0502BATCT是Semtech公司生产的一款单向、双通道的瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,属于专用的“RailClamp”系列 ESD保护器件。它的核心功能是为高速数据接口提供极致的静电放电(ESD)和瞬态电压保护。更多 +

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RCLAMP0502BATCT
RCLAMP0502BATCT 是Semtech公司生产的一款单向、双通道的瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,属于专用的 “RailClamp”系列 ESD保护器件。它的核心功能是为高速数据接口提供极致的静电放电(ESD)和瞬态电压保护更多 +

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PESD2IVN24-TR
产品介绍:PESD2IVN24-TR是NXP(安世半导体)推出的一款专为CAN总线设计的静电保护器件(ESD),属于双向、双通道的瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,采用SOT-23-3封装。该器件旨在为CAN总线接口提供可靠的静电放电保护,专门为严苛环境下的高速通信线路提供顶级的静电放电(ESD)和瞬态过压保护。更多 +

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LTV-341P-TA1-H
产品介绍:LITEON(光宝)的?LTV-341P-TA1-H?是一款高性能的栅极驱动光耦,它能高效驱动功率半导体器件,并提供安全的电气隔离。高达35 kV/μs的CMTI意味着该器件在功率侧出现剧烈电压波动时,能有效抑制噪声通过寄生电容耦合到控制侧,防止误导通,保障系统在嘈杂的工业环境中的稳定运行?。更多 +

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RCLAMP3552TQTNT
RCLAMP3552TQTNT是 Semtech 升特公司 RClamp系列中的一款?双通道、双向?瞬态电压抑制器(TVS二极管阵列)。它采用超小型SLP1006N3T封装(兼容0402封装尺寸),专为保护敏感的电子设备免受静电放电(ESD)和其他瞬态电压的损害而设计,满足汽车电子系统应用应用的严苛要求。更多 +

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RCLAMP0542T.TCT
Semtech 提供 TVS(瞬态电压抑制)二极管,可保护低压电路免受静电放电 (ESD)、闪电和其他破坏性电压瞬变造成的损坏或闩锁效应。我们的电路保护设备具有低钳位电压、低电容和低泄漏电流的特点。同时,设备还符合业内最严格的瞬变免疫标准,包括 IEC、ETSI、Telcordia 1089 和 FCC 第 68 部分的瞬变免疫标准。更多 +

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RCLAMP3304NATCT
Semtech 提供 TVS(瞬态电压抑制)二极管,可保护低压电路免受静电放电 (ESD)、闪电和其他破坏性电压瞬变造成的损坏或闩锁效应。我们的电路保护设备具有低钳位电压、低电容和低泄漏电流的特点。同时,设备还符合业内最严格的瞬变免疫标准,包括 IEC、ETSI、Telcordia 1089 和 FCC 第 68 部分的瞬变免疫标准。更多 +
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