全站搜索 - - 二极管 | 晶体管光耦 | 除湿器 | 传感器芯片分销商芯片采购IC | 深尚想信息

尚想信息：货源充足，快速发货

当前位置：首页 » 全站搜索 » 搜索：

: 15SET恒湿机

本产品是一款电解方式的除湿器，核心材料为固体聚合物电解质膜，通过在电极上加直流电，用电解方式将设备内的湿气排出，是一种主动除湿方法。原理:当直流电加在电极上，电解质膜开始工作在阳极侧的湿气(水分子)被分解成氢(H+)和氧氢离子通过电解质膜游离到阴极一侧。氢离子在阴极一侧与空气中的氧反应，形成水分子(气体)排出容器外。
更多 +

: W25Q16RVSSJQ

产品介绍：W25Q16JVSSIQ是华邦电子（Winbond）推出的16M位（2MB）高性能串行SPI NOR Flash存储器，专门针对空间、引脚和功耗受限的嵌入式系统设计，属于华邦经典的25Q系列存储产品，兼具灵活性与高性能优势，在各类中小容量存储场景中得到广泛应用。
更多 +

: PL2303TA

产品介绍：PL2303TA是台湾旺玖科技（Prolific）推出的一款高集成度USB转TTL串口控制芯片，属于PL2303系列的经典升级型号，这款芯片内置USB 2.0全速控制器、收发缓冲器、EEPROM以及USB信号收发模块，无需额外外接USB固件代码，仅需搭配少量外围阻容元件即可完成电路搭建，大幅降低了硬件设计门槛，广泛在消费电子、工业控制、嵌入式开发等领域应用。
更多 +

: W25N02KVZEIR

产品介绍：W25N02KVZEIR是华邦电子（Winbond）推出的一款高性能2G位（256MB）SLC QSPI NAND Flash存储芯片，专为空间、引脚与电源资源受限的嵌入式系统设计，完美结合了SPI接口的易用性与传统大容量NAND存储器的存储优势。
更多 +

: W25Q16JVSSIQ

产品介绍：W25Q16JVSSIQ是华邦电子（Winbond）推出的16M位（2MB）高性能串行SPI NOR Flash存储器，专门针对空间、引脚和功耗受限的嵌入式系统设计，属于华邦经典的25Q系列存储产品，兼具灵活性与高性能优势，在各类中小容量存储场景中得到广泛应用。
更多 +

: W25Q16JVSNIQ

产品介绍：W25Q16JVSNIQ是华邦电子推出的16M位（2M字节）高性能NOR串行闪存芯片，属于华邦SpiFlash系列产品，专为空间、引脚和电源受限的嵌入式系统提供存储解决方案，灵活性和性能远优于传统串行闪存设备。
更多 +

: RCLAMP2402B.TCT

产品介绍：BSS127S-7是DIODES（美台）推出的小信号N沟道增强型MOSFET，它采用先进的平面工艺技术，在标准的SOT-23微型封装内，集成了600V高漏源击穿电压、70mA连续漏极电流、160Ω导通电阻以及1.08nC低栅极电荷，并以低输入电容、低输入/输出漏电、高BVDSS额定值等特性，为对PCB空间和高压耐受均有严格要求的紧凑型高压电路提供了兼具高性能、高可靠性与小尺寸的理想开关方案。
更多 +

: FGHL50T65MQD

FGHL50T65MQD是安森美（onsemi）推出的FGHL50T65MQD第四代场截止沟槽IGBT，它采用先进的FS4（Field Stop 4）中速IGBT技术，在业界标准的TO-247-3封装内，实现了650V高耐压、50A额定电流、1.45V低饱和压降以及优化的开关损耗平衡，并以175℃高结温能力和正温度系数为高效并联运行提供了可靠保障，广泛应用于新能源发电、不间断电源和工业驱动等领域中。
更多 +

: FOD3120SDV

FOD3120SDV是全球半导体厂商安森美（onsemi）推出的一款高性能逻辑输出栅极驱动光耦合器，属于安森美高抗噪栅极驱动光耦系列，专为功率半导体开关驱动场景设计，目前广泛应用于工业自动化、新能源发电、电力电子等领域。
更多 +

: W25Q32JVSSIQ

产品介绍：W25Q32JVSSIQ是华邦电子（Winbond）推出的一款32M-bit（即4M-byte）中低容量非易失性SPI NOR Flash存储芯片，是W25Q系列经典款产品，专为空间、引脚与功耗受限的嵌入式系统设计，目前在消费电子、工业控制、汽车电子、物联网等多领域得到广泛应用。
更多 +

: TMS320F28062PZTR

产品介绍：TMS320F28062PZTR是Texas Instruments（德州仪器）推出的C2000 32位微控制器，它基于高效C28x DSP内核，在100引脚LQFP封装内，集成了90MHz高实时运算性能、单精度浮点单元（FPU）、128KB闪存、52KB RAM以及16通道高精度PWM与16通道12位ADC，更搭载了独特的可编程控制律加速器（CLA）?和VCU硬件加速引擎，为工业驱动、电机控制、数字电源及可再生能源系统提供了兼具DSP高速算力与MCU高集成外设的理想实时控制平台。
更多 +

: EPM570F256C5N

产品介绍：EPM570F256C5N是Intel（原Altera）推出的CPLD - 复杂可编程逻辑器件，它基于成熟的0.18μm低功耗工艺，在256-FBGA（17×17mm）紧凑封装内，集成了570个逻辑单元（LE）、等效440个宏单元、160个用户I/O以及5.4ns的极速引脚到引脚延迟，以即时启动、非易失性架构和低至29μA的待机功耗，为工业控制、通信网络和汽车电子等对成本敏感且需实现快速并行逻辑处理的嵌入式应用提供了兼顾性能、功耗与性价比的理想硬件平台。
更多 +

: LSM6DSVDTR

产品介绍：LSM6DSVDTR是STMicroelectronics（意法半导体）推出的高端6轴惯性测量单元（IMU），它基于ST先进的iNEMO系统级封装（SiP）技术，在紧凑的LGA-14（2.5mm×3mm×0.83mm）封装内，集成了3轴数字加速度计和3轴数字陀螺仪，并采用业界领先的三通道架构（UI、OIS、EIS分离处理），以仅0.65mA的组合高性能模式功耗提供了±4000dps的超宽陀螺仪量程和低至2.6μA的待机电流，为AR/VR头显、TWS耳机、智能手机OIS防抖以及各类智能穿戴设备提供了兼顾超低功耗与高精度运动追踪的理想惯性传感解决方案。
更多 +

: RCLAMP0522P.TCT

RCLAMP0522P.TCT是Semtech（升特半导体）推出的RailClamp双通道超低电容ESD保护阵列，它采用Semtech专利的RailClamp技术，在SLP1610P4（1.6mm×1.0mm×0.58mm）超微型封装内，集成了0.3pF（典型值）的极致低电容、5A峰值脉冲电流承受能力、150W峰值脉冲功率以及±15kV（空气）/±12kV（接触）的顶级ESD防护等级，以流线型（Flow-Through）PCB布局设计，为HDMI、DisplayPort、USB 3.0、eSATA等高速差分接口提供了兼具超强ESD防护与极致信号完整性的理想电路保护方案。
更多 +

: M28W320FCT70N6E

产品介绍：M28W320FCT70N6E是美光Micron推出的 32Mbit 3V并行NOR闪存，它基于成熟的NOR Flash技术，在业界标准的48-TSOP封装内，实现了32Mbit（4MB）存储容量、2M×16位组织架构、70ns快速访问时间以及-40°C至+85°C的工业级宽温工作范围，并以10μs页编程时间、100,000次擦写寿命和20年数据保存期为工业控制、汽车电子和通信设备等应用提供了兼具高性能、高可靠性与长期稳定供货的理想代码存储解决方案。
更多 +

: BSS127S-7

产品介绍：BSS127S-7是DIODES（美台）推出的小信号N沟道增强型MOSFET，它采用先进的平面工艺技术，在标准的SOT-23微型封装内，集成了600V高漏源击穿电压、70mA连续漏极电流、160Ω导通电阻以及1.08nC低栅极电荷，并以低输入电容、低输入/输出漏电、高BVDSS额定值等特性，为对PCB空间和高压耐受均有严格要求的紧凑型高压电路提供了兼具高性能、高可靠性与小尺寸的理想开关方案。
更多 +

: US1M_HF

产品介绍：US1M_HF是DIODES（美台）推出的 1A/1000V超快恢复整流二极管，它采用成熟的玻璃钝化芯片（Glass Passivated Chip）工艺，在紧凑的SMA（DO-214AC）表面贴装封装内，实现了1000V高反向耐压、1A连续正向电流、75ns超快反向恢复时间以及高达30A的正向浪涌承受能力，并以低至1.65V的典型正向压降有效降低导通损耗，为高频开关电源、AC-DC适配器、LED照明驱动和各类高压小功率电源系统提供了兼具高性能、高可靠性与紧凑尺寸的理想整流解决方案。
更多 +

: ES2D_HF

产品介绍：ES2D_HF是DIODES（美台）推出的超快恢复整流二极管，它采用成熟的玻璃钝化芯片工艺，在紧凑的SMB（DO-214AA）表面贴装封装内，集成了200V高反向耐压、2A连续正向电流、25ns超快反向恢复时间以及高达50A的正向浪涌承受能力，并以低至920mV的典型正向压降显著降低导通损耗，为高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器和各类电机驱动电路提供了兼具高性能、高可靠性与紧凑尺寸的理想整流解决方案。
更多 +

: W25X10CLSNIG

产品介绍：W25X20CLSNIG 是华邦电子生产的一款 2Mbit 串行闪存芯片，采用 SOIC-8 封装，支持 SPI 接口，广泛用于存储代码、语音和数据
更多 +

: RHRG75120

FDA70N20是ONSEMI（安森美）推出的 N沟道功率场效应管MOSFET晶体管，它基于成熟的 UniFET平面条形 DMOS 技术，采用TO-3PN通孔大功率封装，集成了200V高耐压、70A大电流承载能力、35mΩ低导通电阻以及417W高功率耗散能力，为各类要求高压、大电流功率转换的应用提供了兼具高性能、高可靠性与高性价比的开关解决方案，广泛应用于高效率、高可靠性的功率转换系统中。
更多 +

记录总数：1176 | 页数：59 首页上一页 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ...> 下一页尾页

相关搜索

热点聚焦

什么是固态聚合物电解质（SPE）膜？深...: 固态聚合物电解质（Soli...

通讯物联行业解决方案: 产品名称：以太网控制器...

除湿设备故障率高，耗电，运维成本高...: ROSAHL 1W级固态电解除湿...

尚想首页场效应管光耦合器以太网芯片产品中心荣誉资质资讯中心关于尚想联系尚想

深圳市尚想信息技术有限公司

手机： 153-2389-2334 （微信同号）
Tel: +86-755-8394 8880
Fax: +86-755-8394 8881
E-mail: sales@sunshineic.com
地址: 深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋6楼

版权所有 备案号【粤ICP备14034700号】

微信二维码 手机二维码

0755-83948880 在线咨询