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: AD9781BCPZ

产品介绍：AD9780/AD9781/AD9783分别为引脚兼容、高动态范围、12/14/16位分辨率、双通道数模转换器(DAC)，采样速率最高可达500 MSPS。这些器件具有适合直接变频传输应用的特性，其中包括增益与失调补偿，而且能够与ADL5370等模拟正交调制器无缝接口。
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: SG3525ADWR2G

产品介绍：SG3525A PWM 控制器提供了更高性能，更少的外部零部件数量，可实施用于控制所有类型的开关电源。片上 +5.1 V 参考微调为 +/-1%，误差放大器具有包括参考电压的输入共哦电压范围，因此无需外部分压器电阻。振荡器的同步输入让多个设备可以成为从属设备，也可以让一个设备与外部系统时钟进行同步。
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: MP2329GG-Z

产品介绍：MP2329 是一款全集成高频同步整流降压开关模式变换器。 MP2329 采用超紧凑型解决方案，在宽输入电压工作范围内可实现 6.5A 持续输出电流和 7.5A 峰值输出电流。 MP2329 基于 MPS 专有的开关损耗降低技术和低导通阻抗功率 MOSFET，能在宽输出电流负载范围内高效率工作。自适应恒定导通时间控制模式（COT）提供了快速瞬态响应，并使环路更易稳定。直流自动调节环路和远程差分检测功能提供了良好的负载和线性调整率。
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: MP173GJ-Z

MP173A 是一款原边调节器，可在无光耦合器的条件下提供精确的恒压（CV）调节。它支持Buck降压、Boost升压、Buck-Boost升降压和反激拓扑。芯片内部集成了 700V MOSFET，可简化结构，节约成本。这一特性使其成为离线、低功率应用的理想之选，如家用电器和备用电源。
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: RCLAMP0524J.TCT

Semtech提供TVS（瞬态电压抑制）二极管，可保护低压电路免受静电放电 (ESD)、闪电和其他破坏性电压瞬变造成的损坏或闩锁效应。我们的电路保护设备具有低钳位电压、低电容和低泄漏电流的特点。同时，设备还符合业内最严格的瞬变免疫标准，包括 IEC、ETSI、Telcordia 1089 和 FCC 第 68 部分的瞬变免疫标准。
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: MPQ2013AGQ-AEC1-Z

产品介绍：MPQ2013AGQ-AEC1-Z 是MPS（Monolithic Power Systems，芯源系统）?公司生产的一款汽车级（AEC-Q100认证）、高效率、同步降压转换器,能将一个较高的直流电压（例如来自汽车电池的12V）稳定、高效地转换为一个较低的直流电压（例如3.3V或5V），为系统中的其他芯片（如MCU、传感器、SOC等）供电。
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: MP2315GJ-Z

产品简介：MP2315 是一款内置功率 MOSFET 的高频同步整流降压开关变换器。它提供了非常紧凑的解决方案，在宽输入范围内可实现 3A 连续输出电流，具有出色的负载和线性调整率。MP2315 在输出电流负载范围内采用同步工作模式以达到高效率。其电流控制模式提供了快速瞬态响应，并使环路更易稳定。全方位保护功能包括过流保护（OCP）和过温关断保护。
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: BAV99LT1G

产品介绍：BAV99L: 100 V 开关二极管，双，串联此开关二极管适用于高速开关应用。此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。
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: RHRP30120

产品介绍：RHRP30120 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。
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: ADA4530-1ARZ

产品介绍： ADA4530-1是一款fA级 (10?15A) 输入偏置电流运算放大器，适合用作静电计，同时集成了保护环缓冲器。其工作电压范围是4.5 V至16 V，可采用常规5 V和10 V单电源以及±2.5 V和±5 V双电源系统供电。该器件提供超低输入偏置电流，并且在25°C和125°C下对输入偏置电流进行过生产测试，以确保器件达到用户系统的性能目标。集成式保护环缓冲器用于隔离输入引脚以防受到印刷电路板 (PCB) 漏电流的影响，而且能减少电路板元件数，简化系统设计。
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: AD8422ARZ-R7

产品介绍： AD8422是一款高精度、低功耗、低噪声轨到轨仪表放大器，具有业界最佳的每单位微安性能。该器件以超低失真性能处理信号，在整个输出范围内负载不影响性能。它是业界标准AD620发展到第三代的产品，采用最新的工艺和设计技术，比历代产品具有更高的动态范围和更低的误差，同时功耗不足三分之一。
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: AD8217BRMZ-R7

产品介绍： AD8217是一款高压、高分辨率分流放大器。设定增益为20V/V，在整个温度范围内的最大增益误差为±0.35%。缓冲输出电压可以直接与任何典型转换器连接。AD8217提供从4.5 V到80 V的出色共模抑制性能，并内置一个LDO，它直接从高压轨为器件供电。因此，只要输入共模范围为4.5 V至80 V，则无需其它电源。
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: FQB5N90TM

产品介绍：FQB5N90: 功率 MOSFET，N 沟道，QFET?，900 V，5.4 A，2.3 ?，D2PAK 此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
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: BAV70LT1G

产品介绍：BAV70L: 100 V 双共阴极开关二极管。此共阴极开关二极管适用于超高速开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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: BAS16XV2T1G

产品介绍：小信号开关二极管安森美半导体小信号开关二极管是由各种符合AEC-Q101标准的器件组成的广泛产品组合。有单二极管、双二极管和三根二极管配置可供选择。
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: 2N7002

产品介绍：2N7002: N 沟道增强型场效应晶体管 60V，0.115A，7.5Ω。此 N 沟道增强模式 MOSFET 是使用高单元密度的沟槽 MOSFET 技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。此产品可用于最高要求 400 mA DC 的大多数应用，可以提供高达 2 A 的脉冲电流。这些产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。
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: 2SC5569-TD-E

产品介绍：2SC5569是一款双极晶体管，50V，7A，低VCE(sat)，(PNP)NPN单PCP，适用于DC-DC转换器应用。
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: NCP1380DDR2G

产品介绍：NCP1380DDR2G 是安森美（ON Semiconductor）生产的一款高性能?准谐振电流模式 PWM 控制器,专为高效、低噪声的适配器、电视辅助电源、充电器等需高效隔离转换的中小功率设计,尤其适合对低待机功耗有严格要求的产品。
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: PTH04070WAH

德州仪器 PTH04070W 可调集成开关稳压器 (ISR) 以比标准 TO-220 线性稳压器 IC 高得多的效率和低得多的功耗提供输出电流，无需散热器。 TI PTH04070W ISR 可提供高达 3A 的输出电流和 3V 至 5.5V 的输入电压，允许在 3.3V 或 5V 输入总线上运行。 Texas Instruments PTH04070W ISR 设计用于电信、测试和测量应用以及高端消费产品。
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: 2SA2016-TD-E

产品介绍：2SA2016是一款双极晶体管，-50V，-7A，低VCE(sat)，(PNP)NPN单PCP，用于DC-DC转换器应用。
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