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74HC2G04GW,125
产品介绍:LTV-M601是LITEON(光宝半导体)生产的一款单通道、高速逻辑输出型光电耦合器,采用SOP-5封装。它由红外LED与硅光电晶体管组成,实现输入输出电路间的电气隔离,具有高共模瞬变抗扰度(CMH, CML = ±15 kV/μs Min.)和高速(10 Mbps)特性。主要用于在电路之间实现高速数字信号的电气隔离与传输。更多 +

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IPT007N06N
产品介绍:IPT007N06N是英飞凌(Infineon)推出的OptiMOS 5 N沟道功率MOSFET,它采用创新的TOLL(TO-Leadless)封装(PG-HSOF-8),在紧凑的10.58mm×10.10mm占板面积内,实现了60V的漏源击穿电压、300A的连续漏极电流、375W的功率耗散能力,以及业界领先的0.75mΩ超低导通电阻,配合216nC的低栅极电荷和-55°C至175°C的宽结温工作范围,为工业电源、电机驱动和电池保护系统提供了兼具超高电流能力、极低导通损耗与高功率密度的理想功率开关解决方案。更多 +

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MMBD7000LT1G
产品介绍:BSS127S-7 是由 DIODES(美台)生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压(Vdss) 和 70mA 连续漏极电流(Id),在工业级温度范围(-55°C 至 +150°C)内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +

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ADXL345BCCZ-RL7
产品介绍:ADXL345BCCZ-RL7是Analog Devices Inc.(ADI亚德诺半导体)推出的小尺寸、薄型、低功耗3轴数字加速度计,它采用先进的MEMS技术,在紧凑的14-LGA(3mm × 5mm × 1mm)微型封装内,集成了高达±16g的可选测量范围、13-bit高分辨率、极低功耗运行以及活动/非活动检测、敲击检测和自由落体检测等智能片上功能,配合I2C/SPI数字接口,为消费电子、医疗保健、工业监控和物联网终端等对功耗、尺寸和性能有严苛要求的应用,提供了兼具高精度、低功耗与高集成度的理想运动感知解决方案。更多 +

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TCR5RG28A,LF(S
产品介绍:TCR5RG28A,LF(S是东芝(Toshiba)推出的高性能CMOS线性稳压器 LDO,属于TCR5RG系列固定输出稳压芯片。它采用东芝最新一代低噪声工艺,在WCSP4F(0.645mm×0.645mm)超微型封装内,集成了500mA输出驱动能力、100dB@1kHz超高电源纹波抑制比(PSRR)、仅5μVRMS的极致输出噪声以及7μA超低静态电流,为射频前端、图像传感器、高保真音频等对电源质量要求极为苛刻的应用提供供电解决方案。更多 +

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AD5823BCDZ-RL7
产品介绍:AD5823BCDZ-RL7是亚德诺(ADI)推出的高性能采样保持放大器芯片,适配12位精度应用场景,适合对信号采集精度有较高要求的电路设计。更多 +

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W25N01GVZEIG
产品介绍:Winbond(华邦电子)推出的W25N04KVZEIR 4Gbit SLC SPI NAND Flash存储器,正是为满足这一需求而设计。它凭借4Gbit(512MB)大容量存储、SLC高可靠性架构、104MHz高速四线SPI接口以及-40°C至+85°C的工业级宽温工作范围,采用 SPI/QSPI 接口,专为工业控制、汽车电子、物联网终端和高端消费类电子产品设计。更多 +

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MMBZ5232BLT1G
产品介绍:BSS127S-7 是由 DIODES(美台)生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压(Vdss) 和 70mA 连续漏极电流(Id),在工业级温度范围(-55°C 至 +150°C)内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +

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MC74VHC1G08DTT1G
产品介绍:MC74VHC1G08DTT1G是ON Semiconductor(安森美半导体)推出的?高速 CMOS 2 输入与门,正是为满足这一需求而设计。作为业界领先的 74VHC(超高速 CMOS)系列的核心成员,它采用先进的硅栅 CMOS 技术,在紧凑的?5-TSOP(SOT-23-5)表面贴装封装内,实现了2.0V 至 5.5V 的宽工作电压范围、7.9ns 的高速传播延迟以及1μA 的超低静态功耗,为从移动消费电子到工业控制信号链的各类应用提供了高性价比、高通用性的逻辑处理方案,主要用于数字电路逻辑运算,兼具高速性能与低功耗优势。更多 +

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NCP1340B3D1R2G
产品介绍:NCP1340B3D1R2G是onsemi(安森美半导体)推出的高度集成准谐振反激控制器,在紧凑的SOIC-9封装内,集成了700V高压启动电路、有源X2电容放电、-500mA/+800mA大电流驱动能力以及可配置过功率保护(OPP),以高频QR工作模式实现空载功耗低于30mW、满载效率超94%的优异性能,为新一代高密度USB-PD快充、LED照明驱动及工业电源提供了兼具高效率、超低待机与高可靠性的理想AC-DC控制解决方案,适用于高效率、低待机功耗的AC-DC电源应用。更多 +

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REF3030AIDBZR
产品介绍:REF3030AIDBZR是Texas Instruments(德州仪器)推出的高精度串联型电压基准芯片,它集成SOT-23-3微型封装内,实现了3.0V固定输出电压、±0.2%初始精度和75ppm/°C(全温范围)的温度漂移性能,并以仅42μA(典型值)的超低静态电流为环路供电的工业应用和电池供电设备提供稳定、精准的参考电压,广泛用于高精度模拟电路中作为稳定参考源。更多 +
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