NCP1380DDR2G 是安森美（ON Semiconductor）生产的一款高性能 准谐振电流模式 PWM 控制器，专为高效、低噪声的离线式开关电源设计。以下是其核心信息总结：

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     一、芯片基本特性与参数

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     2. 类型与拓扑

        • 电流模式 PWM 控制器：通过检测电流信号调节开关频率，提升系统稳定性。

        • 反激式拓扑（Flyback）：支持隔离输出，适用于中小功率AC-DC转换场景。

        • 准谐振工作模式：在开关管漏极电压谷底（Valley）触发导通，降低开关损耗和电磁干扰（EMI）。

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     4. 关键电气参数

        参数	数值/范围	说明
        工作电压	9V ~ 28V	宽输入范围适应不同电网波动
        启动电压	17V	内部集成启动电路
        输出电流能力	800 mA	驱动外部MOSFET或变压器
        开关频率	≤65 kHz	支持轻载频率折返（Frequency Foldback）
        温度范围	-40℃ ~ 125℃（部分型号150℃）	工业级可靠性

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     6. 封装与物理特性

        • 封装形式：SOIC-8 表面贴装封装，尺寸 5×4×1.5 mm。

        • 环保标准：无铅且符合 RoHS 规范。

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     二、主要应用领域

     NCP1380DDR2G 专为高效节能型电源设计，广泛应用于以下场景：

     1. AC-DC 适配器

        • 笔记本电源、机顶盒/电视适配器，提供稳定隔离输出。

     2. 离线电池充电器

        • 电动车充电桩辅助电源、家用电器充电模块。

     3. 辅助电源系统

        • 平板电视待机电源、工业设备辅助供电（如家电控制板）。

     4. 高可靠性电源

        • 医疗设备辅助电源、通信设备备用电源。

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     三、核心功能与技术优势

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     2. 能效优化设计

        • 谷底开关（Valley Switching）：在MOSFET漏极电压最低点导通，减少开关损耗。

        • 轻载频率折返：负载降低时自动降低开关频率，显著减少待机功耗（<100 mW典型值）。

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     4. 多重保护机制

        • 故障保护：集成过压（OVP）、过流（OCP）、过热（OTP）及短路保护，通过内部80ms计时器触发自动恢复或锁存关机。

        • 过功率保护（OPP）：在高输入电压下限制输出功率，防止元件过载。

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     6. 简化系统设计

        • 组合保护引脚：支持欠压/过压（UVLO/OVLO）或过温保护复用，减少外围元件。

        • 低外围需求：内置软启动、斜坡补偿等功能，简化电路布局。

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     四、总结

     NCP1380DDR2G 是一款面向高效隔离电源的专用控制器，通过准谐振技术与多重保护机制，显著提升电源能效和可靠性。其核心价值在于：

     • 节能优势：谷底开关+频率折返技术，优化全负载范围效率；

     • 高集成度：减少外围元件，降低系统成本；

     • 强健性：工业级温度范围与完备保护功能，适应严苛环境。
       适用场景：适配器、电视辅助电源、充电器等需高效隔离转换的中小功率设计，尤其适合对低待机功耗有严格要求的产品。

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     该芯片目前处于量产状态（Active），标准包装2500片/卷，参考单价约 ¥5~7 元（批量采购价）。设计时可参考评估板 NCP1380DGEVB 加速开发。

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