FCH072N60F 是一款高性能的 N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现属安森美ON Semiconductor）设计生产。它属于 SuperFET® II FRFET® 系列，采用先进的超级结（Super-Junction）技术和电荷平衡设计，专为高效功率转换应用优化。以下是其核心信息总结：

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一、芯片基本参数

参数项	数值/特性	备注
类型	N沟道MOSFET	增强型
额定电压	600 V（漏源击穿电压，Vdss）	高压环境适用
额定电流	52 A（Tc=25°C）	需配合散热设计
导通电阻	72 mΩ（@26A, 10V）	低导通损耗关键指标
栅极电荷	215 nC（@10V）	影响开关速度
最大功耗	481 W（Tc）	需散热支持
封装	TO-247-3（通孔安装）	尺寸 15.87×4.82×20.82 mm
工作温度	-55°C ~ +150°C	工业级范围

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 二、主要应用领域

FCH072N60F 专为高频开关电路和高功率转换系统设计，核心应用包括：

1. 电源转换系统

   • 开关电源（SMPS）：如服务器/电信电源、ATX电源、工业电源的主开关器件 。

   • 功率因数校正（PFC）电路：提升能效，减少谐波干扰 。

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2. 可再生能源系统

   • 太阳能逆变器：用于DC-AC转换模块，高效处理高压直流输入 。

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3. 不间断电源（UPS）

   • 承担功率开关角色，确保快速切换和低损耗 。

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4. 电机驱动与工业控制

   • 电机驱动桥式电路、工业电源管理模块 。

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三、核心作用与技术优势

1. 高效能量转换

   • 低导通电阻（R_ds(on)）：减少导通时的功率损耗，提升系统效率 。

   • 快速开关性能：高开关速度（典型开通延迟 43 ns，关断延迟 140 ns）适合高频应用。

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2. 高可靠性设计

   • 雪崩能量耐受：全系列经过雪崩测试，适应电压浪涌环境。

   • 优化体二极管：反向恢复性能强，减少外部保护元件需求。

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3. 热管理能力

   • TO-247封装提供优异散热特性，支持高功率耗散（481 W）。

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 四、替代型号与供应信息

• 替代型号：FCH068N60F、FCH078N60F、IRF7739 。

• 供应状态：已停产（Not for New Designs），但仍有现货渠道（如深圳/香港仓库）。

• 典型价格参考：约 ¥30.8–74.2 元（因库存和渠道波动）。

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总结：FCH072N60F 是面向工业级高压、大电流场景的功率开关器件，以低损耗、高可靠性和快速响应为核心价值，广泛应用于电源、新能源及电机驱动系统。设计新项目时建议选择其替代型号或新一代 SuperFET 系列产品。

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