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BYC15-1200P
BYC15-1200P是瑞能半导体（WeEn Semiconductors）推出的一款超高速功率二极管（Hyperfast Power Diode），属于BYC15系列产品线。该器件采用瑞能EEPP（Efficiency Enhanced Pt Planar）平面钝化工艺制造，在TO-220AC两引脚塑料封装内集成了高性能单二极管，以通孔方式安装。更多 +
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BYC30-1200P
瑞能半导体（WeEn Semiconductors）BYC30-1200P超高速功率二极管（Hyperfast Power Diode）。它采用瑞能的EEPP（Efficiency Enhanced Pt Planar）平面钝化工艺，在TO-220AC标准封装内实现了1200V反向耐压、30A平均整流电流、65ns反向恢复时间的卓越性能组合。凭借软恢复特性、175℃高工作结温、300A浪涌承受能力以及低反向漏电流，BYC30-1200P为各类高可靠性、高能效的电力电子应用提供了一套高性能、高性价比的二极管解决方案。更多 +
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BZX85C15-TAP
产品介绍：Vishay 是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一. Vishay元件用于工业, 计算机, 汽车, 消费, 电信, 军事, 航空及医疗市场的各种类型的电子设备中.Vishay 的全球足迹包括在中国, 亚洲其他五个国家/地区, 欧洲及美洲设立的制造机构, 以及在全球开设的销售办事处. Vishay 在技术, 成功收购战略,注重降低成本, 以及提供“一站式”服务已使该公司成为全球业界的领先者.更多 +
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BYC75W-600PT2Q
产品介绍：BYC75W-600PT2Q 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。更多 +
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BYC8-1200PQ
产品介绍：BYC8-1200PQ 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。更多 +
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BYC8-600P,127
产品介绍：BYC8-600P,127 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。更多 +
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BYC15-600PQ
产品介绍：BYC15-600PQ 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。更多 +
- [公司动态]Littelfuse IXFH60N65X2场效应管MOSFET 650V 高压功率二极管模块，充电桩、高压电机驱动IC2026年09月21日 14:40
- IXFH60N65X2 是 Littelfuse X2-Class 系列 N 沟道增强型超结功率 MOSFET，采用电荷补偿超结工艺，TO-247AD 通孔封装，专为 650V 级高压开关电源、PFC、DC/AC 逆变、高压 DC-DC 设计。器件集成软恢复本征体二极管，支持非钳位感性开关（UIS 雪崩耐受），封装采用低寄生电感设计，适配工业设备quan球出口认证需求。
- 阅读（1009）
- [公司动态]Littelfuse/IXYS IXFH320N10T2 N 沟道增强型沟槽栅功率 MOSFET，中低压大电流器件IC2026年09月21日 14:05
- IXFH320N10T2 是 Littelfuse（原 IXYS）Gen2 系列 N 沟道增强型沟槽栅功率 MOSFET，采用 HiPerFET zhuan利工艺，TO-247AD 直插封装，专为高频大功率开关、同步整流、直流斩波等场景开发的中低压大电流器件。其内置优化的本征体二极管，具备可靠的雪崩耐受能力，支持硬开关与谐振开关两种工作模式，同时满足 RoHS 环保标准，封装环氧树脂达到 UL94V-0 阻燃等级，可广泛适用于工业、储能、车载非安全域等严苛工况。
- 阅读（1008）
- [行业资讯]深尚想BYC15-1200P WeEn瑞能1200V/15A超高速功率二极管，集成电路IC芯片2026年07月23日 11:35
- 瑞能半导体（WeEn Semiconductors）BYC15-1200P超高速功率二极管（Hyperfast Power Diode）。它采用瑞能的EEPP（Efficiency Enhanced Pt Planar）平面钝化工艺，在TO-220AC标准封装内实现了1200V反向耐压、15A平均整流电流、45ns反向恢复时间的卓越性能组合。凭借软恢复特性、175℃高工作结温、200A浪涌承受能力以及低反向漏电流，BYC15-1200P为各类高可靠性、高能效的电力电子应用提供了一套高性能、高性价比的二极管解决方案。
- 阅读（987）
- [行业资讯]BYC30-1200P WeEn瑞能1200V/30A超高速功率二极管，为高能效电力电子系统打造的核心器件2026年07月23日 11:06
- BYC30-1200P是瑞能半导体（WeEn Semiconductors）推出的一款超高速功率二极管（Hyperfast Power Diode），属于BYC30系列产品线。该器件采用瑞能EEPP（Efficiency Enhanced Pt Planar）平面钝化工艺制造，在TO-220AC两引脚塑料封装内集成了高性能单二极管，以通孔方式安装。
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