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: SLMi350DB-DG

产品介绍：SLMi350DB-DG是数明半导体（Sillumin）推出的一款单通道、电容隔离式栅极驱动器,核心功能是高效、安全地驱动功率开关器件（如MOSFET、IGBT）并实现高压电气隔离。
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: BUK7M6R0-40HX

产品介绍：Nexperia（安世）是一家起源于荷兰的半导体公司。是全球领先的分立器件、逻辑器件和MOSFET器件的制造商。主要生产二极管、晶体管、ESD保护器件、逻辑ICs以及MOSFETs等分立和逻辑元件。
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: MMKP82-PHB

产品介绍：MMKP82-PHB是RC容钏一种薄膜电容器盒式双面金属化聚丙烯高绝缘电阻IC。其核心功能是“吸收和抑制高频脉冲及浪涌电流，保护电路中的关键器件”。在电路开关瞬间（如IGBT、MOSFET的开关），能快速吸收产生的巨大脉冲能量，防止过电压击穿开关管。
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: HIP4082IBZ

产品介绍：HIP4082IBZT是Renesas（瑞萨电子）推出的高频半桥/全桥MOSFET驱动器，采用SOIC-16封装，专为大功率H桥电机驱动和DC-DC转换设计，支持100V高压和2A峰值驱动电流。
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: DMP6110SFDF-13

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: DMP6110SFDF-13

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: DMP10H400SK3-13

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: BSS316NH6327XTSA1

产品介绍：BSS316NH6327XTSA1是Infineon（英飞凌）公司推出的一款N沟道小信号MOSFET。它采用超小型的SOT-23表面贴装封装，是一款专为负载开关、电平转换和信号切换等低功率应用而设计的高效开关器件。
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: IR4427STRPBF

产品介绍：IR4427STRPBF是Infineon（英飞凌）公司推出的一款单通道、高速、低侧栅极驱动器IC。它采用SOIC-8表面贴装封装，是一款专为驱动功率MOSFET和IGBT而设计的接口芯片。
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: IRFP140NPBF

IRFP140NPBF是Infineon（英飞凌）公司推出的一款N沟道功率MOSFET。它采用经典的TO-247AC通孔封装，是一款专为高功率开关和线性放大应用而设计的重型晶体管。
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: IRLML2402TRPBF

产品介绍：IRLML2402TRPBF 是英飞凌科技推出的一款单颗N沟道小信号MOSFET功率开关二极管。它采用超小型的 SOT-23 表面贴装封装，是一款专为低电压、小功率、高密度的电路控制而设计的通用型器件。
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: IRLR3110ZTRPBF

产品介绍：IRLR3110ZTRPBF是英飞凌科技推出的一款单颗N沟道功率MOSFET晶体管/二极管。它采用先进的?DirectFET? MN 表面贴装封装，是一款专为高频率、高能效、高功率密度应用而设计的革命性产品。
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: IRFP4468PBF

IRFP4468PBF是英飞凌科技推出的一款单颗N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用标准的TO-247通孔封装，是一款专为处理极高功率而设计的重型开关器件。
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: IRF7351TRPBF

产品介绍：IRF7351TRPBF 是英飞凌科技推出的一款双N沟道MOSFET功率开关二极管。它采用先进的PQFN 3.3x3.3 mm封装，将两个高性能的MOSFET集成在一个芯片内。在开关电源（SMPS）中，如服务器/数据中心电源、通信设备电源、工业电源的次级整流侧，用于替代传统的肖特基二极管，大幅提升效率
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: DMP6180SK3-13

产品介绍：DMP6180SK3-13 是 Diodes Incorporated（美台半导体）公司生产的一款 P沟道增强型功率MOSFET。高效功率开关实现电路的高效通断控制；电源管理在电源系统中进行电能分配和管理；负载驱动直接驱动各种功率负载。
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: IRFBG30PBF

IRFBG30PBF是Vishay威世推出的600V/30A N沟道功率MOSFET，采用第五代TrenchFET技术，专为开关电源、电机驱动、新能源逆变器等高功率场景设计。以85mΩ超低导通电阻和超快反向恢复，成为高效能电源系统的“能效引擎”！
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: SUP70101EL-GE3

产品介绍：SUP70101EL-GE3是Vishay Siliconix推出的30V N沟道MOSFET，采用PowerPAKSO-8封装，专为高效率电源管理和负载开关应用优化设计。
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: FF600R12ME4

产品介绍：IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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: FCH041N60F

产品介绍：FCH041N60F: 功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET III，FRFET ,600 V，76 A，41 mΩ，TO-247 SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。
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: MP2329GG-Z

产品介绍：MP2329 是一款全集成高频同步整流降压开关模式变换器。 MP2329 采用超紧凑型解决方案，在宽输入电压工作范围内可实现 6.5A 持续输出电流和 7.5A 峰值输出电流。 MP2329 基于 MPS 专有的开关损耗降低技术和低导通阻抗功率 MOSFET，能在宽输出电流负载范围内高效率工作。自适应恒定导通时间控制模式（COT）提供了快速瞬态响应，并使环路更易稳定。直流自动调节环路和远程差分检测功能提供了良好的负载和线性调整率。
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SLMi350DB-DG

BUK7M6R0-40HX

MMKP82-PHB

HIP4082IBZ

DMP6110SFDF-13

DMP6110SFDF-13

DMP10H400SK3-13

BSS316NH6327XTSA1

IR4427STRPBF

IRFP140NPBF

IRLML2402TRPBF

IRLR3110ZTRPBF

IRFP4468PBF

IRF7351TRPBF

DMP6180SK3-13

IRFBG30PBF

SUP70101EL-GE3

FF600R12ME4

FCH041N60F

MP2329GG-Z

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