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: DGD05473FNQ-7

产品介绍：DGD05473FNQ-7 是 Diodes（美台）的高频半桥栅极驱动器，以半桥方式同时控制高侧和低侧驱动两个 N 沟道 MOSFET ，工作电压约 4.7V 至 14V，工作温度约 -40℃至 +125℃，封装DFN-10。适合汽车和工业电源、电机驱动等场景。
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: FOD3150ASD

产品介绍：FOD3150ASD onsemi安森美单通道高速栅极驱动光耦，专为驱动IGBT和功率MOSFET设计，具备5000Vrms的高隔离耐压。峰值输出电流?3A，连续输出电流2.5A，共模瞬态抗扰度CMTI?最高50kV/μs，封装?SOP-8，广泛用于工业电机控制逆变器、高性能开关电源、光伏逆变器、伺服驱动器、UPS不间断电源等需要强隔离、高抗扰的功率驱动场景。
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: FOD3120SDV

FOD3120SDV是全球半导体厂商安森美（onsemi）推出的一款高性能逻辑输出栅极驱动光耦合器，属于安森美高抗噪栅极驱动光耦系列，专为功率半导体开关驱动场景设计，目前广泛应用于工业自动化、新能源发电、电力电子等领域。
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: UCC27524DR

产品介绍：UCC27524DR 是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款双通道、5A 高速低侧栅极驱动器，采用紧凑的SOIC-8 封装，专为驱动功率 MOSFET 和 IGBT 等开关器件而设计。它凭借5A 峰值拉灌电流、17ns 超低传播延迟、1ns 通道间延迟匹配以及4.5V 至 18V 宽电源电压范围，在开关电源、电机控制、太阳能逆变器和电动汽车充电等领域中广泛应用。
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: SLMi350DB-DG

产品介绍：SLMi350DB-DG是数明半导体（Sillumin）推出的一款单通道、电容隔离式栅极驱动器,核心功能是高效、安全地驱动功率开关器件（如MOSFET、IGBT）并实现高压电气隔离。
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: SLMI8233BDCG-DG

产品介绍：SLMI8233BDCG-DG是数明半导体 (Sillumin)设计生产的一款高性能、双通道隔离式栅极驱动器。5000Vrms的工业级隔离耐压，为您的控制核心与高压功率侧筑起坚不可摧的“防火墙”，全面保障人身与系统安全。
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: LTV-341P-TA1-H

产品介绍：LITEON（光宝）的?LTV-341P-TA1-H?是一款高性能的栅极驱动光耦，它能高效驱动功率半导体器件，并提供安全的电气隔离。高达35 kV/μs的CMTI意味着该器件在功率侧出现剧烈电压波动时，能有效抑制噪声通过寄生电容耦合到控制侧，防止误导通，保障系统在嘈杂的工业环境中的稳定运行?。
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: IR4427STRPBF

产品介绍：IR4427STRPBF是Infineon（英飞凌）公司推出的一款单通道、高速、低侧栅极驱动器IC。它采用SOIC-8表面贴装封装，是一款专为驱动功率MOSFET和IGBT而设计的接口芯片。
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: FF600R12ME4

产品介绍：IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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: SLM343CK-DG

SLM343CK-DG是一颗光兼容、单通道、隔离栅极驱动器，可用于驱动MOS和IGBT，驱动电流强，源极电流可达4A，漏极输出可达6A，隔离电压高达5KV，结温范围为-40-150℃，相对同系列其他芯片，该物料的优势在于高共模瞬态抗扰度、低传播延迟和小脉宽失真。UPS电源中市电接入后会有一个整流模块，其中会用到隔离驱动，UPS产品中对用料有一定的要求，而数明的SLM343CK-DG性能高，各项参数指标都符合工业级产品对芯片的要求。SLM34x系列输入级是模拟二极管，与传统LED相比，这意味着长期可靠性和优异的老化特性。它以SOP6W包提供≥8.0mm爬电和间隙。来自材料组II的模具化合物，其比较跟踪指数（CTI）>400V.SLM34x的高性能和可靠性使其非常适用于所有类型的电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器。
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: MP1584EN-LF-Z

MP1584是一款集成了内部高端高压功率MOSFET的高频降压开关稳压器。MP1584采用电流控制模式，可通过简单补偿设计提供3A的电流输出并提供快速环路响应。 4.5V至28V的宽输入范围使其适用于各种降压应用，包括汽车环境中的应用。100μA 的工作静态电流允许其使用在电池供电应用中。通过在轻载条件下降低开关频率，以减少开关和栅极驱动损耗，MP1584实现了宽负载范围内的高转换效率。降频功能有助于防止启动过程中电感电流失控，过温保护确保了工作的稳定性和可靠性。
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[公司动态]低温下驱动电流不足导致MOS管开关短路？UCC27524DR TI双路5A高速栅极驱动器IC芯片2026年10月30日 14:15: TI UCC27524DR作为工业级双路5A高速低侧栅极驱动器，用5A灌拉对称峰值电流、纳秒级低延迟、全温区鲁棒性设计，给MOSFET、IGBT甚至GaN器件提供一套“全工况稳定驱动不炸机”的落地方案。; 阅读（1060）标签：驱动器

[公司动态]SiLM27212EK-DG数明 Sillumin半桥栅极驱动芯片MOSFET，集成二极管，工业电源模块2026年10月12日 10:44: SiLM27212EK-DG 是数明 SiLM27212 系列的主力型号，专为高压半桥拓扑设计，内置自举二极管省去外部自举二极管，是国产高压高低边驱动IC，兼容海外 UCC27212 等经典半桥驱动芯片。驱动源极电流 IOH=3A，灌电流 IOL=4.5A，输入引脚独立于电源电压，具备负压耐受能力，抗开关节点负电压冲击; 阅读（1029）标签：稳压器

[公司动态]DIODES美台DGD05473FNQ-7车规半桥N 沟道MOSFET栅极驱动芯片，内置二极管2026年10月08日 16:17: 在车载 BLDC 电机、高频 DC-DC、无线充电、D 类功放的电源设计中，半桥驱动方案面临难题：普通商用栅极驱动缺少 AEC-Q100 车规认证，无法进入汽车供应链；分立自举电路外围器件多，PCB 占用面积大，死区匹配差，容易出现上下管直通烧毁 MOS 管。DIODES 美台 DGD05473FNQ-7，是AEC-Q100 认证高频半桥高低侧栅极驱动器，U-DFN3030-10 微型封装，内置自举二极管，精准延迟匹配，专为半桥 N 沟道 MOSFET 驱动打造，兼顾车规可靠性与高频小型化设计，是电机、电源硬件的功率驱动方案。; 阅读（1021）标签：驱动芯片

[公司动态]SLM343CK-DG Sillumin数明隔离栅极驱动器，IGBT、MOSFET驱动芯片，赋能工业与新能源2026年09月22日 14:35: 上海数明半导体（Sillumin）国内高性能隔离模拟芯片，推出SLM343CK-DG，隶属于 SLM34x 系列单通道兼容光耦隔离栅极驱动器，采用自主电容隔离技术，引脚、封装wan全兼容传统光耦驱动方案。芯片拥有 4A 峰值源电流、6A 峰值灌电流大驱动能力，5kVrms 增强隔离耐压，150kV/μs 超高共模瞬态抗扰度，-40℃~+125℃宽温工作区间，兼顾高驱动能力、强抗干扰、长寿命、国产稳定供货多重优势，成为工业电源、新能源逆变、电机变频领域国产替代方案。; 阅读（1016）标签：控制器

[行业资讯]现货SLMi350DB-DG Sillumin数明半导体 4A/7A光隔离式栅极驱动器，电源管理芯片IC2026年07月09日 16:19: SLMi350DB-DG是上海数明半导体（Sillumin）生产设计的光耦兼容单通道隔离式栅极驱动器。它采用业界领先的双电容隔离技术和“OOK”传输技术，在DIP-8封装内实现了4A拉电流/7A灌电流峰值输出、150kV/μs高CMTI、120ns最大传播延迟、3.75kVRMS隔离耐压的卓越性能组合。更重要的是，它引脚兼容主流光耦隔离驱动器，工程师无需修改PCB即可实现“即插即用”的性能升级。; 阅读（994）标签：驱动器

[行业资讯]现货NSI6801TC-DDBR OVOSENSE纳芯微 5A光耦隔离式栅极驱动器，电源管理芯片IC2026年07月03日 17:13: NSI6801TC-DDBR是苏州纳芯微电子（NOVOSENSE）生产的光耦兼容单通道隔离式栅极驱动器。它采用电容隔离技术和纳芯微独家专利的Adaptive OOK调制技术，在DUB-8封装内实现了5A峰值拉/灌电流、150kV/μs高CMTI、75ns典型传播延迟、5000Vrms隔离电压，国产隔离放大器，Pin 对 Pin 替代安捷伦 HCPL，AI 48V/800V 服务器电源、储能变流器隔离采样核心料，国产化替代风口，现货稀缺。; 阅读（994）标签：驱动器

[行业资讯]全新SLM343CK-DG 隔离栅极驱动器Sillumin数明半导体抗干扰+耐高温电子元器件IC 芯片2026年05月18日 15:29: SLM343CK-DG是Sillumin（数明半导体）推出的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，它在保持与传统光耦隔离驱动器引脚完全兼容的基础上，采用创新的模拟二极管输入级技术，在紧凑的SO-6-6.8mm宽体封装内，实现了4.0A峰值源电流与6.0A峰值灌电流的大电流驱动能力、5kV RMS增强隔离等级以及150kV/μs的超高共模瞬态抗扰度（CMTI），广泛应用于LED照明、工业控制、汽车电子等领域。; 阅读（924）标签：FPGA

[公司动态]A3938SLDTR-T Allegro电机预驱动器+高精度控制汽车级电机控制引擎！2025年07月04日 16:54: A3938SLDTR-T是Allegro MicroSystems推出的三相无刷直流（BLDC）电机预驱动器，集成MOSFET栅极驱动和电流检测功能，专为12V~60V工业电机系统设计，适用于高精度速度控制场景。; 阅读（136）标签：

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