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: 2N7002K-T1-GE3

产品介绍：Vishay 是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一. Vishay元件用于工业, 计算机, 汽车, 消费, 电信, 军事, 航空及医疗市场的各种类型的电子设备中.Vishay 的全球足迹包括在中国, 亚洲其他五个国家/地区, 欧洲及美洲设立的制造机构, 以及在全球开设的销售办事处. Vishay 在技术, 成功收购战略,注重降低成本, 以及提供“一站式”服务已使该公司成为全球业界的领先者.
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: TK100E08N1,S1X(S

产品介绍：N沟道漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：255W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.2mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@1mA
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: FQP4N90C

产品介绍：此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
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[行业资讯]深尚想AON6280 AOS 80V MOS功率MOSFET场效应管，电源管理芯片IC模块2026年06月29日 13:57: AON6280是AOS（Alpha & Omega Semiconductor）推出的一款N沟道功率MOSFET场效应管晶体管，采用先进的沟槽MOSFET技术制造，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。器件采用8-DFN（5x6mm）表面贴装封装，是AOS中压MOSFET产品组合中的旗舰型号。; 阅读（968）标签：MOSFET

[行业资讯]现货EPM570F256C5N I/O CPLD可编程逻辑芯片IC Intel/Altera 工业控制与通2026年06月09日 10:29: EPM570F256C5N?是Intel（原Altera）推出的CPLD - 复杂可编程逻辑器件，它基于成熟的0.18μm低功耗工艺，在256-FBGA（17×17mm）紧凑封装内，集成了570个逻辑单元（LE）、等效440个宏单元、160个用户I/O以及5.4ns的极速引脚到引脚延迟，以即时启动、非易失性架构和低至29μA的待机功耗，为工业控制、通信网络和汽车电子等对成本敏感且需实现快速并行逻辑处理的嵌入式应用提供了兼顾性能、功耗与性价比的理想硬件平台。; 阅读（950）标签：场效应管

[行业资讯]全新BSS127S-7 600V高压SOT-23小信号MOSFET场效应管 DIODES美台，开关电源芯片IC2026年06月08日 17:47: BSS127S-7是DIODES（美台）推出的BSS127S-7小信号N沟道增强型MOSFET，它采用先进的平面工艺技术，在标准的SOT-23微型封装内，集成了600V高漏源击穿电压、70mA连续漏极电流、160Ω导通电阻以及1.08nC低栅极电荷，并以低输入电容、低输入/输出漏电、高BVDSS额定值等特性，为对PCB空间和高压耐受均有严格要求的紧凑型高压电路提供了兼具高性能、高可靠性与小尺寸的理想开关方案。; 阅读（950）标签：场效应管

[行业资讯]全新IPT007N06N 60V 300A 0.75mΩ MOSFET场效应管Infineon英飞凌芯片IC2026年06月03日 10:25: IPT007N06N是英飞凌（Infineon）推出的OptiMOS5 N沟道功率MOSFET，它采用创新的TOLL（TO-Leadless）封装（PG-HSOF-8），在紧凑的10.58mm×10.10mm占板面积内，实现了60V的漏源击穿电压、300A的连续漏极电流、375W的功率耗散能力，以及业界领先的0.75mΩ超低导通电阻，配合216nC的低栅极电荷和-55°C至175°C的宽结温工作范围，为工业电源、电机驱动和电池保护系统提供了兼具超高电流能力、极低导通损耗与高功率密度的理想功率开关解决方案。; 阅读（954）标签：MOSFET场效应管

[常见问题]使用场效应管应该注意哪些事项2022年09月20日 16:52: 使用场效应管应该注意哪些事项? 深圳市尚想信息技术有限公司小编告诉你使用氖气辉光灯泡时需要注意以下5个事项，请大家一起来看看是哪些。; 阅读（93）标签：

[公司动态]尚想淺析场效应管发热严重的原因2022年09月16日 15:45: 场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET和绝缘栅型场效应三极管IGFET之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET。; 阅读（58）标签：

[常见问题]安森美场效应管有什么特点？2022年07月24日 15:08: 与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。 (1)、场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流); (2)、场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻(107～1012Ω)很大。 (3)、它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好; (4)、它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数; (5)、场效应管的抗辐射能力强; (6)、由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。; 阅读（93）标签：常见问题

[常见问题]场效应管的特点有哪些？2022年07月23日 17:51: 场效应管具有如下特点： (1)、场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流); (2)、场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻(107～1012Ω)很大。 (3)、它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好; (4)、它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数; (5)、场效应管的抗辐射能力强; (6)、由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。; 阅读（112）标签：常见问题

[行业资讯]大功率场效应管2022年06月20日 19:55: 场效应管是20世纪60年代发展起来的一种新型半导体器件，具有输入电阻高（107～1012Ω）、噪声小、功耗低等优点，现已成为双极型晶体管的主流产品之一。; 阅读（180）标签：场效应管

[常见问题]场效应管的特点及其注意事项2022年06月14日 21:45: 场效应管（MOSFET）是电子产品的基本模块之一，也是制造最为频繁的元件。场效应管是数字和模拟集成电路中占主导作用的元件，也是常见的功率器件。由于具有输入阻抗非常高（可达l09～l015Ω）、噪声低、动态变化范围大和温度系数小，且为电压控制元件等优点，因此应用也较为广泛。那么场效应管的特点及其使用注意事项有哪些？; 阅读（94）标签：场效应管

[常见问题]场效应管如何选型2022年05月25日 10:08: 场效应管有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，场效应管可被看成电气开关。当在n沟道场效应管的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。; 阅读（85）标签：常见问题

[常见问题]场效应管工作原理是什么？2021年07月23日 17:49: 场效应结晶体管(FieldEffect Transistor缩写(FET))职称场效应管。由少数载流子参加导热，也称为多极型结晶体管。它归于电压掌握型半超导体机件。存正在输出电阻高(10^8~10^9Ω)、噪音小、功耗低、静态范畴大、易于集成、没有二次击穿景象、保险任务海域宽等长处，现已变化双极型结晶体管和功率结晶体管的壮大合作者。场效应管特性一：场效应管是电压掌握机件，它经过VGS(栅源电压)来掌握ID(漏极直流电); 二：场效应管的输出端直流电极小，因而它的输出电阻很; 阅读（84）标签：常见问题

[常见问题]常见的场效应管有哪些？2021年02月04日 15:10: MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)，属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载; 阅读（565）标签：常见问题

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