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TM8152-SOP16
产品介绍:TM8152-SOP16是HITENX(海速芯)公司设计的一款基于增强型内核的微控制器MCU。它集成了高性能的CPU内核、丰富的片上外设和存储器,是一款高性价比、低功耗的通用型MCU。更多 +

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TM5864-QFN24-E
产品介绍:TM5864-QFN24-E是HITENX(海速芯)公司设计的一款基于增强型内核的微控制器MCU。它集成了高性能的CPU内核、丰富的片上外设和存储器,是一款高性价比、低功耗的通用型MCU。更多 +

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W25Q128JWSIQ
产品介绍:W25Q128JWSIQ 是华邦(Winbond)推出的一款1.8V 128Mbit 高速串行 NOR Flash 存储器,采用133MHz 四线 SPI 接口和SOIC-8 封装,具备超低功耗、工业级宽温工作范围和高可靠性等特性,是物联网设备、汽车电子、工业控制等低功耗应用的理想存储解决方案。更多 +

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W25Q80DVSSIG
产品介绍:W25Q80DVSSIG是Winbond(华邦电子)推出的一款8Mbit容量(1M x 8bit)的串行SPI NOR Flash闪存芯片。采用SOIC-8封装,工作电压2.7V-3.6V,支持高速读取和块擦除功能它是一款非易失性存储器,主要用于嵌入式系统中存储固件、配置参数、用户数据等关键信息。更多 +

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MX30LF4G18AC-XKI
产品介绍:W25Q128JVSIQ是华邦电子(Winbond)推出的一款高性能、128M-bit(16MB)容量的串行NOR Flash存储芯片,采用2.7V-3.6V 供电和133MHz 四线 SPI 接口,8引脚SOIC封装,具备高存储密度、快速读写、低功耗和工业级可靠性等特性,广泛应用于工业控制、物联网设备、消费电子等领域代码存储与数据存储中 。更多 +

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W25Q128JVSIM
产品介绍:W25Q128JVSIQ是华邦电子(Winbond)推出的一款高性能、128M-bit(16MB)容量的串行NOR Flash存储芯片,采用2.7V-3.6V 供电和133MHz 四线 SPI 接口,8引脚SOIC封装,具备高存储密度、快速读写、低功耗和工业级可靠性等特性,广泛应用于工业控制、物联网设备、消费电子等领域代码存储与数据存储中 。更多 +

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W25Q128JVSIQ
产品介绍:W25Q128JVSIQ是华邦电子(Winbond)推出的一款高性能、128M-bit(16MB)容量的串行NOR Flash存储芯片,采用2.7V-3.6V 供电和133MHz 四线 SPI 接口,8引脚SOIC封装,具备高存储密度、快速读写、低功耗和工业级可靠性等特性,广泛应用于工业控制、物联网设备、消费电子等领域代码存储与数据存储中 。更多 +

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W25Q32JWSSIQ
产品介绍:W25Q32JWSSIQ 是 Winbond(华邦)推出的一款支持双路、四路 SPI 接口的 1.8V 32Mbit 串行 NOR Flash 存储器,采用133MHz 高速 SPI/四线 SPI 接口,具备低功耗、高可靠性、灵活的存储架构等特性,是工业控制、物联网设备、消费电子等领域中代码存储和数据存储的设计场景。更多 +

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W25X20CLSNIG
产品介绍:W25X20CLSNIG 是华邦电子生产的一款 2Mbit 串行闪存芯片,采用 SOIC-8 封装,支持 SPI 接口,广泛用于存储代码、语音和数据更多 +

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W25X20CLUXIG
产品介绍:Winbond(华邦电子)推出的W25X20CLUXIG 2M-bit 容量的串行NOR Flash 存储器,正是为破解这一困局而生。它采用USON-8(2mm × 3mm)超紧凑封装,在接近芯片级尺寸内实现了104MHz 高速 SPI 读取、<1μA 深度掉电电流和-40°C 至 85°C 的宽温工作范围,广泛应用于对空间、功耗和稳定性要求较高的嵌入式系统中,支持SPI接口通信与XIP(就地执行)功能,适合用于存储启动代码、配置参数或固件数据 。更多 +

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W25X40CLSNIG
产品介绍: Winbond(华邦)的 W25X40CLSNIG,它是一款串行闪存(Flash)存储芯片,其核心功能是数据存储,而不是电容。电容的核心功能通常是滤波、耦合或储能。更多 +

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TM56M152A-SOP8
产品介绍:TM56M152A-SOP8是Hitenx(海速芯)公司推出的一款基于增强型8051内核的32位微控制器。它采用SOP8/SOP16这种小型封装,在极其有限的物理空间内集成了核心处理能力、存储器和多种常用外设,是一款专为空间和成本敏感型应用设计的高集成度MCU。更多 +

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TM52F1376-SSOP24
产品介绍:TM52F1376-SSOP24是HITENX(海速芯)公司设计的一款基于增强型8051内核的8位微控制器MCU。它集成了高性能的CPU内核、丰富的片上外设和存储器,是一款高性价比、低功耗的通用型MCU。更多 +

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GD32F450IIH6
产品介绍:GD32F450IIH6?是?GigaDevice(兆易创新)?公司生产的一款?基于ARM? Cortex?-M4内核的32位通用微控制器。200MHz主频,ARM Cortex-M4内核支持DSP指令集和FPU浮点单元,轻松应对复杂运算任务。1MB Flash + 256KB SRAM的存储组合,满足大多数应用需求,支持复杂程序运行。更多 +

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GD25Q127CSIGR
产品介绍: GD25Q127CSIGR是GigaDevice(兆易创新)公司生产的一款?128M-bit 串行闪存芯片。104MHz时钟频率,四线模式读取速度高达52MB/s,大幅提升系统启动速度和运行效率。128M-bit(16MB)存储容量,满足大多数应用程序的存储需求,支持复杂功能实现。更多 +

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A1153LLHLX-T
产品介绍:Allegro MicroSystems, LLC. 是开发、制造和销售高性能电源与霍尔效应传感器集成电路的行业领导者。Allegro 的创新解决方案服务于汽车市场中的各种高速增长应用。此外,还致力于提供办公自动化、工业和消费类/通信解决方案。Allegro 总部位于美国麻萨诸塞州伍斯特市,在世界各地设有设计、应用和销售支持中心。更多 +

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STM32F302K8U6TR
STM8 微控制器规格 核心与架构 核心:16 MHz 高级 STM8 核心,采用哈佛架构和三级流水线。 扩展指令集:提供增强型指令集以提高性能。 存储器 程序存储器:8 K字节闪存存储器,确保在 100 次循环后 55°C 下的数据保留期为 20 年。 RAM:1 K字节数据存储器。 数据 EEPROM:128 字节,可承受高达 100 k 次写入/擦除周期。 时钟、复位和电源管理 工作电压:从 2.95 V 至 5.5 V。 灵活的时钟控制:支持 4 个主时钟源。 电源管理:具有低功耗模式,包括等待、活动停止和停止,并且能够单独关闭外围时钟。 复位机制:包括永久激活的、低功耗的上电复位和掉电复位机制。 中断管理 嵌套中断控制器:带有 32 个中断,支持多达 27 个外部中断在 6 个向量上。 定时器更多 +

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STM32G474VCT6
STM8 微控制器规格 核心与架构 核心:16 MHz 高级 STM8 核心,采用哈佛架构和三级流水线。 扩展指令集:提供增强型指令集以提高性能。 存储器 程序存储器:8 K字节闪存存储器,确保在 100 次循环后 55°C 下的数据保留期为 20 年。 RAM:1 K字节数据存储器。 数据 EEPROM:128 字节,可承受高达 100 k 次写入/擦除周期。 时钟、复位和电源管理 工作电压:从 2.95 V 至 5.5 V。 灵活的时钟控制:支持 4 个主时钟源。 电源管理:具有低功耗模式,包括等待、活动停止和停止,并且能够单独关闭外围时钟。 复位机制:包括永久激活的、低功耗的上电复位和掉电复位机制。 中断管理 嵌套中断控制器:带有 32 个中断,支持多达 27 个外部中断在 6 个向量上。 定时器更多 +

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A1363LLUTR-1-T
产品介绍:Allegro MicroSystems磁性开关和闩锁ic为优化电机控制提供出色的抖动性能。磁性开关和闩锁ic采用垂直霍尔技术,能够经受最恶劣的汽车电压瞬变。此外,开关和闩锁是根据ISO 26262标准开发的。 Allegro MicroSystems磁性开关和锁存器ic提供广泛的连续时间开关和锁存器产品组合,包括:霍尔效应锁存器和双极开关,高性能磁性闩锁以极具竞争力的价格为用户提供出色的抖动性能、EMC/ESD鲁棒性和磁性精度。双霍尔效应闩锁,Allegro的垂直霍尔(AVHT)感测解决方案革新了电机和编码器,提供独立于磁体间距或气隙的正交信号。霍尔效应开关,原始设备制造商和一级供应商从我们广泛的霍尔效应开关产品组合中进行选择,用于安全带扣环、座椅导轨、换档选择器、车门微开等应用。 微功率霍尔效应开关,借助这些集成霍尔效应传感器IC,延长电池供电设备的使用寿命。这些开关具有低功耗特性,非常适合开关应用和检测电表篡改。更多 +
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