- [行业资讯]深尚想W25Q32JVSSIQ Winbond华邦32M-bit高性能串行NOR Flash存储器芯片IC2026年06月26日 15:02
- W25Q32JVSSIQ是华邦电子(Winbond Electronics)推出的一款32M-bit(4M-byte)串行NOR Flash存储器芯片。它属于华邦W25Q SpiFlash多I/O存储器家族,采用流行的串行外设接口(SPI),W25Q32JVSSIQ芯片支持4KB扇区擦除、32KB块擦除、64KB块擦除和全片擦除等多种擦除粒度。1,024个可擦除扇区和64个可擦除块的架构,为开发者提供了精细化的存储管理能力。
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- [行业资讯]现货W25X40CLSNIG串行闪存芯片4Mb NOR FLASH Winbond华邦存储器2026年06月22日 15:45
- W25X40CLSNIG是华邦电子(Winbond Electronics)推出的一款4M-bit串行NOR Flash存储器芯片。它属于华邦25X系列产品线,以紧凑的SOIC-8封装,标准SPI接口、双I/O模式,超低功耗和卓越的可靠性,广泛用于工业控制、通信设备、消费电子、物联网等场景,适合代码存储、语音和数据记录等需求。
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- [行业资讯]1Mb NOR FLASH W25X10CLSNIG串行闪存芯片Winbond华邦存储器IC芯片2026年06月17日 16:49
- W25X10CLSNIG是华邦电子(Winbond Electronics)推出的一款1M-bit(128K×8bit)串行NOR Flash存储器芯片,以紧凑的SOIC-8封装、标准SPI接口,它属于华邦25X系列产品线,超低功耗和卓越的可靠性,为空间、引脚和电源受限的系统提供了一套“小而美”的存储解决方案。
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- [行业资讯]升级款APT WD02S爱普特烧录器 一拖四并行烧录 在线编辑 + 脱机编程 多镜像存储芯片烧录器2026年06月17日 14:57
- APT WD02S是爱普特微电子推出的WD02系列全新升级版烧录器,在线编辑 + 脱机编程,高度集成,适用于APT 32bit全系列MCU单片机芯片(含CSU38M系列ARM Cortex-M0及RISC-V系列),USB Type-C接口,操作简单,可以快速实现MCU的编程、测试等任务,具有超高灵活性和可靠性,可保证研发和量产工作的顺利进行。
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- [行业资讯]国产兼容!SPEC-7电解除湿器500L~1立方米5A 6W 电气柜通信基站柜中大型密闭空间除湿方案2026年06月16日 14:32
- 深尚想科技,国产兼容的SPEC-7电解除湿器,以全球独创的固态聚合物电解质(SPE)膜技术为核心,额定电流5A,耗散功率6W,高效除湿能力16(g/天),专为500L~1立方米的电气柜、通信基站柜、文物存储柜等中大型密闭空间,提供了一种长期、稳定、免维护的主动式微环境湿度控制方案。
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- [行业资讯]全新MX30LF2G28AD-TI 2Gbit SLC 并行NAND FLASH闪存芯片 旺宏电子 存储芯片IC2026年06月03日 17:19
- MX30LF2G28AD-TI是旺宏电子(Macronix International Co., Ltd.)推出的NAND闪存,它基于高可靠性的SLC(Single-Level Cell)单级单元架构,在业界标准的48-TSOP封装内,实现了2Gbit(256MB)的大容量存储、16ns/20ns的高速读写性能以及-40°C至85°C的工业级宽温工作范围,凭借SLC架构的高耐用性、完备的坏块管理功能和旺宏原厂逾30年的闪存技术积累,成为对数据持久性和环境适应性有严苛要求的嵌入式系统存储升级的首选方案。
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- [行业资讯]全新8Gb DDR4 NT5AD512M16C4-JR存储芯片Nanya南亚2026年06月02日 17:43
- NT5AD512M16C4-JR是Nanya(南亚科技)推出的?8Gb DDR4 SDRAM内存芯片,它采用先进的DDR4低功耗架构,在96-ball FBGA(7.5mm × 13mm)紧凑封装内,实现了8Gbit(1GB)存储容量、512M×16位组织架构、3200Mbps最高数据传输速率以及0℃~95℃工业级宽温工作范围,以DDR4技术代际优势为各类型嵌入式系统和高速数据处理器提供了兼具高性能、低功耗与长期稳定供货的可靠内存解决方案。
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- [行业资讯]全新DDR3L SDRAM 2Gb W632GU6RB-09闪存芯片Winbond华邦存储芯片IC2026年06月02日 16:47
- W632GU6RB-09是Winbond(华邦)推出的2Gbit DDR3L SDRAM存储器芯片,它采用先进的DDR3L低电压架构,在96-ball VFBGA紧凑封装内,实现了4Gbit存储容量、256M x 16组织架构、1.066GHz工作频率以及0℃~95℃工业级宽温工作范围,为严苛环境下的嵌入式系统和高速数据处理提供了兼具高性能与低功耗的理想内存解决方案。
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- [行业资讯]全新16Gb LPDDR4X K4F6E3S4HM-TFCL内存芯片 SAMSUNG三星半导体 存储IC2026年06月01日 14:29
- K4F6E3S4HM-TFCL是Samsung(三星半导体)推出的?16Gb LPDDR4X宽温级内存芯片,它基于三星先进堆叠封装和低功耗工艺,在紧凑的200-ball FBGA(10mm × 14.5mm)封装内,集成了16Gb(2GB)存储容量、4266 Mbps的数据传输速率、x32位数据总线宽度以及-40℃至95℃的超宽工业级工作温度范围,同时以宽温区全速稳定运行和超低功耗为高可靠车载、5G通信、边缘AI等对性能、功耗和环境适应性有苛刻要求的应用,提供了兼具高带宽、超低功耗与宽温可靠性的理想内存芯动力。
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- [行业资讯]全新128Mbit高速SPI NOR Flash W25Q128JVSIQ Winbond华邦 存储芯片 电源管理IC2026年06月01日 13:53
- W25Q128JVSIQ是Winbond(华邦)推出的128Mbit高速串行NOR Flash,正是为满足这一需求而设计。作为华邦SpiFlash系列的核心成员,它在标准的SOIC-8-208mil封装内,集成了128Mbit存储容量、133MHz高速四线SPI接口、100,000次擦写寿命以及-40°C至85°C工业级宽温特性,为各类嵌入式系统提供了高效、可靠的代码存储和数据存储解决方案。
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- [行业资讯]全新W25N02KVZEIR 2Gbit SPI NAND Flash华邦Winbond工业级存储芯片2026年05月29日 16:22
- W25N02KVZEIR是华邦(Winbond)推出的2Gbit(256MB)QspiNAND Flash存储器,它基于高可靠性的SLC(Single-Level Cell)NAND架构,在紧凑的WSON-8(8×6mm)封装内,将2Gbit大容量、104MHz四线SPI高速接口、片上8位ECC纠错以及-40°C至85°C工业级宽温工作融为一体,为空间、引脚和功耗受限的嵌入式系统,提供了兼具大容量、高可靠性与易用性的理想存储解决方案。
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- [行业资讯]全新W25N01GVZEIG 1Gbit SLC SPI NAND闪存芯片 Winbond华邦 电子元器件 IC芯片2026年05月26日 16:02
- W25N01GVZEIG是Winbond(华邦电子)推出的1Gbit SPI NAND闪存芯片,集成WSON-8(8mm×6mm)封装内,实现了1Gbit(128MB)的大容量存储和104MHz的四线SPI高速接口,内置片上ECC纠错模块和坏块管理系统,为空间、引脚和功耗受限的嵌入式系统,提供了兼具大容量、高可靠性、低成本和高开发效率的理想非易失性存储解决方案。主要用于小空间场景的电压调节。
- 阅读(945)
- [行业资讯]尚想全新GD5F1GM7UEWIGR 1Gbit SPI NAND Flash GD兆易创新 嵌入式存储芯片IC2026年05月11日 10:51
- GD5F1GM7UEWIGR是GigaDevice(兆易创新)推出的 SPI NAND Flash存储器,它基于SLC(Single-Level Cell)NAND Flash核心,采用业界标准的 ?DTR/Dual/Quad SPI 串行接口,在紧凑的WSON-8(6×8mm)封装内,实现了1Gbit(128MB)的海量存储容量、高达133MHz的高速读写与内置硬件ECC纠错模块等特性,为系统设计工程师提供了大容量、高可靠性且极其易用的存储解决方案。
- 阅读(912)
- [行业资讯]尚想全新GD5F1GM7UEYIGR 1Gbit SPI NAND Flash兆易GD存储芯片IC2026年05月11日 10:51
- GD5F1GM7UEYIGR是GigaDevice(兆易创新)推出的 1Gbit SLC SPI NAND Flash存储器,它基于成熟的NAND Flash内存核心,采用标准SPI四线接口,在紧凑的WSON-8(6mm×8mm)封装内,实现了1Gbit(128MB)的大容量存储、133MHz的高速读写以及内置ECC纠错模块,为各类嵌入式系统提供了兼具大容量、高可靠性与易用性的理想存储解决方案,广泛应用于物联网、工业控制、消费电子等领域。
- 阅读(839)
- [行业资讯]尚想全新GD5F1GM7UEYIGR 1Gbit SPI NAND Flash兆易GD存储芯片IC2026年05月11日 10:26
- GD5F1GM7UEYIGR是GigaDevice(兆易创新)推出的 1Gbit SLC SPI NAND Flash存储器,它基于成熟的NAND Flash内存核心,采用标准SPI四线接口,在紧凑的WSON-8(6mm×8mm)封装内,实现了1Gbit(128MB)的大容量存储、133MHz的高速读写以及内置ECC纠错模块,为各类嵌入式系统提供了兼具大容量、高可靠性与易用性的理想存储解决方案,广泛应用于物联网、工业控制、消费电子等领域。
- 阅读(953)
- [行业资讯]全新GD5F1GM7UEYIGR 1Gbit SPI NAND Flash兆易GD存储芯片IC2026年05月11日 10:26
- 在消费电子端,肖特基整流器(如BAT54LT1G)被集成至移动设备充电管理IC,实现毫秒级响应且无开关噪声。此外,汽车电子与新能源系统中,肖特基整流器(如MBR0540T1G)承担着电池管理系统(BMS)的防反接保护与高频谐振回路整流任务。
- 阅读(839)
- [公司动态]现货W66DP2RQQAHJ 8Gb容量LPDDR4低功耗动态随机存取存储器Winbond芯片IC2026年05月07日 17:37
- W66DP2RQQAHJ是由 Winbond(华邦)生产的一款 8Gb(1GB)容量的 LPDDR4/4X 低功耗双倍数据速率动态随机存取存储器(DRAM),采用 DDP(双晶粒封装)技术,适用于高性能、低功耗的移动与嵌入式设备。
- 阅读(900)
- [公司动态]现货供应W634GU6RB-09车载级 4Gb DDR3L SDRAM华邦存储芯片2026年05月07日 17:20
- W634GU6RB-09是由 Winbond(华邦)生产的一款 4Gb(512MB)容量的 DDR3L SDRAM 存储器芯片,它采用先进的DDR3L低电压架构,在96-ball VFBGA紧凑封装内,实现了1.067GHz的高工作频率、4Gbit存储容量、256M x 16组织架构以及-40℃至+95℃工业/车载级宽温工作范围,适用于对功耗敏感的嵌入式与便携式设备。
- 阅读(894)
- [公司动态]EP4CE6E22C8N 可编程逻辑器件(CPLD/FPGA) Altera 存储器IC模块 全新原装芯片解析2026年04月27日 11:00
- EP4CE6E22C8N是 Intel(原Altera)Cyclone可编程逻辑器件(CPLD/FPGA),作为Cyclone IV E系列中容量居中的型号,它基于成熟的60nm低功耗工艺,在144引脚EQFP封装内,集成了6,272个逻辑单元(LE)、91个用户I/O、276Kbit嵌入式RAM以及2个可编程PLL,广泛应用于工业控制、消费电子和教育领域。
- 阅读(917)
- [公司动态]XC7A50T-1CPG236C 可编程逻辑器件(CPLD/FPGA)XILINX赛灵思 原装芯片IC2026年04月21日 17:41
- AMD Xilinx推出的XC7A50T-1CPG236C FPGA,正是为破解这一困局而生。作为Artix-7系列的中坚力量,它基于成熟的28nm高k金属栅极(HKMG)工艺,在238引脚的紧凑BGA封装内,集成了5.2万个逻辑单元、120个DSP48E1 Slice、2.7Mbit块RAM和4路6.6Gbps高速收发器,为成本敏感型但需中高强度并行计算与DSP能力的应用场景提供了理想的解决方案。
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