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: FGH60N60UFDTU

产品介绍：FGH60N60UFD: IGBT，650V，20A，1.8V，TO-247，低 VCE(ON)，场截止。安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
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: BAS16XV2T1G

产品介绍：小信号开关二极管安森美半导体小信号开关二极管是由各种符合AEC-Q101标准的器件组成的广泛产品组合。有单二极管、双二极管和三根二极管配置可供选择。
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: NCP1380DDR2G

产品介绍：NCP1380DDR2G 是安森美（ON Semiconductor）生产的一款高性能?准谐振电流模式 PWM 控制器,专为高效、低噪声的适配器、电视辅助电源、充电器等需高效隔离转换的中小功率设计,尤其适合对低待机功耗有严格要求的产品。
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: FGA60N65SMD

产品介绍：FGA60N65SMD: IGBT，650V，60A，场截止。安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
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: NDT3055

产品介绍：NDT3055: N 沟道增强型场效应晶体管 60V，4A，100mΩ。此类 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供出色的开关性能。
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: FDP075N15A-F102

产品介绍：安森美半导体云电源管理解决方案能在提高效率的同时，简化系统设计、减少电路板占用空间、提高可靠性并加速产品上市。到2030年预计世界能源需求将增加35％至40％，安森美半导体以其高能效特色为主要工业产品供电，节省人们日常使用的能源。
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: FQP4N90C

产品介绍：此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
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: FOD3120SD

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar? 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。
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: FGL40N120ANDTU

产品介绍：安森美半导体的AN系列IGBT采用NPT技术，提供了低导通和开关损耗。AN系列为感应加热(IH)、电机控制、通用型逆变器和不中断电源 (UPS) 等应用提供方案。
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: FGH60T65SHD-F155

产品介绍：安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
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[行业资讯]RHRP860 onsemi安森美600V/8A超高速软恢复二极管，开关电源与功率变换专业芯片2026年07月23日 10:33: 安森美（onsemi）RHRP860超高速恢复二极管（Hyperfast Diode）。它采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构，在TO-220AC封装内实现了600V反向耐压、8A平均整流电流、35ns反向恢复时间的卓越性能组合。其恢复时间仅为传统超快恢复二极管的一半，同时具备软恢复特性，可显著降低开关电路中的振铃和电气噪声。凭借100A浪涌承受能力、-65℃至175℃宽工作结温范围以及100μA超低反向漏电流，RHRP860为各类高可靠性、高能效的功率变换应用提供了一套高性能、高性价比的二极管解决方案。; 阅读（973）标签：二极管

[行业资讯]现货NCV20071SN2T1G onsemi安森美车规级3MHz轨到轨运算放大器，电源管理芯片IC2026年07月09日 17:10: NCV20071SN2T1G是安森美（onsemi）设计生产的车规级CMOS运算放大器。它采用TSOP-5超小型封装，在2.7V至36V的宽电源范围内实现了3MHz带宽、2.8V/μs压摆率、每通道仅405μA超低静态电流的卓越性能组合。它通过了AEC-Q100车规级认证并具备PPAP能力，为汽车电子、工业控制和传感器信号链提供了一套高精度、低功耗、高可靠性的通用放大解决方案。; 阅读（965）标签：放大器

[行业资讯]全新FGHL50T65MQD 650V/50A 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ON安森美芯片2026年06月10日 17:00: FGHL50T65MQD是安森美（onsemi）推出的FGHL50T65MQD第四代场截止沟槽IGBT，它采用先进的FS4（Field Stop 4）中速IGBT技术，在业界标准的TO-247-3封装内，实现了650V高耐压、50A额定电流、1.45V低饱和压降以及优化的开关损耗平衡，并以175℃高结温能力和正温度系数为高效并联运行提供了可靠保障，广泛应用于新能源发电、不间断电源和工业驱动等领域中。; 阅读（943）标签：晶体管

[行业资讯]全新RHRG75120 75A 1200V 软恢复二极管 onsemi（安森美）开关电源芯片IC2026年06月03日 17:59: STTH212U是意法半导体（STMicroelectronics）推出的1200V 2A 超快恢复二极管，它采用ST独有的超快高压平面技术，在紧凑的SMB（DO-214AA）表面贴装封装内，实现了1200V高反向耐压、2A连续正向电流、仅75ns的超快反向恢复时间以及40A的高浪涌电流承受能力，并以低正向压降、软开关特性降低EMI干扰等综合优势，为高开关频率下的电源转换系统提供了兼具高效率、高可靠性与小尺寸的理想整流解决方案。; 阅读（936）标签：二极管

[行业资讯]全新MMBZ5232BLT1G 5.6V SOT-23 稳压二极管ON安森美电子元器件IC芯片2026年05月26日 15:32: MMBZ5232BLT1G是ON Semiconductor（安森美半导体）推出的表面贴装稳压二极管，采用SOT-23-3微型封装，提供了5.6V标称稳压值、±5%的稳压容差、225mW功率耗散以及低至11Ω的动态阻抗，是手机、手持便携设备和高密度PC板等空间受限应用中电压调节与电路保护，主要用于小空间场景的电压调节。; 阅读（889）标签：调湿片

[行业资讯]全新NCP1340B3D1R2G高集成度准谐振反激控制器onsemi电子元器件IC芯片2026年05月21日 14:27: NCP1340B3D1R2G是onsemi（安森美半导体）推出的高度集成准谐振反激控制器，在紧凑的SOIC-9封装内，集成了700V高压启动电路、有源X2电容放电、-500mA/+800mA大电流驱动能力以及可配置过功率保护（OPP），以高频QR工作模式实现空载功耗低于30mW、满载效率超94%的优异性能，为新一代高密度USB-PD快充、LED照明驱动及工业电源提供了兼具高效率、超低待机与高可靠性的理想AC-DC控制解决方案，适用于高效率、低待机功耗的AC-DC电源应用。; 阅读（903）标签：控制器

[公司动态]全新NCS2250SN2T1G 模拟比较器onsemi（安森美）电源管理模块IC 全面解析2026年04月24日 15:09: onsemi（安森美）推出的NCS2250SN2T1G低电压高速比较器，正是为破解这一困局而设计。它采用50 ns（100 mV过驱动）的快速传播延迟、1.8V至5.5V的宽工作电压范围、轨到轨输入/输出能力以及推挽输出架构，在一个紧凑的TSOP-5（SOT23-5）封装内，为各类便携和电池供电系统提供了兼具高性能与低功耗的理想信号检测与转换方案。; 阅读（855）标签：比较器

[公司动态]赋能绿色能源与智造升级：安森美“芯”力量驱动工业光伏储能与伺服系统高效进化2025年07月25日 16:25: 在工业级光伏储能系统中，客户时常面临高功率密度、高效率、长寿命以及系统成本优化的多重挑战。碳化硅方案在储能端可大幅降低电池成本，已成为客户提升能效的关键选择。; 阅读（154）标签：

[行业资讯]安森美助力NVIDIA AI系统检测实验室，自动驾驶安全生态再升级2025年07月24日 17:34: 物理AI正在为自动驾驶和机器人开发技术的交叉领域释放新的可能性，尤其是加速了自动驾驶汽车的开发。正确的技术与框架对确保自动驾驶汽车驾驶员、乘客和行人的安全至关重要。近日，NVIDIA推出了NVIDIA Halos综合安全系统，将NVIDIA的汽车硬件、软件安全解决方案与其自动驾驶汽车安全领域前沿的AI研究相结合。; 阅读（231）标签：

[行业资讯]安森美定制MOSFET方案，拯救客户12V电动助力转向系统生产危机2025年07月22日 17:45: 汽车行业竞争激烈，节奏飞快，只有快速适应和持续创新才能让企业立于不败之地。在本成功案例中，安森美 (onsemi)深入理解并解决客户痛点，及时快速向客户交付了适用于其 12 V 电动助力转向系统 (EPS) 的创新解决方案。; 阅读（241）标签：

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