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FGY75T120SQDN
产品介绍：FGY75T120SQDN这款绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有坚固且成本效益高的超场停止沟槽结构，并在苛刻的开关应用中提供卓越的性能，同时提供低导通电压和最小的开关损耗。IGBT非常适合于UPS和太阳能应用。器件中集成了一个具有低正向电压的软快速共封装自举二极管。更多 +
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NXH350N100H4Q2F2S1G
安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。更多 +
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FGH40T120SMD
安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。更多 +
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FF600R12ME4
产品介绍：IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。更多 +
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KGF75N65KDF-U/H
产品介绍：KGF75N65KDF-U/H是一款超快双通道二极管，具有低正向特性电压降。该装置旨在用作飞轮，并且各种开关电源和其他电源中的箝位二极管电源开关应用。它特别适用于开关电源和工业应用。更多 +
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SLM343CK-DG
SLM343CK-DG是一颗光兼容、单通道、隔离栅极驱动器，可用于驱动MOS和IGBT，驱动电流强，源极电流可达4A，漏极输出可达6A，隔离电压高达5KV，结温范围为-40-150℃，相对同系列其他芯片，该物料的优势在于高共模瞬态抗扰度、低传播延迟和小脉宽失真。UPS电源中市电接入后会有一个整流模块，其中会用到隔离驱动，UPS产品中对用料有一定的要求，而数明的SLM343CK-DG性能高，各项参数指标都符合工业级产品对芯片的要求。SLM34x系列输入级是模拟二极管，与传统LED相比，这意味着长期可靠性和优异的老化特性。它以SOP6W包提供≥8.0mm爬电和间隙。来自材料组II的模具化合物，其比较跟踪指数（CTI）>400V.SLM34x的高性能和可靠性使其非常适用于所有类型的电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器。更多 +
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FGH60N60SMD
安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。更多 +
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IKW40N120H3
安森美ON Semiconductor 40A1200V IGBT可以很容易的并行工作，低导通和开关损耗。ON半导体IKW40N120H3 IGBT是理想的应用，低导通和开关损耗是必不可少的。英飞凌IGBT，广泛应用于电磁炉，电机，电焊机行业。更多 +
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FGHL50T65SQDT
安森美ON Semiconductor FGHL50T65SQDT IGBT是第四代现场停止IGBT提供最优性能。IGBT可以很容易的并行工作，低导通和开关损耗。ON半导体FGHL50T65SQDT IGBT是理想的应用，低导通和开关损耗是必不可少的。这些包括太阳能逆变器，UPS，焊机，电信，ESS和PFC应用。更多 +
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LTV-814S-TA1
产品介绍：光宝集团成立于1975年，最早是由生产发光二极体（LED）起家，1983年率先推动股票上市，拥有台湾第一家挂牌上市的电子公司。30多年来，除了致力于光电零组件，更持续拓展电脑与数位家庭、消费性电子、通讯产品、关键零组件与次系统、并逐步跨足车用电子等4C领域，在市场上具有举足轻重的地位。更多 +
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FGH60N60UFDTU
产品介绍：FGH60N60UFD: IGBT，650V，20A，1.8V，TO-247，低 VCE(ON)，场截止。安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。更多 +
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FGA60N65SMD
产品介绍：FGA60N65SMD: IGBT，650V，60A，场截止。安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。更多 +
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FGL40N120ANDTU
产品介绍：安森美半导体的AN系列IGBT采用NPT技术，提供了低导通和开关损耗。AN系列为感应加热(IH)、电机控制、通用型逆变器和不中断电源 (UPS) 等应用提供方案。更多 +
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FGH60T65SHD-F155
产品介绍： 安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。更多 +
- [公司动态]FF600R12ME4-B72 —— 重新定义工业动力核心，高能效时代的终极选择2025年05月21日 16:52
- 在智能制造、新能源革命和工业4.0的浪潮中，高效、稳定、耐用的功率半导体器件已成为工业系统的核心命脉。而英飞凌（Infineon Technologies）推出的FF600R12ME4-B72 IGBT模块，凭借其1200V/1200A超高功率密度与20mW超低损耗，正以颠覆性性能重新定义行业标准！无论是电动汽车电机驱动、智能电网，还是重型工业设备，它都能以“零妥协”的姿态，成为工程师心中“高能效、高可靠”的代名词。
- 阅读（24）
- [常见问题]两个IGBT模块并联代替一个IGBT有什么好处？2022年07月06日 09:38
- 降本钱的需求。以两点平为例，直接购买赛米控等厂商的成品模块固然可进步产品稳定性，可是相应的本钱增加不是一般公司能承受的，运用多模块并联可显着降低本钱。一般电流越大的IGBT价格越高，且可供挑选的供货商越少，然后三社模块使得价格居高不下。相反，低电流的IGBT厂商较多，量产时刻久，价格较低。
- 阅读（95）
- [行业资讯]IGBT打通汽车能量流 缺货加速国产替代2022年06月17日 22:01
- IGBT 是汽车电能转换的关键连接器。IGBT 器件在新能源汽车主逆变器、车载充电器(OBC)、升压换流器及辅助系统中被广泛应用。其中，主逆变器IGBT以模块形式为主，纯电动车需要1-2 个，混动汽车需要2-3 个，单价从650元到2000 元不等；同时，成本较低的IGBT 单管方案正在逐步渗透：以120KW电机为例，单管方案比模块方案成本降低约40%。此外，由于汽车零部件时常暴露高温、高湿、高压环境中下，要求车规级半导体可承受温度区间达-40-150(工业级：-40-105)且产品寿命需达15 年及以上，因此车用IGBT 技术难度大且封装要求高。
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- [常见问题]关于IGBT管的检测分享2021年06月02日 11:16
- 双极型晶体管、MOSFET管组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件，即为广泛应用的IGBT管。
- 阅读（47）
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