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: LTV-354T-A

产品介绍：光宝集团成立于1975年，最早是由生产发光二极体（LED）起家，1983年率先推动股票上市，拥有台湾第一家挂牌上市的电子公司。30多年来，除了致力于光电零组件，更持续拓展电脑与数位家庭、消费性电子、通讯产品、关键零组件与次系统、并逐步跨足车用电子等4C领域，在市场上具有举足轻重的地位。
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: LTV-354T

产品介绍：光宝集团成立于1975年，最早是由生产发光二极体（LED）起家，1983年率先推动股票上市，拥有台湾第一家挂牌上市的电子公司。30多年来，除了致力于光电零组件，更持续拓展电脑与数位家庭、消费性电子、通讯产品、关键零组件与次系统、并逐步跨足车用电子等4C领域，在市场上具有举足轻重的地位。
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: RHRP30120

产品介绍：RHRP30120 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。
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: 2N7002

产品介绍：2N7002: N 沟道增强型场效应晶体管 60V，0.115A，7.5Ω。此 N 沟道增强模式 MOSFET 是使用高单元密度的沟槽 MOSFET 技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。此产品可用于最高要求 400 mA DC 的大多数应用，可以提供高达 2 A 的脉冲电流。这些产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。
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: 2SC5569-TD-E

产品介绍：2SC5569是一款双极晶体管，50V，7A，低VCE(sat)，(PNP)NPN单PCP，适用于DC-DC转换器应用。
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: 2SA2016-TD-E

产品介绍：2SA2016是一款双极晶体管，-50V，-7A，低VCE(sat)，(PNP)NPN单PCP，用于DC-DC转换器应用。
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: NDT3055

产品介绍：NDT3055: N 沟道增强型场效应晶体管 60V，4A，100mΩ。此类 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供出色的开关性能。
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: MMBT2222ALT1G

产品介绍：MMBT2222AL: NPN 双极晶体管该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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: FQP4N90C

产品介绍：此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
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: LTV-356T

产品介绍：光宝集团成立于1975年，最早是由生产发光二极体（LED）起家，1983年率先推动股票上市，拥有台湾第一家挂牌上市的电子公司。30多年来，除了致力于光电零组件，更持续拓展电脑与数位家庭、消费性电子、通讯产品、关键零组件与次系统、并逐步跨足车用电子等4C领域，在市场上具有举足轻重的地位。
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: FOD3182SD

产品介绍： FOD3182是一款3A输出电流，高速MOSFET门极驱动器光耦合器。它包含一个与CMOS检测器进行光耦合的镓铝砷(AlGaAs)发光二极管(LED)，该检测器带有集成了PMOS和NMOS输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板(PDP)、电机控制逆变器应用和高性能DC-DC转换器中使用的功率MOSFET的高频驱动。该器件封装在8引脚双线内外壳中，可兼容260°C回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。
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: RHRP8120

产品介绍：RHRP8120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。
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: RHRG5060

产品介绍： RHRG5060 是一种具有软恢复特性的极快二极管。它的恢复时间是超快速二极管的一半，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作各种开关电源和其他电源开关应用中的续流/箝位二极管。它们的低存储电荷和极快速软恢复特性最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管的功耗。
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[公司动态]小信号开关电路阈值漂移？ACX114YUQ-7R DIODES美台预偏置双管晶体管2026年10月28日 16:23: 为了实现一个简单的双向电平切换，要在PCB上同时布局一颗NPN三极管、一颗PNP三极管，还要额外搭配两颗分压偏置电阻，不仅占用大量板级空间，不同批次分立器件的参数偏差，还容易导致开关阈值漂移，量产时良率波动。ACX114YUQ-7R作为DIODES美台推出的SOT-363封装预偏置互补双晶体管，把两颗预标定参数的三极管和内置偏置电阻全部集成在一颗小封装内，从根源上解决了分立方案带来的布局复杂、参数离散、调试繁琐等一系列隐性痛点。; 阅读（1055）标签：晶体管

[行业资讯]深尚想AON6280 AOS 80V MOS功率MOSFET场效应管，电源管理芯片IC模块2026年06月29日 13:57: AON6280是AOS（Alpha & Omega Semiconductor）推出的一款N沟道功率MOSFET场效应管晶体管，采用先进的沟槽MOSFET技术制造，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。器件采用8-DFN（5x6mm）表面贴装封装，是AOS中压MOSFET产品组合中的旗舰型号。; 阅读（971）标签：MOSFET

[行业资讯]全新FGHL50T65MQD 650V/50A 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ON安森美芯片2026年06月10日 17:00: FGHL50T65MQD是安森美（onsemi）推出的FGHL50T65MQD第四代场截止沟槽IGBT，它采用先进的FS4（Field Stop 4）中速IGBT技术，在业界标准的TO-247-3封装内，实现了650V高耐压、50A额定电流、1.45V低饱和压降以及优化的开关损耗平衡，并以175℃高结温能力和正温度系数为高效并联运行提供了可靠保障，广泛应用于新能源发电、不间断电源和工业驱动等领域中。; 阅读（951）标签：晶体管

[行业资讯]全新ADL5310ACPZ-REEL7 120dB双通道对数放大器 ADI亚德诺2026年06月10日 16:48: ADL5310ACPZ-REEL7是Analog Devices（亚德诺半导体）推出的双通道对数放大器，它采用优化的跨导线性结构，将双极性晶体管基极-发射极电压与集电极电流之间精确的对数关系应用于电路设计，在紧凑的24引脚LFCSP（4mm×4mm）封装内，集成了2个独立信号通道，实现了3nA至3mA（120dB）的超宽输入动态范围、0.3dB的优异对数一致性以及5.5mA的低静态电流，并以外部电阻可编程的斜率和截距为工程师提供了灵活的传递函数配置，为光纤通信、工业传感及精密功率测量等应用提供了兼具高精度、低功耗与小尺寸的理想宽动态范围电流-电压转换解决方案。; 阅读（976）标签：放大器

[行业资讯]全新ZXTC2045E6TA 30V 1.5A 中功率双极结晶体管(BJT)DIODES美台电机驱动芯片IC2026年06月03日 11:05: ZXTC2045E6TA是DIODES（美台）推出的互补中功率双晶体管，它在SOT-26（SOT-23-6）微型封装内，集成了1个NPN和1个PNP中功率晶体管，以30V集电极-发射极电压、1.5A连续集电极电流、5A峰值脉冲电流以及265MHz/195MHz的高特征频率，配合AEC-Q101车规级认证和PPAP能力，为汽车电子、车窗控制、座椅调节、LED大灯驱动等门极驱动、电机驱动以及各种推挽/半桥拓扑应用提供了兼具高集成度、高性能与高可靠性的理想有源功率开关解决方案。; 阅读（960）标签：晶体管

[行业资讯]全新IPT007N06N 60V 300A 0.75mΩ MOSFET场效应管Infineon英飞凌芯片IC2026年06月03日 10:25: IPT007N06N是英飞凌（Infineon）推出的OptiMOS5 N沟道功率MOSFET，它采用创新的TOLL（TO-Leadless）封装（PG-HSOF-8），在紧凑的10.58mm×10.10mm占板面积内，实现了60V的漏源击穿电压、300A的连续漏极电流、375W的功率耗散能力，以及业界领先的0.75mΩ超低导通电阻，配合216nC的低栅极电荷和-55°C至175°C的宽结温工作范围，为工业电源、电机驱动和电池保护系统提供了兼具超高电流能力、极低导通损耗与高功率密度的理想功率开关解决方案。; 阅读（964）标签：MOSFET场效应管

[公司动态]LTV-217-B-G：高隔离电压晶体管输出光耦——LITEON光宝，工业自动化与电源控制电气隔离解决方案2026年04月16日 17:48: LITEON（光宝科技）推出的LTV-217-B-G晶体管输出光电耦合器，它采用SOP-4表面贴装封装，在紧凑的尺寸内实现了3750Vrms高隔离电压、130%至260%的宽电流传输比（CTR）以及-55°C至+110°C的宽温工作范围，为各类电子系统提供安全、可靠的电气隔离屏障。; 阅读（876）标签：传感器

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