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: NXH350N100H4Q2F2S1G

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
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: APT-DB-S003-V1

产品介绍：学习板上3.3V和5V可选学习板集成了调试器和目标板为一体学习板上集成设计完整的最小应用电路只需接外围设备即可进行在线的调试和测试所有IO口都预留双排插针方便连接学习板预留外部晶振插孔，方便选择使用学习板上可配置复位按钮进行外部复位学习板上复位口，调试口均有跳线帽可选，方便使用
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: APT-DB-110X

产品介绍：学习板上3.3V和5V可选学习板集成了调试器和目标板为一体学习板上集成设计完整的最小应用电路只需接外围设备即可进行在线的调试和测试所有IO口都预留双排插针方便连接学习板预留外部晶振插孔，方便选择使用学习板上可配置复位按钮进行外部复位学习板上复位口，调试口均有跳线帽可选，方便使用
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: TYN625RG

产品介绍：STMICROELECTRONICS TYN625RG 晶闸管, 600 V, 40 mA, 16 A, 25 A, TO-220AB, 3 引脚，闸流晶体管。TYN625RG广泛通用闸流晶体管，额定阻隔电压范围为 400 至 1200V，通态电流额定值高达 50A。
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: BT158W-1200TQ

产品介绍：BT158W-1200TQ是瑞能半导体（WeEn Semiconductors）推出的一款采用SOT429N（TO-247）塑料封装的平面钝化可控硅整流器（SCR）晶闸管。该器件属于瑞能标准恢复型SCR产品组合,采用先进的平面钝化工艺制造,专为需要极高浪涌电流承受能力和高热循环性能的应用而设计。
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: FF600R12ME4

产品介绍：IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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: KGF75N65KDF-U/H

产品介绍：KGF75N65KDF-U/H是一款超快双通道二极管，具有低正向特性电压降。该装置旨在用作飞轮，并且各种开关电源和其他电源中的箝位二极管电源开关应用。它特别适用于开关电源和工业应用。
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: SX1268/SX1262

LoRa透传模组系列,内置MCU和LoRa芯片，降低用户开发和使用的难度和时间，提供TTL串口进行通信。终端模组的出厂默认波特率都为 9600 bps，可指令修改。其中，HL9/HL10/HL20/HL16 都支持低功耗串口通信(在9600及以下波特率)。可在深度休眠模式下自动唤醒，无需控电设计，通信操作简单。HL9/HL9P/HL10 模组支持二次开发。为方便用户自行选择MCU进行LoRa应用程序开发，我们重新设计几款不含MCU的LoRa射频模组，提供SPI接口供用户进行编程。XL6和XL8 大小封装一致。提供TTL串口通信，支持透传和AT指令切换。不支持低功耗串口，需要通过唤醒IO(WK1/WK2)唤醒后进行串口操作。出厂默认波特率115200，指令兼容LoRa透传模组指令，但是有些参数不支持配置。
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: SLM343CK-DG

SLM343CK-DG是一颗光兼容、单通道、隔离栅极驱动器，可用于驱动MOS和IGBT，驱动电流强，源极电流可达4A，漏极输出可达6A，隔离电压高达5KV，结温范围为-40-150℃，相对同系列其他芯片，该物料的优势在于高共模瞬态抗扰度、低传播延迟和小脉宽失真。UPS电源中市电接入后会有一个整流模块，其中会用到隔离驱动，UPS产品中对用料有一定的要求，而数明的SLM343CK-DG性能高，各项参数指标都符合工业级产品对芯片的要求。SLM34x系列输入级是模拟二极管，与传统LED相比，这意味着长期可靠性和优异的老化特性。它以SOP6W包提供≥8.0mm爬电和间隙。来自材料组II的模具化合物，其比较跟踪指数（CTI）>400V.SLM34x的高性能和可靠性使其非常适用于所有类型的电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器。
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: FGHL50T65SQDT

安森美ON Semiconductor FGHL50T65SQDT IGBT是第四代现场停止IGBT提供最优性能。IGBT可以很容易的并行工作，低导通和开关损耗。ON半导体FGHL50T65SQDT IGBT是理想的应用，低导通和开关损耗是必不可少的。这些包括太阳能逆变器，UPS，焊机，电信，ESS和PFC应用。
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[行业资讯]现货AD9680BCPZ-1000模数转换器（ADC）ADI亚德诺电源管理芯片IC模块2026年07月15日 17:23: AD9680BCPZ-1000是ADI设计生产的模数转换器（ADC）。作为一款双通道、14位、1GSPS模数转换器（ADC），它采用多级差分流水线架构并集成输出纠错逻辑。凭借2GHz模拟输入全功率带宽、1GHz输入下80dBc的无杂散动态范围（SFDR）和61.4dBFS的信噪比（SNR），AD9680BCPZ-1000为宽带直接RF采样、多频段通信接收机、高性能雷达和测试设备提供了一套高性能、低功耗、高集成度的模数转换解决方案。; 阅读（966）标签：转换器

[行业资讯]全新APT WD02 S爱普特烧录器开发套件——在线调试和批量编程芯片烧录IC电源模块2026年06月04日 15:09: APT WD02 S是爱普特微电子基于用户反馈与市场需求，在基础上全面迭代升级，推出的新一代多功能编程烧录器——WD02 S烧录器。该工具专为支持全国产化RISC-V MCU及CSU系列MCU的高效固件烧录、在线调试和批量化编程设计，为从实验室原型开发到工厂大批量上机烧录提供了一站式高效工具平台。; 阅读（946）标签：烧录器

[行业资讯]全新W25N01GVZEIG 1Gbit SLC SPI NAND闪存芯片 Winbond华邦电子元器件 IC芯片2026年05月26日 16:02: W25N01GVZEIG是Winbond（华邦电子）推出的1Gbit SPI NAND闪存芯片，集成WSON-8（8mm×6mm）封装内，实现了1Gbit（128MB）的大容量存储和104MHz的四线SPI高速接口，内置片上ECC纠错模块和坏块管理系统，为空间、引脚和功耗受限的嵌入式系统，提供了兼具大容量、高可靠性、低成本和高开发效率的理想非易失性存储解决方案。主要用于小空间场景的电压调节。; 阅读（924）标签：闪存芯片

[行业资讯]尚想全新GD5F1GM7UEYIGR 1Gbit SPI NAND Flash兆易GD存储芯片IC2026年05月11日 10:51: GD5F1GM7UEYIGR是GigaDevice（兆易创新）推出的 1Gbit SLC SPI NAND Flash存储器，它基于成熟的NAND Flash内存核心，采用标准SPI四线接口，在紧凑的WSON-8（6mm×8mm）封装内，实现了1Gbit（128MB）的大容量存储、133MHz的高速读写以及内置ECC纠错模块，为各类嵌入式系统提供了兼具大容量、高可靠性与易用性的理想存储解决方案，广泛应用于物联网、工业控制、消费电子等领域。; 阅读（839）标签：存储器|存储芯片

[行业资讯]尚想全新GD5F1GM7UEWIGR 1Gbit SPI NAND Flash GD兆易创新嵌入式存储芯片IC2026年05月11日 10:51: GD5F1GM7UEWIGR是GigaDevice（兆易创新）推出的 SPI NAND Flash存储器，它基于SLC（Single-Level Cell）NAND Flash核心，采用业界标准的 ?DTR/Dual/Quad SPI 串行接口，在紧凑的WSON-8（6×8mm）封装内，实现了1Gbit（128MB）的海量存储容量、高达133MHz的高速读写与内置硬件ECC纠错模块等特性，为系统设计工程师提供了大容量、高可靠性且极其易用的存储解决方案。; 阅读（899）标签：存储器|存储芯片

[行业资讯]尚想全新GD5F1GM7UEYIGR 1Gbit SPI NAND Flash兆易GD存储芯片IC2026年05月11日 10:26: GD5F1GM7UEYIGR是GigaDevice（兆易创新）推出的 1Gbit SLC SPI NAND Flash存储器，它基于成熟的NAND Flash内存核心，采用标准SPI四线接口，在紧凑的WSON-8（6mm×8mm）封装内，实现了1Gbit（128MB）的大容量存储、133MHz的高速读写以及内置ECC纠错模块，为各类嵌入式系统提供了兼具大容量、高可靠性与易用性的理想存储解决方案，广泛应用于物联网、工业控制、消费电子等领域。; 阅读（928）标签：存储器|存储芯片

[公司动态]全新CLA80E1200HF 1200V/80A 晶闸管(可控硅整流器SCR)/模块——IXYS艾赛斯原装IC芯片2026年04月27日 14:49: CLA80E1200HF是Littelfuse旗下IXYS Corporation推出的High Efficiency SCR（Silicon Controlled Rectifier，可控硅整流器），正是为满足这一严苛需求而设计。作为IXYS高效率晶闸管系列的明星型号，它采用PLUS247-3通孔封装，在紧凑的尺寸内实现了1200V高阻断电压、80A平均通态电流以及970A浪涌承受能力，广泛应用于工业电源、电机控制和功率调节系统中。; 阅读（853）标签：缓冲器

[公司动态]EP4CE6E22C8N 可编程逻辑器件(CPLD/FPGA) Altera 存储器IC模块全新原装芯片解析2026年04月27日 11:00: EP4CE6E22C8N是 Intel（原Altera）Cyclone可编程逻辑器件(CPLD/FPGA)，作为Cyclone IV E系列中容量居中的型号，它基于成熟的60nm低功耗工艺，在144引脚EQFP封装内，集成了6,272个逻辑单元（LE）、91个用户I/O、276Kbit嵌入式RAM以及2个可编程PLL，广泛应用于工业控制、消费电子和教育领域。; 阅读（893）标签：放大器

[公司动态]全新NCS2250SN2T1G 模拟比较器onsemi（安森美）电源管理模块IC 全面解析2026年04月24日 15:09: onsemi（安森美）推出的NCS2250SN2T1G低电压高速比较器，正是为破解这一困局而设计。它采用50 ns（100 mV过驱动）的快速传播延迟、1.8V至5.5V的宽工作电压范围、轨到轨输入/输出能力以及推挽输出架构，在一个紧凑的TSOP-5（SOT23-5）封装内，为各类便携和电池供电系统提供了兼具高性能与低功耗的理想信号检测与转换方案。; 阅读（855）标签：比较器

[公司动态]M-7J1R大型空间设计电解除湿器模块，专为电气柜与大型展柜微环境恒温恒湿方案2026年04月10日 13:49: 在工业电气柜、博物馆大型展柜和通信基站的庞大箱体中，由湿气引发的设备故障或文物损坏，其代价往往是巨大的。像传统除湿的有半导体冷凝式和传统的压缩机式除湿方案，在噪音、振动、冷凝水维护等方面很难达到效果，而 RO SAHL 的?M-7J1R除湿器，适用于2.0立方米以内的密闭环境，具有低功耗、静音运行和无冷凝水排放的优势，适合对湿度敏感的电子设备、收藏品保存等特殊场景使用。; 阅读（872）标签：除湿器