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: TAU2202-1216A00

产品介绍：TAU2202A-1216A00是华大半导体推出的新一代高性能单频四系统GNSS定位模块，在定位精度、功耗控制和性价比方面实现突破性平衡。
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: TAU1201-1216A00

产品介绍：TAU1201A是华大北斗（HDSC）推出的多系统双频高精度定位模块，支持北斗三号（B1I+B2a）、GPS（L1+L5）、GLONASS（L1）、Galileo（E1+E5a）四系统双频信号接收，实现亚米级（0.5-1米）定位精度，专为高精度导航、动态追踪和工业级定位需求设计。
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: NXH350N100H4Q2F2S1G

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
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: APT-DB-S003-V1

产品介绍：学习板上3.3V和5V可选学习板集成了调试器和目标板为一体学习板上集成设计完整的最小应用电路只需接外围设备即可进行在线的调试和测试所有IO口都预留双排插针方便连接学习板预留外部晶振插孔，方便选择使用学习板上可配置复位按钮进行外部复位学习板上复位口，调试口均有跳线帽可选，方便使用
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: APT-DB-110X

产品介绍：学习板上3.3V和5V可选学习板集成了调试器和目标板为一体学习板上集成设计完整的最小应用电路只需接外围设备即可进行在线的调试和测试所有IO口都预留双排插针方便连接学习板预留外部晶振插孔，方便选择使用学习板上可配置复位按钮进行外部复位学习板上复位口，调试口均有跳线帽可选，方便使用
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: TYN625RG

产品介绍：STMICROELECTRONICS TYN625RG 晶闸管, 600 V, 40 mA, 16 A, 25 A, TO-220AB, 3 引脚，闸流晶体管。TYN625RG广泛通用闸流晶体管，额定阻隔电压范围为 400 至 1200V，通态电流额定值高达 50A。
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: BT158W-1200TQ

产品介绍：BT158W-1200TQ是瑞能半导体（WeEn Semiconductors）推出的一款采用SOT429N（TO-247）塑料封装的平面钝化可控硅整流器（SCR）晶闸管。该器件属于瑞能标准恢复型SCR产品组合,采用先进的平面钝化工艺制造,专为需要极高浪涌电流承受能力和高热循环性能的应用而设计。
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: FF600R12ME4

产品介绍：IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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: KGF75N65KDF-U/H

产品介绍：KGF75N65KDF-U/H是一款超快双通道二极管，具有低正向特性电压降。该装置旨在用作飞轮，并且各种开关电源和其他电源中的箝位二极管电源开关应用。它特别适用于开关电源和工业应用。
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: SX1268/SX1262

LoRa透传模组系列,内置MCU和LoRa芯片，降低用户开发和使用的难度和时间，提供TTL串口进行通信。终端模组的出厂默认波特率都为 9600 bps，可指令修改。其中，HL9/HL10/HL20/HL16 都支持低功耗串口通信(在9600及以下波特率)。可在深度休眠模式下自动唤醒，无需控电设计，通信操作简单。HL9/HL9P/HL10 模组支持二次开发。为方便用户自行选择MCU进行LoRa应用程序开发，我们重新设计几款不含MCU的LoRa射频模组，提供SPI接口供用户进行编程。XL6和XL8 大小封装一致。提供TTL串口通信，支持透传和AT指令切换。不支持低功耗串口，需要通过唤醒IO(WK1/WK2)唤醒后进行串口操作。出厂默认波特率115200，指令兼容LoRa透传模组指令，但是有些参数不支持配置。
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: SLM343CK-DG

SLM343CK-DG是一颗光兼容、单通道、隔离栅极驱动器，可用于驱动MOS和IGBT，驱动电流强，源极电流可达4A，漏极输出可达6A，隔离电压高达5KV，结温范围为-40-150℃，相对同系列其他芯片，该物料的优势在于高共模瞬态抗扰度、低传播延迟和小脉宽失真。UPS电源中市电接入后会有一个整流模块，其中会用到隔离驱动，UPS产品中对用料有一定的要求，而数明的SLM343CK-DG性能高，各项参数指标都符合工业级产品对芯片的要求。SLM34x系列输入级是模拟二极管，与传统LED相比，这意味着长期可靠性和优异的老化特性。它以SOP6W包提供≥8.0mm爬电和间隙。来自材料组II的模具化合物，其比较跟踪指数（CTI）>400V.SLM34x的高性能和可靠性使其非常适用于所有类型的电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器。
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: FGHL50T65SQDT

安森美ON Semiconductor FGHL50T65SQDT IGBT是第四代现场停止IGBT提供最优性能。IGBT可以很容易的并行工作，低导通和开关损耗。ON半导体FGHL50T65SQDT IGBT是理想的应用，低导通和开关损耗是必不可少的。这些包括太阳能逆变器，UPS，焊机，电信，ESS和PFC应用。
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[公司动态]长引脚寄生电感大导致EMC调试卡壳？FGH40T120SMD-F155 onsemi安森美IGBT中小功率开关模块2026年10月22日 16:31: 在光伏逆变器、工业焊机、UPS电源这类硬开关场景里，开关尖峰太高必须加RC吸收拖慢效率，高温下导通压降飘得厉害过不了能效认证，长引脚寄生电感大导致EMC调试卡壳。安森美FGH40T120SMD-F155，作为1200V/40A-级场截止沟槽IGBT的短引脚优化版本，用TO-247-3LD短引脚封装设计，从根源上降低寄生电感，把中小功率硬开关场景的效率、散热和EMC表现推到新的高度。; 阅读（1045）标签：IGBT

[公司动态]ADI亚德诺 ADIS16475-1BMLZ 精密MEMS惯性测量单元IMU模块，高精度姿态+运动感知基准2026年10月21日 09:31: 在惯性导航、无人系统、工业稳定控制这类对运动感知精度要求近乎苛刻的场景里，IMU的性能直接决定了整个系统的可靠性——偏置漂移过大导致导航误差快速累积，振动环境下数据输出失准，温度变化时参数漂移严重，都会让整套系统的控制逻辑失准。Analog Devices亚德诺推出的ADIS16475-1BMLZ，作为战术级精密MEMS惯性测量单元，凭借出厂预校准的全温域性能、微型化封装和工业级抗冲击能力，为各类高要求姿态感知场景提供了无需额外复杂校准的高精度运动基准。; 阅读（1040）标签：传感器

[公司动态]TM56M1522海速芯（HITENX）RISC内核8位MCU单片机，多路模拟信号采集 + PWM 驱动芯片2026年10月12日 14:31: TM56M1522 是海速芯 TM56 系列 RISC 内核国产低功耗 MCU，核心亮点为4K MTP 程序存储、1.8V 超低工作电压、13 通道 12 位 ADC、6 路 16 位 PWM、内置比较器与多级电源监测，小型电池供电消费产品打造，解决微型设备空间紧张、电池续航短、模拟采集与功率驱动外围器件多的工程痛点。广泛应用于雾化器、心率带、健康护理设备、迷你小家电、微型传感采集模块，是小体积、电池供电类消费产品模拟采集 + 功率控制的高性价比国产主控芯片。; 阅读（1026）标签：单片机

[公司动态]DIODES美台SMAJ100CA 100V双向瞬态抑制TVS二极管,高压电路EMC防护,工业信号接口芯片IC2026年10月12日 11:36: 工业设备、车载电子、通信电源、新能源控制模块的高压瞬态浪涌与静电冲击，是设备死机、接口烧毁、整机返修的核心诱因。高压电路防护选型中，普通低压TVS耐压不足、高压稳压管响应慢、压敏电阻老化失效快，很难兼顾高压耐受、快速响应等需求。SMAJ100CA是DIODES美台推出的经典100V双向TVS瞬态抑制二极管，采用SMA通用封装、大功率雪崩防护架构，专为高压直流线路、工业信号接口、车载供电系统量身打造，是高压电路EMC防护、雷击浪涌抑制芯片。; 阅读（1023）标签：二极管

[公司动态]SD15C.TCT SEMTECH升特单线TVS瞬态抑制二极管，硅雪崩无衰减防护，低钳位电压芯片SOD-3232026年10月12日 11:11: SiLM27212EK-DG 是数明 SiLM27212 系列的主力型号，专为高压半桥拓扑设计，内置自举二极管省去外部自举二极管，是国产高压高低边驱动IC，兼容海外 UCC27212 等经典半桥驱动芯片。驱动源极电流 IOH=3A，灌电流 IOL=4.5A，输入引脚独立于电源电压，具备负压耐受能力，抗开关节点负电压冲击; 阅读（1020）标签：稳压器

[公司动态]SD15C.TCT SEMTECH升特TVS瞬态抑制二极管，硅雪崩无衰减防护，低钳位电压芯片SOD-3232026年10月12日 11:11: SD15C.TCT 是 Semtech SDxxC 系列中的 15V 单线 TVS，专为便携式电子、工控板卡的 I/O 口与低压电源轨设计，核心定位是替代多层压敏电阻 MLV，解决静电、电快速脉冲、小型雷击浪涌带来的芯片损坏、系统死机复位等 EMC 问题。SOD-323 微型封装，适配高密度 PCB SOD-323 小封装，焊盘兼容 0805 贴片占位，适合便携设备、小型模块、高密度板卡，在 PCB 空间紧张的设计中，; 阅读（1024）标签：二极管

[公司动态]SiLM27212EK-DG数明 Sillumin半桥栅极驱动芯片MOSFET，集成二极管，工业电源模块2026年10月12日 10:44: SiLM27212EK-DG 是数明 SiLM27212 系列的主力型号，专为高压半桥拓扑设计，内置自举二极管省去外部自举二极管，是国产高压高低边驱动IC，兼容海外 UCC27212 等经典半桥驱动芯片。驱动源极电流 IOH=3A，灌电流 IOL=4.5A，输入引脚独立于电源电压，具备负压耐受能力，抗开关节点负电压冲击; 阅读（1025）标签：稳压器

[公司动态]IP68（NBV）金属防水透气电解控湿器解决方案，防水+透气+主动控湿电解模块2026年10月08日 11:00: NBV 金属防水透气电解控湿器，采用进口 E-PTFE 防水透气膜、铜镀镍金属外壳与内置电解控湿模块。它一边阻止灰尘、水、油污和有害物质进入，一边快速平衡内外压差；同时通过电解膜将空气中的水分子电解为氧气与氢气，再经透气阀排出。目标很明确：把湿度长期压在 30%-40% 的舒适区。; 阅读（1018）标签：控湿器

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