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DGD05473FNQ-7
产品介绍：DGD05473FNQ-7 是 Diodes（美台）的高频半桥栅极驱动器，以半桥方式同时控制高侧和低侧驱动两个 N 沟道 MOSFET ，工作电压约 4.7V 至 14V，工作温度约 -40℃至 +125℃，封装DFN-10。适合汽车和工业电源、电机驱动等场景。更多 +
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1N5819HW-7-F
产品介绍：1N5819HW-7-F是DIODES(美台)一款面向表面贴装场景设计的肖特基势垒整流二极管，它采用SOD-123紧凑型贴片封装，整体尺寸仅2.85mm×1.7mm×1.25mm，外壳为UL94V-0阻燃等级的模塑塑料，工作温度覆盖-65℃~125℃。其反向恢复时间低于100ns，属于快恢复型肖特基二极管，适配高频开关电源、电机驱动续流、低压整流等场景，在电源、电机驱动等领域得到广泛应用。更多 +
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DMT69M5LFVW-7
产品介绍：DMT69M5LFVW-7是DIODES品牌的60V N沟道MOSFET，采用PowerDI3333-8封装，连续漏极电流最高可达45.4A，在10V驱动电压环境中，导通电阻低至9.5mΩ，能有效降低大电流场景下的导通损耗。广泛应用于工业电源与电机驱动、高效率DC-DC转换器和电动工具与电池管理系统更多 +
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APT32F1103K8U6
APT32F1103K8U6是APTCHIP爱普特电子推出的一款基于平头哥玄铁32位RISC-V CPU内核开发的32位高性能低成本微控制器，采用QFN32小型化封装，芯片支持1.8V~5.5V超宽工作电压，工作温度范围覆盖-40℃~85℃。目前这款芯片已在智能门锁、温控器、咖啡机、智能控制面板、小型电机驱动等场景实现大规模落地。更多 +
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IPT007N06N
产品介绍：IPT007N06N是英飞凌（Infineon）推出的OptiMOS 5 N沟道功率MOSFET，它采用创新的TOLL（TO-Leadless）封装（PG-HSOF-8），在紧凑的10.58mm×10.10mm占板面积内，实现了60V的漏源击穿电压、300A的连续漏极电流、375W的功率耗散能力，以及业界领先的0.75mΩ超低导通电阻，配合216nC的低栅极电荷和-55°C至175°C的宽结温工作范围，为工业电源、电机驱动和电池保护系统提供了兼具超高电流能力、极低导通损耗与高功率密度的理想功率开关解决方案。更多 +
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KGF40N65KDC-U/P
KGF40N65KDC-U/P 是韩国 KEC开益禧（KEC Semicon）推出的一款650V/40A 沟槽栅场截止型（Trench Field Stop）IGBT（绝缘栅双极型晶体管）工业级，采用 TO-247 封装，电压/电流等级：650V / 80A，具备低导通压降、高速开关、强短路耐受能力等特点，是工业电机驱动、逆变电源、UPS 等中大功率应用。更多 +
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NX3008PBK,215
产品介绍：NX3008PBK,215 是一款由 Nexperia（安世）生产的采用TrenchMOS技术的小信号P沟道增强型场效应管，采用 SOT-23-3（TO-236AB）小型表面贴装封装，便于在高密度PCB布局中使用，广泛用于电源管理、负载开关、电池保护及电机驱动等电路中，适合对空间和效率有要求的工业与消费类电子设计。更多 +
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MC33072DR2G
产品介绍：MC33072DR2G 是ON安森美 一款运算放大器，4.5MHz的宽带宽、13V/μs的高压摆率和3V至44V的宽电源电压范围，在PLC、工业电源、电机驱动器中用于信号放大、滤波及传感器信号调理。其宽电源电压范围和稳健的设计，能适应嘈杂的工业环境。更多 +
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HIP4082IBZ
产品介绍：HIP4082IBZT是Renesas（瑞萨电子）推出的高频半桥/全桥MOSFET驱动器，采用SOIC-16封装，专为大功率H桥电机驱动和DC-DC转换设计，支持100V高压和2A峰值驱动电流。更多 +
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IRFBG30PBF
IRFBG30PBF是Vishay威世推出的600V/30A N沟道功率MOSFET，采用第五代TrenchFET技术，专为开关电源、电机驱动、新能源逆变器等高功率场景设计。以85mΩ超低导通电阻和超快反向恢复，成为高效能电源系统的“能效引擎”！更多 +
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VS-E5PH6006L-N3
产品介绍：VS-E5PH6006L-N3是Vishay（威世）推出的一款600V/5A 超快恢复整流二极管（Ultra-Fast Recovery Diode），属于?高效能功率电子元件，主要用于高频开关电源、逆变器、电机驱动等需要快速开关和低损耗整流的应用。更多 +
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SLM343CK-DG
SLM343CK-DG是一颗光兼容、单通道、隔离栅极驱动器，可用于驱动MOS和IGBT，驱动电流强，源极电流可达4A，漏极输出可达6A，隔离电压高达5KV，结温范围为-40-150℃，相对同系列其他芯片，该物料的优势在于高共模瞬态抗扰度、低传播延迟和小脉宽失真。UPS电源中市电接入后会有一个整流模块，其中会用到隔离驱动，UPS产品中对用料有一定的要求，而数明的SLM343CK-DG性能高，各项参数指标都符合工业级产品对芯片的要求。SLM34x系列输入级是模拟二极管，与传统LED相比，这意味着长期可靠性和优异的老化特性。它以SOP6W包提供≥8.0mm爬电和间隙。来自材料组II的模具化合物，其比较跟踪指数（CTI）>400V.SLM34x的高性能和可靠性使其非常适用于所有类型的电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源和电器。更多 +
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A4987SESTR-T
A4987是一款双DMOS全桥步进电机驱动器具有并行输入通信和过电流保护。每个全桥输出的额定电压最高为35 V，1ATheA4987包括固定的关断时间脉宽调制(PWM)电流调节器和2位非线性DAC(数模转换器转换器)，其允许步进电机被完全控制，半音和四分之一音。PWM电流调节器使用Allegro专利混合衰减模式，用于降低声音马达噪声、更高的步进精度和更低的功耗。更多 +
- [公司动态]APTCHIP爱普特APT32F1031K9T6单片机国产MCU，“触控+电机驱动+工业级控制芯片2026年10月20日 16:19
- 在工业控制、智能家电、电动工具这类对可靠性要求ji高的嵌入式场景里，主控MCU的“实战能力”远重于纸面参数——宽温域稳定运行、外设资源精准匹配、强电磁环境下不宕机核心的刚需。APTCHIP爱普特推出的APT32F1031K9T6，基于RISC-V内核打造，凭借25路触摸通道、大电流IO、全套工业级外设的组合，成为面向触控与电机驱动场景的国产MCU
- 阅读（1040）
- [公司动态]ACS723LLCTR-40AB-T Allegro霍尔电流传感器，隔离测流+高响应+低损耗工业电源芯片IC2026年10月20日 11:26
- 在电机驱动、电源管理、储能变流等电力电子场景中，电流检测是实现过流保护、功率闭环、能效计量的核心基础——检测精度不够会导致控制失准，响应速度慢会错过故障保护窗口，隔离性能不足会带来高压串扰风险。Allegro推出的ACS723LLCTR-40AB-T开环霍尔电流传感器，凭借集成化设计、工业级可靠性和紧凑封装，为±40A量程的交直流电流检测场景提供了兼具隔离性、高精度方案，广泛应用于工业与消费电子电力系统里。
- 阅读（1038）
- [公司动态]DMT47M2SFVWQ-7：DIODES车规级N沟道MOSFET功率开关二极管，工业电机驱动芯片2026年10月16日 16:54
- 在汽车电子、工业电源、电机驱动等场景中，功率MOSFET的导通损耗、散热性能与长期可靠性，直接决定了整个动力回路的运行效率与使用寿命。DMT47M2SFVWQ-7作为DIODES（美台半导体）推出的AEC-Q101认证车规级N沟道MOSFET，凭借40V耐压、49.1A（Tc）连续漏极电流、PowerDI3333-8带侧可焊封装的核心特性，在高功率密度设计场景中。
- 阅读（1035）
- [公司动态]sillumin数明SiLM27212EK-DG，MOSFET驱动器，工业自动化设备电源芯片2026年10月15日 10:41
- 在工业电源、电机驱动、新能源设备等领域，门极驱动器的性能直接决定了整个系统的效率、稳定性和设计复杂度。SiLM27212EK-DG作为数明半导体推出的高低边N沟道MOSFET驱动器，内置270V耐压自举二极管、纳秒级延迟匹配、宽温域稳定运行等特性。
- 阅读（1030）
- [公司动态]Sillumin数明 SiLM27212EK-DG：高压门极MOSFET 驱动器，新能源工业电机驱动芯片管理2026年10月14日 11:27
- 在半桥、全桥、双管正激等高频电源拓扑，门极驱动芯片的性能直接决定了系统的效率、稳定性。SiLM27212EK-DG 作为数明半导体推出的高性能高低边 MOSFET 驱动器，以270V耐压、内置自举二极管、纳秒级延迟匹配的核心特性，为工业电源、电机驱动、新能源等场景提供了更简洁可靠的驱动解决方案。
- 阅读（1029）
- [公司动态]Littelfuse IXFH60N65X2场效应管MOSFET 650V 高压功率二极管模块，充电桩、高压电机驱动IC2026年09月21日 14:40
- IXFH60N65X2 是 Littelfuse X2-Class 系列 N 沟道增强型超结功率 MOSFET，采用电荷补偿超结工艺，TO-247AD 通孔封装，专为 650V 级高压开关电源、PFC、DC/AC 逆变、高压 DC-DC 设计。器件集成软恢复本征体二极管，支持非钳位感性开关（UIS 雪崩耐受），封装采用低寄生电感设计，适配工业设备quan球出口认证需求。
- 阅读（1009）
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