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: AP7370-50SA-7

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: DMMT3906WQ-7-F

产品介绍：DMMT3906WQ-7-F是美台半导体的双PNP配对BJT阵列，SOT-363封装，耐压40V、电流200mA，功率200mW，频率250MHz。专为电流镜、差分放大器、比较器设计，适配小体积低功耗信号处理场景。
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: MMSZ5236B-7-F

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: MMSZ5254BQ-7-F

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: DMG2302UKQ-7

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: BSS127S-7

产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss）和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性。
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: S1J-13-F

产品介绍：DIODES(美台)的S1J-13-F是一款采用SMA(DO-214AC)封装的表面贴装标准恢复整流二极管,具有 600V 反向重复峰值电压（VRRM）和 1A 平均整流电流（IO）,正向压降仅为 1.1V@1A,其采用 SMA（DO-214AC）封装,广泛应用于电源整流、开关电源、逆变器及各类工业控制电路中,适合在FPGA系统设计中对高可靠性分立器件的需求。
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: B340A-13-F

产品介绍：B340A-13-F 是DIODES(美台)的一款额定电压40V、额定电流3A的表面贴装肖特基二极管，采用紧凑的SMA封装，500mV 的超低正向压降、80A 的强大浪涌承受能力?和?AEC-Q101 车规级可靠性，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器和反向保护电路中。
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: BSS138-7-F

产品介绍：BSS138-7-F 是一款由 Diodes Incorporated（美台半导体）生产的 N 沟道增强型小信号 MOSFET，N-MOSFET逻辑电平MOSFET，50V/220mA，和2N7002齐名，尤其适合3.3V系统，广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域的信号开关与电平转换场景
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: PI6CB332000ZDIEX

产品介绍：PI6CB332000ZDIEX是Diodes Incorporated推出的一款时钟缓冲器，采用72-TQFN(10x10)封装，支持HCSL差分输入输出，工作电压3.135V~3.465V，温度范围-40°C~85°C。该器件主要用于PCI Express 4.0等高速接口的时钟分配。专为满足现代高速数据通信系统的精确时序需求而设计。
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: DMP6110SFDF-13

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: DMP6110SFDF-13

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: DMP10H400SK3-13

产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。
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: AZ431AR-ATRE1

产品介绍：AZ431AN-ATRE1是美台 Diodes公司生产的一款三端可调精密并联电压基准稳压芯片,属于AZ431-A系列,采用SOT-23-3封装。其输出电压可通过外部电阻在2.5V至36V范围内精确编程设置,初始精度高达±0.4%,温度系数仅为20ppm/℃,动态输出阻抗低至0.2Ω,阴极电流能力覆盖1mA至100mA,在电路中的核心作用是提供一个高精度、高稳定性的电压基准,属于电源管理芯片中的电压基准芯片类别
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: AS7805ADTR-G1

产品介绍：SMAJ70A-13-F 是 Diodes Incorporated（美台半导体）公司生产的一款单向瞬态电压抑制二极管（TVS）。瞬态电压抑制快速响应并钳制瞬态过电压；浪涌保护吸收高能量浪涌脉冲；ESD保护防止静电放电损害。
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: SMAJ70A-13-F

产品介绍：SMAJ70A-13-F 是 Diodes Incorporated（美台半导体）公司生产的一款单向瞬态电压抑制二极管（TVS）。瞬态电压抑制快速响应并钳制瞬态过电压；浪涌保护吸收高能量浪涌脉冲；ESD保护防止静电放电损害。
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: AZ1117CR-3.3TRG1

产品介绍：AZ1117CR-3.3TRG1是Diodes Incorporated（美台半导体）公司生产的一款3.3V固定输出低压差线性稳压器（LDO）。精确稳压输出提供3.3V±1%的高精度输出电压；低压差操作典型压差仅为1.2V@800mA；过流保护内置过流保护功能
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: AZ1117H-1.8TRE1

产品介绍：AZ1117H-1.8TRE1是Diodes Incorporated（美台半导体）公司生产的一款1.8V固定输出低压差线性稳压器（LDO）。精确稳压输出提供1.8V±1%的高精度输出电压；低压差操作典型压差仅为1.1V@800mA；过流保护内置过流保护功能
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: DMP6180SK3-13

产品介绍：DMP6180SK3-13 是 Diodes Incorporated（美台半导体）公司生产的一款 P沟道增强型功率MOSFET。高效功率开关实现电路的高效通断控制；电源管理在电源系统中进行电能分配和管理；负载驱动直接驱动各种功率负载。
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: AZ1117CR-ADJTRG1

产品介绍：AZ1117CR-ADJTRG1是Diodes Incorporated（美台半导体）公司生产的一款可调输出低压差线性稳压器（LDO）。可调稳压输出通过外部电阻设置1.25V至15V的输出电压；低压差操作低至1.2V的压差电压；过流保护内置过流保护功能。
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