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MMBZ5232BLT1G
产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss） 和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +
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AZ1117CH-3.3TRG1
产品介绍：AZ5425-04F.R7G是一款由 AMAZING（晶焱科技）生产的一款四通道、5V、超低0.4pF电容 ESD 保护阵列芯片，专为HDMI、USB 3.0等高速数据接口而设计提供静电放电（ESD）防护，适用于对信号完整性要求严苛的高速数据传输场景。更多 +
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PI6C49S1510ZDIEX
PI6C49S1510ZDIEX 是 DIODES（美台）推出的一款高性能差分扇出时钟缓冲器，该芯片支持 LVDS、LVPECL、HCSL 和 LVCMOS 等多种可配置输出信号标准，工作温度范围为 -40°C ~ +85°C，符合工业级应用标准，采用 ?48-TQFN（7mm × 7mm） 小型封装，最高支持1.5GHz输出频率，并具备可配置输出信号标准和3:1 输入多路复用功能，适用于通信基站、数据中心、高速存储等对时钟信号完整性要求极高的场景。更多 +
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BAT54S-7-F
产品介绍：BAT54S-7-F是DIODES（美台）的小信号肖特基二极管，这款产品采用SOT-23封装，内部集成了两个串联的肖特基二极管，以200mA电流能力、超快开关速度和低正向压降，广泛应用于通信与工业设备。更多 +
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PI3USB302-AZBEX
产品介绍：PI3USB302-AZBEX是由 DIODES（美台）生产的一款 USB 3.0 2:1 多路复用/解复用开关芯片，2:1 多路复用/解复用电路，单电源供电范围为 3V ~ 3.6V，封装形式：TQFN-20符合表面贴装工艺要求，支持双通道差分信号切换，广泛应用于高速信号切换场景，支持双向传输，适用于便携式设备与接口扩展设计 。更多 +
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MMBZ5231BLT1G
产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss） 和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +
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AP4313KTR-G1
产品介绍：光宝集团成立于1975年，最早是由生产发光二极体（LED）起家，1983年率先推动股票上市，拥有台湾第一家挂牌上市的电子公司。30多年来，除了致力于光电零组件，更持续拓展电脑与数位家庭、消费性电子、通讯产品、关键零组件与次系统、并逐步跨足车用电子等4C领域，在市场上具有举足轻重的地位。更多 +
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AP7370-50SA-7
产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss） 和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +
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DMMT3906WQ-7-F
产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。更多 +
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MMSZ5236B-7-F
产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。更多 +
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MMSZ5254BQ-7-F
产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。更多 +
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DMG2302UKQ-7
产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss） 和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +
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B340A-13-F
产品介绍：B340A-13-F 是DIODES(美台)的一款额定电压40V、额定电流3A的表面贴装肖特基二极管，采用紧凑的SMA封装，500mV 的超低正向压降、80A 的强大浪涌承受能力?和?AEC-Q101 车规级可靠性，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器和反向保护电路中 。更多 +
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BSS138-7-F
产品介绍：BSS138-7-F 是一款由 Diodes Incorporated（美台半导体）生产的 N 沟道增强型小信号 MOSFET，N-MOSFET逻辑电平MOSFET，50V/220mA，和2N7002齐名，尤其适合3.3V系统，广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域的信号开关与电平转换场景更多 +
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PI6CB332000ZDIEX
产品介绍：PI6CB332000ZDIEX是Diodes Incorporated推出的一款时钟缓冲器，采用72-TQFN(10x10)封装，支持HCSL差分输入输出，工作电压3.135V~3.465V，温度范围-40°C~85°C。该器件主要用于PCI Express 4.0等高速接口的时钟分配。专为满足现代高速数据通信系统的精确时序需求而设计。更多 +
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DMP6110SFDF-13
产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。更多 +
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DMP6110SFDF-13
产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。更多 +
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