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MAX3097EEEE+T
产品介绍:MAX3097EEEE+T 是 Maxim Integrated(现为 Analog Devices)推出的一款三通道、高速、带故障检测功能的 RS-485/RS-422 接收器,数据速率最高 32Mbps,供电电压:3V ~ 5.5V,支持宽温运行,封装形式16-QSOP,广泛应用于工业通信、电机编码器、PLC 和嵌入式系统中,具备故障检测功能,适用于高可靠性通信场景 。更多 +

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MMBT4401LT1G
产品介绍:MMBT2222AL: NPN 双极晶体管 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。更多 +

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MMBT2222ATT1G
产品介绍:MMBT2222ATT1G是安森美半导体(ON Semiconductor)推出的通用型NPN双极结型晶体管(BJT),采用SOT-23-3贴片封装,具有高电流增益、低饱和压降特性,专为小信号放大与开关控制设计。更多 +

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LTST-C171TGKT
产品介绍:LTST-C171TGKT是一款由 LITE-ON(光宝)生产的翠绿色表面贴装LED发光二极管,该型号采用0805(2012公制)封装,主波长为525nm,视角达130°,以其高亮度、宽视角和低功耗特性,广泛应用于电子设备指示灯、显示屏背光等场景 。适用于高密度PCB布局设计 。更多 +

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MMBT2907ALT1G
产品介绍:MMBT2907ALT1G是一款由安森美(onsemi)生产的 PNP型通用双极结型晶体管(BJT),采用行业标准的SOT-23封装,凭借60V的较高耐压、600mA的电流能力以及200MHz的较高特征频率,便于高密度PCB布局,广泛应用于开关和放大电路中,尤其适合便携式电子设备、电源管理及工业控制等低功耗表面贴装场景 。更多 +

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MMBZ5231BLT1G
产品介绍:BSS127S-7 是由 DIODES(美台)生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压(Vdss) 和 70mA 连续漏极电流(Id),在工业级温度范围(-55°C 至 +150°C)内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +

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MMSZ5231BT1G
产品介绍:MMSZ5231BT1G是一款由安森美(onsemi)生产的 5.1V 表面贴装稳压二极管(齐纳二极管),采用SOD-123封装,标称齐纳电压为5.1V。它凭借17Ω的低齐纳阻抗、Class 3(>16kV)的ESD防护等级以及-55°C至+150°C的宽工作温度范围,广泛应用于电压基准、过压保护和电源管理电路中,特别适合高密度PCB布局的消费电子、工业控制及汽车电子场景 。更多 +

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AP4313KTR-G1
产品介绍:光宝集团成立于1975年,最早是由生产发光二极体(LED)起家,1983年率先推动股票上市,拥有台湾第一家挂牌上市的电子公司。30多年来,除了致力于光电零组件,更持续拓展电脑与数位家庭、消费性电子、通讯产品、关键零组件与次系统、并逐步跨足车用电子等4C领域,在市场上具有举足轻重的地位。更多 +

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AP7370-50SA-7
产品介绍:BSS127S-7 是由 DIODES(美台)生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压(Vdss) 和 70mA 连续漏极电流(Id),在工业级温度范围(-55°C 至 +150°C)内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +

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DMMT3906WQ-7-F
产品介绍:DMMT3906WQ-7-F是美台半导体的双PNP配对BJT阵列,SOT-363封装,耐压40V、电流200mA,功率200mW,频率250MHz。专为电流镜、差分放大器、比较器设计,适配小体积低功耗信号处理场景。更多 +

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MMSZ5236B-7-F
产品介绍:DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated(美台半导体)推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET,采用先进的超级结(Super Junction)技术,专为高频高效开关应用而设计。更多 +

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MMSZ5254BQ-7-F
产品介绍:DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated(美台半导体)推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET,采用先进的超级结(Super Junction)技术,专为高频高效开关应用而设计。更多 +

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DMG2302UKQ-7
产品介绍:BSS127S-7 是由 DIODES(美台)生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压(Vdss) 和 70mA 连续漏极电流(Id),在工业级温度范围(-55°C 至 +150°C)内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +

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B340A-13-F
产品介绍:B340A-13-F 是DIODES(美台)的一款额定电压40V、额定电流3A的表面贴装肖特基二极管,采用紧凑的SMA封装,500mV 的超低正向压降、80A 的强大浪涌承受能力?和?AEC-Q101 车规级可靠性,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器和反向保护电路中 。更多 +

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BSS138-7-F
产品介绍:BSS138-7-F 是一款由 Diodes Incorporated(美台半导体)生产的 N 沟道增强型小信号 MOSFET,N-MOSFET逻辑电平MOSFET,50V/220mA,和2N7002齐名,尤其适合3.3V系统,广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域的信号开关与电平转换场景更多 +

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NX3008PBK,215
产品介绍:NX3008PBK,215 是一款由 Nexperia(安世)生产的采用TrenchMOS技术的小信号P沟道增强型场效应管,采用 SOT-23-3(TO-236AB)小型表面贴装封装,便于在高密度PCB布局中使用,广泛用于电源管理、负载开关、电池保护及电机驱动等电路中,适合对空间和效率有要求的工业与消费类电子设计。更多 +

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LTV-816S-TA1-B
产品介绍:LTV-816S-TA1-B是一款由 LITEON(光宝)生产的晶体管输出型光电耦合器,采用 SMD-4封装,支持表面贴装,适用于高密度PCB设计,以高隔离电压、宽电流传输比范围和卓越的温度适应性,成为在工业控制、电源管理等众多领域中实现安全电气隔离。更多 +

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W25X20CLSNIG
产品介绍:W25X20CLSNIG 是华邦电子生产的一款 2Mbit 串行闪存芯片,采用 SOIC-8 封装,支持 SPI 接口,广泛用于存储代码、语音和数据更多 +
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