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W25Q128JVSIQ
产品介绍：W25Q128JVSIQ是华邦电子（Winbond）推出的一款高性能、128M-bit（16MB）容量的串行NOR Flash存储芯片，采用2.7V-3.6V 供电和133MHz 四线 SPI 接口，8引脚SOIC封装，具备高存储密度、快速读写、低功耗和工业级可靠性等特性，广泛应用于工业控制、物联网设备、消费电子等领域代码存储与数据存储中 。更多 +
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W25Q32JWSSIQ
产品介绍：W25Q32JWSSIQ 是 Winbond（华邦）推出的一款支持双路、四路 SPI 接口的 1.8V 32Mbit 串行 NOR Flash 存储器，采用133MHz 高速 SPI/四线 SPI 接口，具备低功耗、高可靠性、灵活的存储架构等特性，是工业控制、物联网设备、消费电子等领域中代码存储和数据存储的设计场景。更多 +
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PI3USB302-AZBEX
产品介绍：PI3USB302-AZBEX是由 DIODES（美台）生产的一款 USB 3.0 2:1 多路复用/解复用开关芯片，2:1 多路复用/解复用电路，单电源供电范围为 3V ~ 3.6V，封装形式：TQFN-20符合表面贴装工艺要求，支持双通道差分信号切换，广泛应用于高速信号切换场景，支持双向传输，适用于便携式设备与接口扩展设计 。更多 +
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KGF40N65KDC-U/P
KGF40N65KDC-U/P 是韩国 KEC开益禧（KEC Semicon）推出的一款650V/40A 沟槽栅场截止型（Trench Field Stop）IGBT（绝缘栅双极型晶体管）工业级，采用 TO-247 封装，电压/电流等级：650V / 80A，具备低导通压降、高速开关、强短路耐受能力等特点，是工业电机驱动、逆变电源、UPS 等中大功率应用。更多 +
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MAX3097EEEE+T
产品介绍：MAX3097EEEE+T 是 Maxim Integrated（现为 Analog Devices）推出的一款三通道、高速、带故障检测功能的 RS-485/RS-422 接收器，数据速率最高 32Mbps，供电电压：3V ~ 5.5V，支持宽温运行，封装形式16-QSOP，广泛应用于工业通信、电机编码器、PLC 和嵌入式系统中，具备故障检测功能，适用于高可靠性通信场景 。更多 +
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MMBT4401LT1G
产品介绍：MMBT2222AL: NPN 双极晶体管 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。更多 +
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MMBT2222ATT1G
产品介绍：MMBT2222ATT1G是安森美半导体（ON Semiconductor）推出的通用型NPN双极结型晶体管（BJT），采用SOT-23-3贴片封装，具有高电流增益、低饱和压降特性，专为小信号放大与开关控制设计。更多 +
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LTST-C171TGKT
产品介绍：LTST-C171TGKT是一款由 LITE-ON（光宝）生产的翠绿色表面贴装LED发光二极管，该型号采用0805（2012公制）封装，主波长为525nm，视角达130°，以其高亮度、宽视角和低功耗特性，广泛应用于电子设备指示灯、显示屏背光等场景 。适用于高密度PCB布局设计 。更多 +
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MMBT2907ALT1G
产品介绍：MMBT2907ALT1G是一款由安森美（onsemi）生产的 PNP型通用双极结型晶体管（BJT），采用行业标准的SOT-23封装，凭借60V的较高耐压、600mA的电流能力以及200MHz的较高特征频率，便于高密度PCB布局，广泛应用于开关和放大电路中，尤其适合便携式电子设备、电源管理及工业控制等低功耗表面贴装场景 。更多 +
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MMBZ5231BLT1G
产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss） 和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +
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MMSZ5231BT1G
产品介绍：MMSZ5231BT1G是一款由安森美（onsemi）生产的 5.1V 表面贴装稳压二极管（齐纳二极管），采用SOD-123封装，标称齐纳电压为5.1V。它凭借17Ω的低齐纳阻抗、Class 3（>16kV）的ESD防护等级以及-55°C至+150°C的宽工作温度范围，广泛应用于电压基准、过压保护和电源管理电路中，特别适合高密度PCB布局的消费电子、工业控制及汽车电子场景 。更多 +
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AP4313KTR-G1
产品介绍：光宝集团成立于1975年，最早是由生产发光二极体（LED）起家，1983年率先推动股票上市，拥有台湾第一家挂牌上市的电子公司。30多年来，除了致力于光电零组件，更持续拓展电脑与数位家庭、消费性电子、通讯产品、关键零组件与次系统、并逐步跨足车用电子等4C领域，在市场上具有举足轻重的地位。更多 +
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AP7370-50SA-7
产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss） 和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +
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DMMT3906WQ-7-F
产品介绍：DMMT3906WQ-7-F是美台半导体的双PNP配对BJT阵列，SOT-363封装，耐压40V、电流200mA，功率200mW，频率250MHz。专为电流镜、差分放大器、比较器设计，适配小体积低功耗信号处理场景。更多 +
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MMSZ5236B-7-F
产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。更多 +
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MMSZ5254BQ-7-F
产品介绍：DMP10H400SK3-13是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款?N沟道增强型超级结MOSFET，采用先进的超级结（Super Junction）技术，专为高频高效开关应用而设计。更多 +
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DMG2302UKQ-7
产品介绍：BSS127S-7 是由 DIODES（美台）生产的一款 N沟道增强型场效应管MOSFET晶体管,专为高电压、低电流开关应用设计,特别适用于你当前在FPGA系统或嵌入式电源模块中对高可靠性、小体积分立器件的选型需求。该器件具备 600V 漏源击穿电压（Vdss） 和 70mA 连续漏极电流（Id）,在工业级温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定工作,具备出色的热稳定性与长期可靠性 。更多 +
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B340A-13-F
产品介绍：B340A-13-F 是DIODES(美台)的一款额定电压40V、额定电流3A的表面贴装肖特基二极管，采用紧凑的SMA封装，500mV 的超低正向压降、80A 的强大浪涌承受能力?和?AEC-Q101 车规级可靠性，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器和反向保护电路中 。更多 +
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