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KSC5502DTM
产品介绍：AOD409 是AOS（Alpha & Omega Semiconductors，美国万代半导体）推出的P沟道功率MOSFET。它基于AOS先进的沟槽MOSFET工艺技术，在紧凑的DPAK（TO-252）表面贴装封装内，集成了60V的漏源击穿电压和-26A的连续漏极电流能力，凭借40mΩ（@-10V）的低导通电阻和60W的高功率耗散能力，为需要高压侧负载开关和电源管理的系统设计提供了性能突出、性价比优异的解决方案。更多 +
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FOD3150ASD
产品介绍：FOD3150ASD onsemi安森美单通道高速栅极驱动光耦，专为驱动IGBT和功率MOSFET设计，具备5000Vrms的高隔离耐压。峰值输出电流?3A，连续输出电流2.5A，共模瞬态抗扰度CMTI?最高50kV/μs，封装?SOP-8，广泛用于工业电机控制逆变器、高性能开关电源、光伏逆变器、伺服驱动器、UPS不间断电源等需要强隔离、高抗扰的功率驱动场景。更多 +
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UC3843BD1R2G
产品介绍：UC3843BD1R2G onsemi安森美电流模式PWM控制器，专为反激、Boost拓扑优化，SOIC-8标准表贴封装，供电电压范围7.6V~30V，内置1A峰值图腾柱输出驱动能力，可直接驱动中功率MOSFET，工业级工作温度范围0℃~+70℃，广泛用于工业与消费场景。更多 +
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LM2574MX-ADJ/NOPB
产品介绍：LM2574MX-ADJ/NOPB 属于 TI SIMPLE SWITCHER 系列**单片降压（Buck）开关稳压器，可调输出版，SOIC-14（NPA）贴片封装，最大输出电流0.5A，工作温度-40℃ ～ +125℃，封装SOIC-14，用来替代传统三端线性 LDO，适合中小电流工业、仪表、车载辅助电源设计更多 +
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1N5819HW-7-F
产品介绍：1N5819HW-7-F是DIODES(美台)一款面向表面贴装场景设计的肖特基势垒整流二极管，它采用SOD-123紧凑型贴片封装，整体尺寸仅2.85mm×1.7mm×1.25mm，外壳为UL94V-0阻燃等级的模塑塑料，工作温度覆盖-65℃~125℃。其反向恢复时间低于100ns，属于快恢复型肖特基二极管，适配高频开关电源、电机驱动续流、低压整流等场景，在电源、电机驱动等领域得到广泛应用。更多 +
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CD4081BM96
CD4081BM96是TI推出的4000B系列CMOS四2输入与门，采用SOIC-14表贴封装，供电范围3V-18V，适配多类电源场景。它传播延迟短、静态功耗低，抗干扰能力强，引脚布局符合行业标准，设计焊接门槛低。核心应用覆盖数字逻辑运算、工业控制信号处理、消费电子数据校验、仪器仪表逻辑触发等场景，是工业、民用数字电路设计中通用度极高的基础逻辑器件。更多 +
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LMR33620ADDAR
产品介绍：LMR33620ADDAR是德州仪器（TI）推出的2A同步降压DC-DC电源芯片,输出电压范围1V~24V，最大输出电流2A，开关频率，400kHz，具备超低EMI特性，封装SOIC-8-EP，工作温度区间-40℃~125℃。更多 +
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BYC15-1200P
BYC15-1200P是瑞能半导体（WeEn Semiconductors）推出的一款超高速功率二极管（Hyperfast Power Diode），属于BYC15系列产品线。该器件采用瑞能EEPP（Efficiency Enhanced Pt Planar）平面钝化工艺制造，在TO-220AC两引脚塑料封装内集成了高性能单二极管，以通孔方式安装。更多 +
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BYC30-1200P
瑞能半导体（WeEn Semiconductors）BYC30-1200P超高速功率二极管（Hyperfast Power Diode）。它采用瑞能的EEPP（Efficiency Enhanced Pt Planar）平面钝化工艺，在TO-220AC标准封装内实现了1200V反向耐压、30A平均整流电流、65ns反向恢复时间的卓越性能组合。凭借软恢复特性、175℃高工作结温、300A浪涌承受能力以及低反向漏电流，BYC30-1200P为各类高可靠性、高能效的电力电子应用提供了一套高性能、高性价比的二极管解决方案。更多 +
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BT155W-1200TQ
BT155W-1200TQ是瑞能半导体（WeEn Semiconductors） 推出的一款平面钝化硅控整流器（SCR）晶闸管，采用TO-247塑 料封装，专为需要极高浪涌电流承受能力和高热循环性能的应用而设计。更多 +
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ZXLD1370EST16TC
产品介绍：ZXLD1370EST16TC是Diodes（美台半导体）推出的高性能多拓扑LED驱动控制器，采用TSSOP-16封装，工作温度-40℃~+125℃，内置1MHz的开关频率，专为大电流串联LED照明场景设计，是工业照明、汽车照明领域应用广泛的核心电源管理器件。更多 +
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MMSZ5242B-7-F
产品介绍：MMSZ5242B-7-F是由Diodes Incorporated（美台半导体）推出的一款表面贴装型稳压二极管，采用SOD-123表面贴装，电压为12V，额定耗散功率为500mW，专为中小功率电路的精准稳压、过压保护场景设计，是工业、消费电子、汽车电子领域应用非常广泛的通用型分立半导体器件。更多 +
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DMT69M5LFVW-7
产品介绍：DMT69M5LFVW-7是DIODES品牌的60V N沟道MOSFET，采用PowerDI3333-8封装，连续漏极电流最高可达45.4A，在10V驱动电压环境中，导通电阻低至9.5mΩ，能有效降低大电流场景下的导通损耗。广泛应用于工业电源与电机驱动、高效率DC-DC转换器和电动工具与电池管理系统更多 +
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APX809S05-29SA-7
产品介绍：APX809S05-29SA-7是Diodes Incorporated（美台半导体）推出的单通道微功率电源监控复位芯片，SOT-23-3封装，-40℃~125℃工作电压，仅7μA静态功耗，专为微处理器及数字系统提供电源异常防护，避免电压波动引发的系统故障。更多 +
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FGH75T65SHDT-F155
FGH75T65SHDT-F155是onsemi（安森美）出品的一款650V、150A 沟槽型场截止第3代 IGBT晶体管/模块，采用TO-247-3封装，导通损耗约3 mJ，关断损耗约750 μJ，适用于UPS 不间断电源、焊接机、电信电源、储能系统 (ESS)及功率因数校正 (PFC)电路等对低导通和开关损耗有严格要求的高功率应用 。更多 +
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WG82579V,SLHA8
产品介绍： WG82579V,SLHA8是英特尔推出的一款千兆以太网收发器IC，采用QFN-48封装，支持10/100/1000 Mbps速率，接口类型为PCIe，工作电压范围0.99V~3.46V，工作温度0℃~85℃，常被集成在台式机主板中作为千兆网卡主控芯片。更多 +
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FGH75T65SHDTL4
FGHL50T65MQD是安森美（onsemi）推出的FGHL50T65MQD第四代场截止沟槽IGBT，它采用先进的FS4（Field Stop 4）中速IGBT技术，在业界标准的TO-247-3封装内，实现了650V高耐压、50A额定电流、1.45V低饱和压降以及优化的开关损耗平衡，并以175℃高结温能力和正温度系数为高效并联运行提供了可靠保障，广泛应用于新能源发电、不间断电源和工业驱动等领域中。更多 +
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W25Q32JVSSIQ
产品介绍：W25Q32JVSSIQ是华邦电子推出的32Mbit（4MB）串行NOR Flash芯片，采用SOIC-8 208mil标准封装，供电电压覆盖2.7V~3.6V工业级范围。它支持Standard SPI、Dual SPI、Quad SPI三种通信模式，Quad模式下最高时钟频率可达133MHz，连续读取速度能达到66MB/s。芯片待机电流典型值仅1μA，主动读取电流约4mA，常规工业级型号工作温度覆盖-40℃~+85℃，广泛用于智能传感器、低功耗无线终端、智能家居设备等领域。更多 +
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