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W25X20CLSNIG
产品介绍：W25X20CLSNIG 是华邦电子生产的一款 2Mbit 串行闪存芯片，采用 SOIC-8 封装，支持 SPI 接口，广泛用于存储代码、语音和数据更多 +
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W25X20CLUXIG
产品介绍：Winbond（华邦电子）推出的W25X20CLUXIG 2M-bit 容量的串行NOR Flash 存储器，正是为破解这一困局而生。它采用USON-8（2mm × 3mm）超紧凑封装，在接近芯片级尺寸内实现了104MHz 高速 SPI 读取、<1μA 深度掉电电流和-40°C 至 85°C 的宽温工作范围，广泛应用于对空间、功耗和稳定性要求较高的嵌入式系统中，支持SPI接口通信与XIP（就地执行）功能，适合用于存储启动代码、配置参数或固件数据 。更多 +
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W25X40CLSNIG
产品介绍： Winbond（华邦）的 W25X40CLSNIG，它是一款串行闪存（Flash）存储芯片，其核心功能是数据存储，而不是电容。电容的核心功能通常是滤波、耦合或储能。更多 +
- [公司动态]W25Q16JVSSIQ Winbond 华邦 16Mbit 工业级 串行SPI NOR Flash 存储芯片IC2026年09月29日 17:50
- 嵌入式系统里，固件启动、参数存储、日志记录的可靠性，很大程度由串行 Flash 决定。很多项目选型时，容易只看容量，忽略启动速度、扇区灵活性、宽温稳定性与代码直读 XIP 能力。W25Q16JVSSIQ 是华邦 W25Q-JV 系列16Mbit（2MB）工业级多 I/O 串行 NOR Flash，SOIC-8 208mil 经典封装，支持标准 SPI、Dual SPI、Quad SPI/QPI，zui高 133MHz 时钟，兼具高速读取、4KB 小扇区灵活擦写、工业宽温、低功耗特性，是物联网、工控主板、通信模块、智能硬件固件存储的主流优选存储方案。
- 阅读（1016）
- [公司动态]Winbond华邦 W25Q80RVXHJQ｜新一代 8Mbit SPI NOR Flash存储芯片IC存储解决方案2026年09月28日 11:47
- 型号：W25Q80RVXHJQ（Winbond 华邦） 存储容量：8Mbit（1MB）SLC NOR Flash 封装：XSON8（XH，2mm×3mm，0.4mm 薄型封装，8 焊盘） 接口：标准 SPI、Dual-SPI、Quad-SPI、QPI 四通道，支持 XIP 片上直接执行代码 时钟频率：单通道zui高 133MHz；QPI 高速模式，DTR 速率可达 84MB/s 供电电压：2.7V~3.6V 工作温度：-40℃ ~ +105℃（工业宽温级） 存储架构：统一 4KB 扇区，支持 4KB/32KB/64KB 块擦除。
- 阅读（1013）
- [公司动态]Winbond华邦W25Q80DVSSIG 8Mbit高可靠SPI NOR FLASH闪存芯片，高速读写+低功耗嵌入式存储应用2026年09月24日 14:56
- W25Q80DVSSIG是华邦SpiFlash系列主流8Mbit（1MB）串行闪存，专为引脚紧凑、供电有限、空间受限的嵌入式系统设计，参数均衡且实用性拉满，无冗余性能、无功能短板，贴合量产刚需。 存储容量8Mbit（1M×8），采用成熟NOR Flash架构；供电电压2.7V-3.6V，适配主流嵌入式供电体系；支持标准SPI、双路SPI、四路SPI三重接口，最高时钟频率104MHz，连续数据传输速率可达50MB/s；存储分区灵活，支持4KB统一扇区、32KB/64KB块擦除，适配不同大小数据读写场景。
- 阅读（1011）
- [行业资讯]深尚想W25X20CLUXIG华邦（Winbond）2M-bit串行NOR FLASH闪存芯片解决方案2026年06月26日 15:48
- W25X20CLUXIG是华邦电子（Winbond Electronics）推出的一款2M-bit（256K-byte）串行NOR Flash存储器芯片。它属于华邦25X系列产品线，该器件采用USON-8（2×3mm）超小型封装，芯片支持4KB扇区擦除、32KB块擦除和64KB块擦除等多种擦除粒度，为开发者提供了灵活的存储管理方案。
- 阅读（968）
- [行业资讯]深尚想W25Q32JVSSIQ Winbond华邦32M-bit高性能串行NOR Flash存储器芯片IC2026年06月26日 15:02
- W25Q32JVSSIQ是华邦电子（Winbond Electronics）推出的一款32M-bit（4M-byte）串行NOR Flash存储器芯片。它属于华邦W25Q SpiFlash多I/O存储器家族，采用流行的串行外设接口（SPI），W25Q32JVSSIQ芯片支持4KB扇区擦除、32KB块擦除、64KB块擦除和全片擦除等多种擦除粒度。1,024个可擦除扇区和64个可擦除块的架构，为开发者提供了精细化的存储管理能力。
- 阅读（969）
- [行业资讯]现货W25X40CLSNIG串行闪存芯片4Mb NOR FLASH Winbond华邦存储器2026年06月22日 15:45
- W25X40CLSNIG是华邦电子（Winbond Electronics）推出的一款4M-bit串行NOR Flash存储器芯片。它属于华邦25X系列产品线，以紧凑的SOIC-8封装，标准SPI接口、双I/O模式，超低功耗和卓越的可靠性，广泛用于工业控制、通信设备、消费电子、物联网等场景，适合代码存储、语音和数据记录等需求。
- 阅读（953）
- [行业资讯]1Mb NOR FLASH W25X10CLSNIG串行闪存芯片Winbond华邦存储器IC芯片2026年06月17日 16:49
- W25X10CLSNIG是华邦电子（Winbond Electronics）推出的一款1M-bit（128K×8bit）串行NOR Flash存储器芯片，以紧凑的SOIC-8封装、标准SPI接口，它属于华邦25X系列产品线，超低功耗和卓越的可靠性，为空间、引脚和电源受限的系统提供了一套“小而美”的存储解决方案。
- 阅读（958）
- [行业资讯]全新W25Q64JVSSIM 64Mb SPI NOR Flash闪存芯片，Winbond华邦工业级存储IC2026年06月05日 14:06
- W25Q64JVSSIM是Winbond（华邦电子）推出的64Mbit串行NOR闪存芯片，它凭借133MHz四线SPI高速接口、64Mbit（8MB）存储容量、10μA超低待机功耗和-40°C至+85°C工业宽温范围，在一个紧凑的SOIC-8-208mil封装内，为您提供一个兼顾高性能、高可靠性与高性价比的理想代码存储方案。
- 阅读（965）
- [行业资讯]全新8Gb DDR4 NT5AD512M16C4-JR存储芯片Nanya南亚2026年06月02日 17:43
- NT5AD512M16C4-JR是Nanya（南亚科技）推出的?8Gb DDR4 SDRAM内存芯片，它采用先进的DDR4低功耗架构，在96-ball FBGA（7.5mm × 13mm）紧凑封装内，实现了8Gbit（1GB）存储容量、512M×16位组织架构、3200Mbps最高数据传输速率以及0℃~95℃工业级宽温工作范围，以DDR4技术代际优势为各类型嵌入式系统和高速数据处理器提供了兼具高性能、低功耗与长期稳定供货的可靠内存解决方案。
- 阅读（1006）
- [行业资讯]全新DDR3L SDRAM 2Gb W632GU6RB-09闪存芯片Winbond华邦存储芯片IC2026年06月02日 16:47
- W632GU6RB-09是Winbond（华邦）推出的2Gbit DDR3L SDRAM存储器芯片，它采用先进的DDR3L低电压架构，在96-ball VFBGA紧凑封装内，实现了4Gbit存储容量、256M x 16组织架构、1.066GHz工作频率以及0℃~95℃工业级宽温工作范围，为严苛环境下的嵌入式系统和高速数据处理提供了兼具高性能与低功耗的理想内存解决方案。
- 阅读（957）
- [行业资讯]全新16Gb LPDDR4X K4F6E3S4HM-TFCL内存芯片 SAMSUNG三星半导体 存储IC2026年06月01日 14:29
- K4F6E3S4HM-TFCL是Samsung（三星半导体）推出的?16Gb LPDDR4X宽温级内存芯片，它基于三星先进堆叠封装和低功耗工艺，在紧凑的200-ball FBGA（10mm × 14.5mm）封装内，集成了16Gb（2GB）存储容量、4266 Mbps的数据传输速率、x32位数据总线宽度以及-40℃至95℃的超宽工业级工作温度范围，同时以宽温区全速稳定运行和超低功耗为高可靠车载、5G通信、边缘AI等对性能、功耗和环境适应性有苛刻要求的应用，提供了兼具高带宽、超低功耗与宽温可靠性的理想内存芯动力。
- 阅读（996）
- [行业资讯]全新128Mbit高速SPI NOR Flash W25Q128JVSIQ Winbond华邦 存储芯片 电源管理IC2026年06月01日 13:53
- W25Q128JVSIQ是Winbond（华邦）推出的128Mbit高速串行NOR Flash，正是为满足这一需求而设计。作为华邦SpiFlash系列的核心成员，它在标准的SOIC-8-208mil封装内，集成了128Mbit存储容量、133MHz高速四线SPI接口、100,000次擦写寿命以及-40°C至85°C工业级宽温特性，为各类嵌入式系统提供了高效、可靠的代码存储和数据存储解决方案。
- 阅读（997）
- [行业资讯]全新W25N02KVZEIR 2Gbit SPI NAND Flash华邦Winbond工业级存储芯片2026年05月29日 16:22
- W25N02KVZEIR是华邦（Winbond）推出的2Gbit（256MB）QspiNAND Flash存储器，它基于高可靠性的SLC（Single-Level Cell）NAND架构，在紧凑的WSON-8（8×6mm）封装内，将2Gbit大容量、104MHz四线SPI高速接口、片上8位ECC纠错以及-40°C至85°C工业级宽温工作融为一体，为空间、引脚和功耗受限的嵌入式系统，提供了兼具大容量、高可靠性与易用性的理想存储解决方案。
- 阅读（969）
- [行业资讯]全新W25N01GVZEIG 1Gbit SLC SPI NAND闪存芯片 Winbond华邦 电子元器件 IC芯片2026年05月26日 16:02
- W25N01GVZEIG是Winbond（华邦电子）推出的1Gbit SPI NAND闪存芯片，集成WSON-8（8mm×6mm）封装内，实现了1Gbit（128MB）的大容量存储和104MHz的四线SPI高速接口，内置片上ECC纠错模块和坏块管理系统，为空间、引脚和功耗受限的嵌入式系统，提供了兼具大容量、高可靠性、低成本和高开发效率的理想非易失性存储解决方案。主要用于小空间场景的电压调节。
- 阅读（949）
- [公司动态]现货W66DP2RQQAHJ 8Gb容量LPDDR4低功耗动态随机存取存储器Winbond芯片IC2026年05月07日 17:37
- W66DP2RQQAHJ是由 Winbond（华邦）生产的一款 8Gb（1GB）容量的 LPDDR4/4X 低功耗双倍数据速率动态随机存取存储器（DRAM），采用 DDP（双晶粒封装）技术，适用于高性能、低功耗的移动与嵌入式设备。
- 阅读（909）
- [公司动态]现货供应W634GU6RB-09车载级 4Gb DDR3L SDRAM华邦存储芯片2026年05月07日 17:20
- W634GU6RB-09是由 Winbond（华邦）生产的一款 4Gb（512MB）容量的 DDR3L SDRAM 存储器芯片，它采用先进的DDR3L低电压架构，在96-ball VFBGA紧凑封装内，实现了1.067GHz的高工作频率、4Gbit存储容量、256M x 16组织架构以及-40℃至+95℃工业/车载级宽温工作范围，适用于对功耗敏感的嵌入式与便携式设备。
- 阅读（896）
- [公司动态]XC7A50T-1CPG236C 可编程逻辑器件(CPLD/FPGA)XILINX赛灵思 原装芯片IC2026年04月21日 17:41
- AMD Xilinx推出的XC7A50T-1CPG236C FPGA，正是为破解这一困局而生。作为Artix-7系列的中坚力量，它基于成熟的28nm高k金属栅极（HKMG）工艺，在238引脚的紧凑BGA封装内，集成了5.2万个逻辑单元、120个DSP48E1 Slice、2.7Mbit块RAM和4路6.6Gbps高速收发器，为成本敏感型但需中高强度并行计算与DSP能力的应用场景提供了理想的解决方案。
- 阅读（886）
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