您所在的位置是: 首页 » 新闻资讯 » 行业资讯 » 全新IPT007N06N 60V 300A 0.75mΩ MOSFET场效应管Infineon英飞凌芯片IC
一、产品介绍
IIPT007N06N是英飞凌(Infineon)推出的OptiMOS 互补型中功率双极结晶体管(BJT),它在一个SOT-23-6微型封装中集成了
一个NPN和一个PNP三极管。,在紧凑的10.58mm×10.10mm占板面积内,实现了60V的漏源击穿电压、300A的连续漏极电流、
375W的功率耗散能力,以及业界领先的0.75mΩ超低导通电阻,配合216nC的低栅极电荷和-55°C至175°C的宽结温工作范围,
为汽车电子、车窗控制、座椅调节、LED大灯驱动等电池保护系统提供了兼具超高电流能力、极低导通损耗与高功率密度的理
想功率开关解决方案,AEC-Q101认证是进入汽车供应链的硬门槛 。
二、产品核心信息

IPT007N06N的核心价值在于其以TOLL封装实现了60V耐压等级下业界领先的0.75mΩ超低导通电阻,配合300A的超高电流
承载能力和OptiMOS™ 5的极低栅极电荷,在功率密度、导通损耗和开关性能三大维度上实现了革命性突破,为高功率应用
提供了前所未有的设计自由度。
1. 300A超高电流能力 + 0.75mΩ超低导通电阻,功率密度与热性能的双重突破IPT007N06N拥有60V的漏源击穿电压和300A的连续漏极电流能力(Tc=25°C),脉冲峰值电流更高达1200A。其0.75mΩ的
超低导通电阻意味着在300A满载条件下的导通压降仅约225mV,导通功耗(I²×R)控制在约67.5W,远低于传统封装下同等
级MOSFET的损耗水平。这一特性直接转化为:
系统效率显著提升:在大功率DC-DC转换器和电信电源中,较低的导通损耗意味着更高的转换效率和更低的散热要求在电池管理系统(BMS)的充放电保护板中,IPT007N06N的极低导通电阻可最大限度地减少电池能量在保护环节的损耗,延
长电池组的有效续航里程。同时其高电流承载能力为电动叉车和轻型电动汽车(LEV)提供了充足的功率裕量。
2. OptiMOS™ 5先进技术平台 + 216nC低栅极电荷,开关损耗最小化IPT007N06N基于英飞凌OptiMOS™ 5第五代功率MOSFET技术平台制造,该平台通过优化的沟槽栅结构和晶胞密度,在降低
导通电阻的同时,保持了极低的栅极电荷(Qg典型值仅为216nC)。这一设计的核心价值在于:
低栅极电荷意味着更短的开关过渡时间,开关损耗显著降低在高频DC-DC转换器和电机驱动器的PWM调制中,OptiMOS™ 5的低FOM(品质因数 = RDS(on) × Qg)确保了在全负载范围
内的高效率表现。
3. TOLL(TO-Leadless)创新封装,高功率密度与系统可靠性的理想平衡
IPT007N06N的工作结温范围覆盖-55°C至175°C,MSL等级为MSL 3(168小时),可满足从北方严寒户外机柜到密闭工业现场高
温箱体的各类部署需求。375W的高功率耗散能力意味着即使在高负载条件下,芯片结温仍能维持在设计安全区间内——在7×24
小时不间断运行的大功率通信电源和电动汽车充电模块中,这一热冗余设计直接降低了现场失效概率。
5. 丰富的配套开发资源与评估板支持IPT007N06N凭借其60V耐压、300A超高电流能力、0.75mΩ极低导通电阻和TOLL紧凑封装,在以下对功率密度和效率有极致要
求的领域中具有广泛应用:
IPT007N06N拥有60V的漏源击穿电压和300A的连续漏极电流能力(Tc=25°C),脉冲峰值电流更高达1200A。其0.75mΩ的超低导
通电阻意味着在300A满载条件下,导通压降仅约225mV,导通损耗控制在67.5W以内。在电池管理系统(BMS)的充放电保护板
中,这一超低导通损耗可直接转化为电池能量的节省和有效续航里程的提升;在大功率DC-DC转换器中,0.75mΩ的导通电阻配合
375W的功率耗散能力,允许工程师使用更小的散热器甚至自然冷却设计,显著简化整机结构。
OptiMOS™ 5先进技术平台 + 216nC低栅极电荷,开关损耗最小化IPT007N06N基于英飞凌OptiMOS™ 5第五代功率MOSFET技术平台制造,在实现0.75mΩ超低导通电阻的同时,将栅极电荷控制
在216nC。低栅极电荷意味着更短的开关过渡时间和更低的开关损耗,配合TOLL封装的极低寄生电感,即使在100kHz以上的开关
频率下,振铃和电压过冲也远低于传统D²PAK-7方案。在高频DC-DC转换器和伺服驱动器的PWM调制中,这一特性使磁性元件的
尺寸得以有效缩减,提升整机功率密度。
TOLL(TO-Leadless)创新封装,高功率密度与系统可靠性的理想平衡IPT007N06N采用PG-HSOF-8封装(TOLL),相比传统的D²PAK-7,TOLL封装在占板面积减少约18%的前提下,将连续电流能力
提升至300A,功率耗散能力提升至375W。鸥翼形引脚便于SMT自动化产线贴装,焊点支持AOI检测,显著提升生产良率;底部裸
露焊盘与顶部散热路径的双向设计,允许MOSFET通过PCB铜皮或外加散热器进行高效散热。在电信电源模块和服务器电源等高密
度板卡中,TOLL的紧凑尺寸和优异热性能为工程师释放了宝贵的布局空间。
-55°C至175°C宽结温 + 375W高功率耗散,严苛环境长期可靠IPT007N06N的工作结温范围覆盖-55°C至175°C,MSL等级为MSL 3(168小时),可满足从北方严寒户外机柜到密闭工业现场高温
箱体的各类部署需求。375W的高功率耗散能力意味着即使在高负载条件下,芯片结温仍能维持在设计安全区间内——在7×24小时
不间断运行的大功率通信电源和电动汽车充电模块中,这一热冗余设计直接降低了现场失效概率。
完整的开发支持生态 + 英飞凌原厂品质保障,加速产品上市英飞凌为IPT007N06N提供了KITLGPWRBOM005TOBO1功率板(用于低压驱动可扩展功率演示板平台),帮助工程师快速完成原
型验证。同时提供完整的数据手册、应用笔记、SPICE仿真模型和热仿真模型,配合英飞凌全球FAE技术支持网络,可显著缩短从
设计选型到批量量产的开发周期。
七、典型应用场景