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在开关电源、逆变器、UPS、电机驱动等功率变换应用中,整流二极管和续流二极管的选择直接影响着系统的效率、
噪声水平和可靠性。当功率开关管(如MOSFET或IGBT)在高频下关断时,寄生电感和变压器漏感产生的电压尖峰,
需要通过续流二极管或钳位二极管形成泄放回路。此时,二极管的反向恢复特性成为决定系统性能的关键——恢复
时间越长,开关管承受的电压尖峰越高,开关损耗越大,系统效率越低,EMI噪声越严重。
长期以来,超快恢复二极管(Ultrafast Diode)是这一领域的标准选择。然而,随着电源系统向更高频率、更高效率
的方向演进,传统超快恢复二极管的恢复时间已逐渐成为制约系统性能提升的瓶颈。
安森美(onsemi)RHRP860 超高速恢复二极管(Hyperfast Diode)。它采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构,在
TO-220AC封装内实现了600V反向耐压、8A平均整流电流、35ns反向恢复时间的卓越性能组合。其恢复时间仅为传
统超快恢复二极管的一半,同时具备软恢复特性,可显著降低开关电路中的振铃和电气噪声。凭借100A浪涌承受能
力、-65℃至175℃宽工作结温范围以及100µA超低反向漏电流,RHRP860为各类高可靠性、高能效的功率变换应用
提供了一套高性能、高性价比的二极管解决方案。
一、产品介绍:超高速恢复二极管的性能标杆
RHRP860是安森美(onsemi) 推出的一款超高速恢复二极管(Hyperfast Diode),属于RHRP系列产品线。该器件
采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构-,在TO-220AC两引脚封装内集成了高性能单二极管,以通孔方式安装。
核心参数一览

RHRP860的35ns反向恢复时间是其最核心的性能标签。这一数值意味着器件可在极短的时间内完成从导通到截止的
状态转换,大幅降低了开关管的关断损耗。相比传统超快恢复二极管(通常为50-100ns),RHRP860的恢复时间缩
短了一半。
RHRP860的600V反向耐压使其能够从容应对380V/480V AC系统的电压应力,8A的电流能力覆盖了从中小功率开关
电源到电机驱动的广泛应用场景。
二、核心技术:三大特性定义超高速二极管新标准
特性一:超高速恢复(Hyperfast Recovery)——35ns恢复时间,效率的跃升
RHRP860最核心的技术优势在于其超高速恢复特性。反向恢复时间(trr)典型值小于35ns-——这意味着当二极管从
正向导通状态切换到反向截止状态时,仅需35纳秒即可完成载流子的抽取和耗尽层恢复。
在开关电源中,这一特性带来的直接收益是:
降低开关管的关断损耗:二极管恢复时间越短,开关管在关断期间承受的电流尖峰持续时间越短,功耗越低
提高系统效率:更快的恢复速度意味着更少的能量在开关过程中被消耗
支持更高开关频率:短恢复时间为提高PWM频率创造了条件,允许使用更小尺寸的电感和变压器,提升功率密度
特性二:软恢复特性(Soft Recovery)——振铃与噪声的“消音器”
RHRP860的另一核心优势是其软恢复特性-。传统的快恢复二极管在反向恢复过程的末尾,电流往往以较快的速率(
高di/dt)下降至零,这一突变会激发寄生电感和电容,在电路中产生高频振铃(Ringing)和电气噪声。
RHRP860的软恢复特性使得恢复电流在趋近于零时平缓地衰减,而非突变。这一特性带来的价值是:
显著降低EMI噪声:振铃幅度的减小直接降低了电磁干扰,简化了EMI滤波器的设计
减少电压尖峰:软恢复降低了开关管漏极/集电极上的电压过冲,提升了系统的可靠性
降低开关晶体管功耗:振铃和噪声的减小直接降低了开关管中的功耗
特性三:氮化硅钝化离子注入外延平面结构——高可靠性的工艺基石
RHRP860采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构-。这一先进制造工艺带来的优势包括:
低反向漏电流:典型值仅100µA @ 600V,显著降低了截止状态的功耗
高浪涌承受能力:100A的非重复峰值浪涌电流确保在启动、短路等瞬态工况下的生存能力
优异的批次一致性:最小批次间差异确保器件性能的稳定和可靠
高可靠性:钝化层有效保护了PN结免受外界污染,延长了器件的工作寿命
三、核心优势:四大维度定义600V/8A二极管新标杆
优势一:恢复时间仅为超快恢复二极管的一半——效率的跨越式提升
RHRP860的35ns恢复时间是传统超快恢复二极管(通常为50-100ns)的约一半。在PWM频率为100kHz的开关电源中,
这意味着每个开关周期减少数十纳秒的损耗窗口,累积的效率提升可达1%-3%。对于追求“铂金级”能效标准的电源产品
而言,这一差异至关重要。
优势二:软恢复特性——EMI问题的“天生解决方案”
RHRP860的软恢复特性是其区别于许多传统快恢复二极管的关键差异化优势-。在功率变换电路中,硬恢复二极管产生
的振铃往往是EMI问题的主要来源。RHRP860的软恢复特性从源头降低了振铃幅度,减少了对外部EMI滤波器的依赖,
降低了系统总成本。
优势三:175℃宽工作结温——严苛环境的可靠保障
RHRP860的工作结温范围覆盖-65℃至+175℃。175℃的高温耐受能力使其能够从容应对:
密封机箱内的高温环境(电源内部温度可达85-100℃)
高功率密度设计中的热积累
汽车发动机舱附近的高温工况
这一宽温工作范围,结合75W的耗散功率和2℃/W的低热阻,使RHRP860在高功率密度、高环境温度的应用中表现出色。
优势四:100A浪涌承受能力——瞬态工况的坚实后盾
RHRP860的100A非重复峰值浪涌电流是其额定电流(8A)的12.5倍。在电源启动、负载突变、输出短路等瞬态工况下,
这一极高的浪涌容限确保二极管能够安全承受瞬态大电流冲击,避免了因浪涌导致的器件失效。
四、同系列与竞品对比:精准定位,按需选择
4.1 RHRP系列内部对比
安森美RHRP系列超高速恢复二极管覆盖不同的电流等级和耐压等级。RHRP860是其中600V/8A的标准型号:

五、产品应用领域:从开关电源到电机驱动的广泛覆盖
RHRP860凭借其600V耐压、8A电流、35ns超快恢复、软恢复特性和175℃宽温等综合优势,在众多功率变换应用场景中发
挥着不可替代的作用。
1. 开关电源(SMPS)——核心应用
应用场景:AC-DC电源适配器、PC电源、服务器电源、LED驱动电源、工业开关电源
核心价值:RHRP860在开关电源中主要用作次级侧整流二极管和钳位二极管。其35ns超快恢复速度确保在高频开关下整流
损耗最小化;软恢复特性有效抑制了振铃和EMI噪声;600V耐压足以应对380V DC母线的电压应力。RHRP860适用于开关
电源、脉宽调制器等多种电源拓扑。
2. 逆变器与变频器
应用场景:太阳能逆变器、电机变频器、UPS不间断电源、电焊机
核心价值:在逆变器中,RHRP860可用作IGBT或MOSFET的续流二极管和钳位二极管。其超快恢复特性确保在高频PWM
开关下快速吸收反向电流;软恢复特性****降低了开关管关断时的电压尖峰;100A浪涌能力确保在电机启动和负载突变时的
安全运行。RHRP860广泛应用于逆变器、UPS电源等设备。
3. PFC功率因数校正
应用场景:主动式PFC升压电路、无桥PFC、交错式PFC
核心价值:在PFC升压电路中,RHRP860用作升压二极管。PFC电路工作在高频开关状态,对二极管的反向恢复特性要求
极高——RHRP860的35ns恢复时间和软恢复特性使其成为PFC电路的理想选择。
4. 电机驱动与控制
应用场景:交流电机驱动、伺服驱动器、工业风机/水泵控制
核心价值:在电机驱动电路中,RHRP860用作功率开关管的续流二极管。电机驱动中的PWM频率通常在8-20kHz,RHRP860
的超快恢复速度确保在每个开关周期内快速完成状态转换,降低了开关管的功耗和温升。
5. 照明与镇流器
应用场景:电子镇流器、LED照明驱动、HID灯驱动
核心价值:在电子镇流器和LED驱动中,RHRP860用作高频整流二极管。其高效率、低损耗的特性提升了照明系统的整体能效。
6. 汽车电子
应用场景:车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、混合动力/电动动力总成系统
核心价值:RHRP860的汽车级版本RHRP860-F085已通过安森美汽车级认证,适用于汽车行业的混合动力、电动和动力总成系
统。其175℃宽温工作范围和高可靠性使其能够满足汽车电子对温度适应性和长期可靠性的严苛要求。
六、为什么选择RHRP860?
35ns超高速恢复:恢复时间仅为传统超快恢复二极管的一半,显著降低开关损耗,提升系统效率。
软恢复特性:从源头降低振铃和电气噪声,简化EMI滤波器设计,提升系统可靠性。
600V/8A主流规格:覆盖中小功率开关电源、逆变器、电机驱动等广泛的应用场景。
100A高浪涌承受能力:额定电流12.5倍的浪涌容限,确保启动、短路等瞬态工况下的安全运行。
-65℃至175℃宽工作结温:从极寒到高温,各类严苛环境的可靠之选。
100µA超低反向漏电流:显著降低截止状态功耗,提升系统能效。
氮化硅钝化离子注入外延平面结构:高可靠性工艺,确保器件的一致性和长期稳定运行。
TO-220AC标准封装:通孔安装,散热优异,易于设计和替换。
本文标签:onsemi安森美 二极管 开关电源 芯片 上一篇:APT32F1103K8U6 APTCHIP爱普特全国产RISC-V 32位MCU单片机,智能家电与工业控制专用芯片 下一篇:已经是最后一篇了